説明

富士通セミコンダクター株式会社により出願された特許

2,391 - 2,400 / 2,507


【課題】論理変更/回路修正時に使用するスペアセルを、所望の論理モジュール/論理回路の近くに配置できるスタンダードセル方式の設計方法の実現。
【解決手段】スペアセル入りネットリストを作成する処理S11と、セルの自動配置を行う処理S13と、自動配置されたセルの自動配線を行う処理S15と、を備えるスタンダードセル方式の半導体集積回路の設計方法であって、自動配置は、スペアセルについて、仮想接続用ライブラリ34としてハードマクロで定義されたセルライブラリを用いて行い、仮想接続用ライブラリではスペアセルは所望の論理モジュール内の回路にネット接続されており、仮想接続用ライブラリから、スペアセル化ライブラリ35としてソフトマクロで定義されたセルライブラリに置き換える処理S14を、さらに備え、スペアセル化ライブラリではスペアセルは所望の論理回路とのネット接続されておらず、自動配線はスペアセル化ライブラリを用いて行われる。 (もっと読む)


【課題】クロストークノイズに起因する伝送路上の信号遅延量を、短時間で、かつ精度良く解析する。
【解決手段】被害配線と攻撃配線とをモデル化したクロストークノイズ解析モデルを用いて、被害配線の受信端に発生するクロストークノイズ波形を抽出し、被害配線のみをモデル化した伝送路解析モデルを用いて、クロストークノイズの影響の無い被害配線の受信端の信号波形を求める。この信号波形と抽出されたクロストークノイズ波形との合成波形から、被害配線上のクロストークノイズによる信号遅延量を求める。 (もっと読む)


【課題】優れた電気特性を示す強誘電体キャパシタを形成する。
【解決手段】下部電極、第1,第2,第3の強誘電体膜および上部電極を順に形成する際(ステップS1〜S5)、第1,第3の強誘電体膜は、所定の元素を添加して、第2の強誘電体膜より薄く形成し、第2の強誘電体膜は、そのような元素を添加せずに形成する。これにより、元素添加による強誘電体キャパシタのスイッチング電荷量の低下を抑えつつ、その疲労特性やインプリント特性の向上、リーク電流の低減を図ることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、画像処理装置及びプログラムに関し、暗号化されたコンテンツの編集を、復号処理を伴うことなく比較的短い処理時間で行うことを可能とすることを目的とする。
【解決手段】コンテンツを暗号化して録画する前に、コンテンツデータから特定データの開始又は終了を示すスタートコードを検出して、検出されたスタートコードを基準として編集情報パケットをコンテンツデータに挿入し、コンテンツデータを録画する際に、編集情報パケット以外の少なくとも一部のコンテンツデータを暗号化して編集情報パケットと共に記録媒体に格納するように構成する。 (もっと読む)


【課題】半導体上にモフォロジの良好な半導体層を選択的にエピタキシャル成長させる。
【解決手段】リセスド・ソース・ドレイン型pMOSFETを形成する際、STIを形成したSi基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し(ステップS1)、サイドウォールを形成した後(ステップS2)、その両側のSi基板に部分的にリセスを形成する(ステップS3)。そして、そのSi基板のリセス内に、下層部の方が上層部よりも、サイドウォールやSTIに対する成長選択性が低くなるような条件を用いて、下層部と上層部をエピタキシャル成長させ、SiGe層を形成する(ステップS4,S5)。これにより、Si基板のリセス内に、サイドウォール等に対する成長選択性を確保しつつ、モフォロジの劣化が抑えられたSiGe層を形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】より小さな消費電力で、端末が基地局と通信できるか否かを判断可能な通信装置を提供する。
【解決手段】基地局が発信しているフレームデータを抽出し、フレームデータのヘッダに格納されている、使用帯域に関するパラメータを得る。基地局が使用可能な全帯域から、既に使用されている帯域を引き、空きの帯域を計算する。自端末が使用したい帯域が空きの帯域に収容可能か否かを判断する。収容可能な場合には、基地局と通信可能であるので、端末は、基地局と通信を行うためのネットワークエントリシーケンスを走らせる。 (もっと読む)


【課題】大判化された半導体基板を用いての半導体素子の形成工程に於いて、半導体素子が形成された半導体基板の裏面に対する研削(バックグラインド)処理によって、当該半導体基板の被バックグラインド面(半導体基板の裏面、電子回路の非形成面)に発生する可能性のある機械的損傷を、効率良く検出することができる半導体基板の検査方法の提供。
【解決手段】半導体基板の検査方法は、複数個の電極が表面上に形成された絶縁材上に、半導体基板の一方の主面の周縁部が前記複数個の電極に接触するように前記半導体基板を固着し、前記複数個の電極間の抵抗値を測定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大容量記憶媒体を効率よく利用して、多様化、複雑化した規格に効率よく対応でき、かつ消費電力を低減できるトランスコードの実現。
【解決手段】第1の方式でエンコードされた第1方式映像データMPEG-2TSが入力され、第1方式映像データおよび第1の方式と異なる第2の方式でエンコードされた第2方式映像データH.264TSを出力するトランスコーダであって、記憶装置2とのインターフェース16と、インターフェースを介して記憶装置での記憶および読出を制御する記憶装置制御部18と、を備え、同一映像の第1および第2方式映像データを、インターフェースを介して記憶装置に同時に記憶する。 (もっと読む)


【課題】認証方法、認証装置及びプログラムに係り、特に位相限定相関法を用いた生体認証アルゴリズムを採用した認証方法、認証装置及びプログラムの提供。
【解決手段】照合するべき第1の入力画像に二次元フーリエ変換処理を施して生成された照合画像データの実部と虚部より照合画像データの位相情報が含まれる位相範囲を判断し、位相情報の各位相範囲と対応する量子化数値とを格納するテーブルを参照して位相情報に対応する量子化数値を求め、登録するべき第2の入力画像に対して第1の入力画像と同様にして予め求められて記憶手段に登録されている量子化数値と、量子化数値との減算を行うことで第2の入力画像に二次元フーリエ変換処理を施して生成された登録画像データの位相情報と照合画像データ位相情報の位相差を求め、位相差に二次元逆フーリエ変換処理を施して第1及び第2の入力画像の相関を示す位相限定相関関数を求めて出力するように構成する。 (もっと読む)


【課題】配線占有領域を削減し、冗長ビア配線ルール違反箇所を無くし又は削減することができるようにした半導体集積回路のレイアウト設計方法を提供する。
【解決手段】詳細配線(第1工程)で冗長ビア配線ルール違反が発生した場合、セルの向きを変更して冗長ビア配線ルール違反箇所を解消する配線修正を行うための準備(第2工程〜第12工程)を行い、その後、セルの向きを変更して配線修正を行い(第13〜第15工程)、経路更新を行う(第16工程)工程を用意する。 (もっと読む)


2,391 - 2,400 / 2,507