【課題】 半導体メモリのスタンバイ状態での消費電力を増大させることなく、出力電圧の変動に対する応答速度および発振に対する安定性を確保したうえで、半導体メモリの動作状態に応じてプリチャージ電圧用の電圧供給回路の駆動能力を制御する。
【解決手段】 第１電圧供給部にて、第１差動増幅器は、出力ノードの電圧が第１電圧より低いときに出力信号を活性化させ、第２差動増幅器は、出力ノードの電圧が第２電圧より高いときに出力信号を活性化させ、第１駆動回路は、第１差動増幅器の出力信号の活性化に応答して出力ノードを高電源線に接続し、第２差動増幅器の出力信号の活性化に応答して出力ノードを低電源線に接続する。第２電圧供給部にて、第３差動増幅器、第４差動増幅器および第２駆動回路は、駆動能力制御信号の活性化期間にのみ、第１差動増幅器、第２差動増幅器および第１駆動回路と同様に動作する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カットオフ周波数調整方法、ＧｍＣフィルタ回路及び半導体装置に関し、ＧmＣ値を一定にすると共に、低消費電力化を同時に実現可能とすることを目的とする。
【解決手段】Ｇm値が制御可能なＯＴＡ回路及びコンデンサを備えたＧmＣフィルタ回路のカットオフ周波数を調整するカットオフ周波数調整方法において、ＯＴＡ回路の出力で電荷を充電するコンデンサの電圧に基づいてＯＴＡ回路のＧm値を検出し、検出されたＧm値に基づいてＯＴＡ回路のＧm値を一定に制御することで、ＧmＣフィルタ回路のカットオフ周波数を所望の値にするように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、汎用的にキャッシュミスを削減できるような関数強度情報の定義に基づいたキャッシュカラーリング方式を提供することを目的とする。
【解決手段】キャッシュカラーリング方法は、複数の関数からなるプログラムをコンピュータにより実行することによりプログラム実行時における複数の関数の呼出し順を時系列として表現した動的関数フローを生成し、動的関数フローに基づいて、複数の関数のうちの任意の関数と他の全ての関数との実行時の呼出し関係についての情報及びキャッシュミス発生確度の情報を含む関数強度情報をコンピュータが生成し、関数強度情報に基づいて命令キャッシュ競合が少なくなるように複数の関数をコンピュータがメモリ空間に配置する各段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴの高速化と低消費電力化を図る。
【解決手段】ＣＭＯＳインバータ１のｐＭＯＳＦＥＴ１０およびｎＭＯＳＦＥＴ２０をそれぞれ、ゲートＧへの入力信号Ｖｉｎの切替えに同期してチャネル領域にバイアス電圧が印加される構造とする。そして、そのバイアス電圧を、容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を用いて調整する。それにより、ｐＭＯＳＦＥＴ１０およびｎＭＯＳＦＥＴ２０の各しきい値電圧が、それらのオン・オフに応じて、それぞれ適した値に調整され、オン状態の電流増加による高速化と、オフ状態のリーク電流低減による低消費電力化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】次回の処理結果の予測精度を向上させ、プロセス状態の急激な変化に迅速に追随させて制御精度を向上させる。
【解決手段】測定値取得部１３によって取得された測定値データ保存部１１の処理結果の測定値と、予測値データ保存部１２の予測値とを用いて、平滑化定数算出部１４が指数加重移動平均モデルに適用させる平滑化定数が算出され、リセット判定部１５によって測定値データ保存部１１のデータの削除が判定されて、データを削除する場合は、リセット部１６が測定値データ保存部１１の最新の測定値以外のデータを削除し、データを削除しない場合は、予測値算出部１７が指数加重移動平均モデルに平滑化定数と測定値とを適用して予測値を算出するようにする。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換を高精度に行うことができるＡ／Ｄ変換回路を提供する。
【解決手段】Ａ／Ｄ変換回路は、入力端子ＩＮと、トランジスタＮ１０と各トランジスタＮ２０〜Ｎ２３とによって構成されるカレントミラー回路と、各トランジスタＮ２０〜Ｎ２３に接続されて基準電流Ｉ２０〜Ｉ２３を流す定電流源３２０〜３２３とを備えている。各トランジスタＮ２０〜Ｎ２３に伝達された電流が基準電流Ｉ２０〜Ｉ２３から減算され、減算結果に応じた電流が各出力端子Ａ〜Ｄから出力される。定電流源３２０〜３２３とトランジスタＮ２０〜Ｎ２３との接続点の電位レベルがＬｏ／Ｈｉ判定され、その判定信号がエンコーダ３５によりエンコードされ、上位２ビット分の信号Ｄ３，Ｄ２が出力される。また、１段目の基本ユニット３２における各出力端子Ｂは、２段目のユニット３２ｂにおける入力端子ＩＮに接続される。 （もっと読む）

【課題】携帯システムの消費電力とパフォーマンスの向上に容易に対応することができる半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】メモリセルの位置の領域をリフレッシュするリフレッシュモードを備える。このリフレッシュモードでは、全メモリセルの領域のうち、リフレッシュ特性の良い領域をリフレッシュ領域とする。なお、このようなリフレッシュ領域は、アドレスバッファ９１とアドレスデコーダ９２との間に設けられるアドレススクランブル回路９０などによって設定される。 （もっと読む）

【課題】近接効果補正によるデータ量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供することを目的とする。
【解決手段】設計レイアウト用データからリソグラフィ用データに変換する際に発生する丸め計算誤差を補正し（Ｓ２１０）、リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを、そのマスクパターンの周辺のレイアウト環境に基づいて補正値を決定し（Ｓ２２０）、補正値による補正のうち露光による劣化の補正に影響を与えない補正部分を調整する補正部分調整手段（Ｓ２３０〜Ｓ２４０）とを有することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置に供給される負荷設定信号に応じて、アナログ信号に対する仮想的な負荷を可変すること
【解決手段】 アナログ信号発生部３は、調整信号ＡＤに対応するアナログ信号ＡＯＵＴを出力する。アナログ信号ＡＯＵＴには仮想負荷部２が接続されている。仮想負荷部２は、負荷設定信号ＬＤＳに制御されてアナログ信号ＡＯＵＴに接続される負荷を可変することができる。負荷設定信号ＬＤＳを適宜に設定してやれば、半導体集積回路装置の各動作状態においてアナログ信号ＡＤに付加される負荷と同等の負荷を擬似的に接続することができる。負荷設定信号ＬＤＳを調整信号ＡＤによるアナログ信号ＡＯＵＴの調整時に行なえば、半導体集積回路装置を実際に動作させることなく、実動作状態と同等な負荷を接続してアナログ信号ＡＯＵＴの判定を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置内のメモリに書き込まれるデータの機密性に依存することなく、一様にかつ柔軟な暗号化処理が可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 第１のメモリ部１０と、第２のメモリ部１２と、冗長情報ファイル部１４とを有し、該冗長情報ファイル部に格納された冗長情報に従い、前記第１のメモリ部に書き込むべき書き込みデータの少なくとも一部を前記冗長メモリ部に書き込むことで、当該書き込みデータの書き込み位置を物理的に変更し、書き込みデータの秘匿性を高める。 （もっと読む）