【課題】本発明は、ライトアロケート方式のストア命令における無駄なデータ転送をなくしたキャッシュメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】キャッシュメモリシステムは、ストア命令を実行する場合に、キャッシュミスの発生に応答してキャッシュメモリにアドレスの領域をアロケートするとともに、主記憶装置のアドレスのデータをキャッシュメモリ上のアロケートされた領域にコピーした後、キャッシュメモリ上のコピーされたデータを書き込みデータで書き替える第１の動作モードと、キャッシュミスの発生に応答してキャッシュメモリにアドレスの領域をアロケートするとともに、主記憶装置のアドレスのデータをキャッシュメモリ上のアロケートされた領域にコピーすることなく、キャッシュメモリ上のアロケートされた領域に書き込みデータをストアする第２の動作モードとを選択的に実行可能なように構成される。 （もっと読む）

【課題】検索後、スタンバイ状態に戻る際に充電を必要とするマッチラインの数を減らし、消費電流の低減化を図ることができる連想メモリを提供する。
【解決手段】２ｍ＋１番地（但し、ｍ＝０、１、２、…、２５５である）のメモリセル３（２ｍ＋１、ｐ）については、ゲートがサーチバスＳＢ（ｐ）又はＸＳＢ（ｐ）に接続されているＮＭＯＳトランジスタ１１（２ｍ＋１、ｐ）、１２（２ｍ＋１、ｐ）のソースを２ｍ番地のマッチラインＭＬ２ｍに接続する。例えば、１番地のメモリセル３（１、ｐ）については、ゲートがサーチバスＳＢ（ｐ）又はＸＳＢ（ｐ）に接続されているＮＭＯＳトランジスタ１１（１、ｐ）、１２（１、ｐ）のソースを０番地のマッチラインＭＬ０に接続する。 （もっと読む）

【課題】素子分離用の溝の埋め込みにおいて、溝内のシリコン基板や溝形成用のＳｉＮマスクへのエッチングダメージを抑制しつつ、高アスペクト比の溝を良好に埋め込む。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に溝を形成する工程と、前記半導体基板を第１の温度とし、前記溝内に第１シリコン酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板を、前記第１の温度よりも低い第２の温度とし、前記第１シリコン酸化膜の一部をドライエッチングする第１ドライエッチング工程と、前記ドライエッチングされた前記第１シリコン酸化膜上に、第２シリコン酸化膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】試料表面の電気的特性を簡易に且つ高精度に測定する検査冶具及びこれを用いた静電容量測定方法を提供すること。
【解決手段】試料の被測定面に対向して配置され、膜の上下両面に加わる圧力差によって試料の被測定面方向に撓む可撓膜６と、可撓膜６の上下両面に配置され、その一部が前記可撓膜６を貫通して上面側と下面側とが連結された電極膜２と、試料の被測定面に当接して、可撓膜６と試料の被測定面との間に気密された領域を形成する壁部材４と、可撓膜６と被測定面との間の気密された領域内の気体を排出する排気路７とを有した検査冶具１０による。この検査冶具１０は排気路７からの排気により可撓膜６及び電極２が被測定面に変形しながら押し付けられて隙間無く密着することにより静電容量等の電気的特性を正確に測定できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等における耐タンパ性を向上すべく、第三者による不当な書き込みを防止することができる半導体装置およびその制御方法、並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１記憶部と、第２記憶部と、判定部とを有し、判定部には第１信号と第２信号とが入力される。第１信号は、第１記憶部もしくは第２記憶部に書き込みを許可する。第２信号は、第１記憶部に所定の情報が書き込み済であるか否かを示す。所定の情報が書き込み済であることを第２信号が示す場合に、第２記憶部への書き込みを禁止する信号を判定部は出力する。これにより、第三者による不当な書き込みを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高効率かつ負荷急変時の過渡応答速度が高速なＤＣ−ＤＣコンバータを提供すること。
【解決手段】出力端子Ｔｏｕｔからは出力電圧Ｖｏｕｔが出力され、負荷５に供給される。ステート（１）ではチョークコイルＬ１にエネルギーが蓄積される。ステート（３）ではチョークコイルＬ１に蓄積されたエネルギーが出力端子Ｔｏｕｔ側に放出される。負荷５が起動する等により、負荷成分が急激に増加すると、出力電圧Ｖｏｕｔは低下する。そして出力電圧Ｖｏｕｔが所定値よりも低くなると、動作周期Ｔには、ステート（１）とステート（３）とが制御回路１１によって割り当てられる。このとき負荷状態が高くされることに応じてステート（１）の割り当てを大きくすれば、チョークコイルＬ１に蓄積されるエネルギーが大きくなることから、出力電圧Ｖｏｕｔの上昇速度を早めることができる。よって過渡応答速度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】設備機器側でのウエハマッピングを省くことが可能なウエハカセット、半導体製造システム、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】カセット本体２と、カセット本体２に設けられ、ウエハWが収まる複数のスロットSを画定する複数のスロット区分板３と、複数のスロットSのそれぞれにウエハWが存在するか否かについてのスロット情報D_sを出力するウエハセンサ４と、少なくともスロット情報D_sを含んだカセット情報D_cが格納される記憶部７と、外部の設備機器３３ａ〜３３ｄと記憶部７との間の通信を媒介する通信部８とを有するウエハカセット１による。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内での異物の混入を効果的に抑制することができる真空ポンプ、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】固定翼領域１１に、ハウジング１の外側からハウジング１の内側を加熱する第１のヒータ２１が設けられ、スペーサ領域１２に、ハウジング１の外側からハウジング１の内側を加熱する第２のヒータ２２が設けられている。ヒータ２１による加熱の設定温度は９５℃であり、ヒータ２２による加熱の設定温度は１１５℃である。この設定温度は温度制御部により制御される。温度制御部は、固定翼領域１１及びスペーサ領域１２に夫々設けられた温度センサに基づいて設定温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】画像データの格納などのシステムの性能を落とすことなく、システムの構成に必要なメモリサイズを削減し、システムコストダウンを図ることである。
【解決手段】画像データを圧縮した際に生成する圧縮画像データサイズをあらかじめ設定する。次に、画像データを、量子化テーブルを用いて圧縮した後、符号化を行う。圧縮と符号化が行われた後のデータ長が、あらかじめ定められたデータ長よりも短いときに、圧縮・符号化後のデータに符号化データを追加して、あらかじめ定められたデータ長を有するデータとする。 （もっと読む）

【課題】クロストーク対策必要性の判定が不要な箇所をクロストーク対策の対象から除外して、処理量を減少させる。
【解決手段】クロストーク対策の必要性を判定すべき箇所を検出するクロストーク解析を行い、検出された箇所のそれぞれに対して、その箇所を通り、クロストーク対策必要性の検証対象となる２つの信号の同時スイッチングの有無を判定する論理検証を行い、同時スイッチングが発生しないと判定された箇所を除いて、クロストーク解析によって検出された箇所に対するクロストーク対策の必要性を判定する。 （もっと読む）