【課題】訂正前データと訂正後データを記憶するメモリの規模を小さくでき、オーバーフローの発生を未然に防止することができるエラー訂正処理装置の制御方法を提供することにある。
【解決手段】訂正処理能力制御回路２５は、負荷検出回路３７と能力制御回路３８を有している。負荷検出回路３７はエラー訂正処理回路部２４にかかる負荷を検出する。能力制御回路３８は、その負荷検出回路３７が検出した負荷が大きい場合に、エラー訂正処理回路部２４の訂正処理速度を速くする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型チャネルを有する半導体装置において、前記ｐ型チャネル領域に一軸性圧縮応力をＳｉＧｅ混晶層より印加して、前記チャネル領域におけるホール移動度を向上させる。
【解決手段】 シリコン基板中、ソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層によりエピタキシャルに充填する際に、前記トレンチの側壁面を複数のファセットにより画成し、さらにＳｉＧｅ混晶層中のＧｅ原子濃度を２０％を超えて増大させる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型チャネルを有する半導体装置において、前記ｐ型チャネル領域に一軸性圧縮応力をＳｉＧｅ混晶層より印加して、前記チャネル領域におけるホール移動度を向上させる。
【解決手段】 シリコン基板中、ソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層によりエピタキシャルに充填する際に、前記トレンチの側壁面を複数のファセットにより画成し、さらにＳｉＧｅ混晶層中のＧｅ原子濃度を２０％を超えて増大させる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜を薄膜化しても良好な疲労特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】密着膜１６上に下部電極膜２１を形成する。下部電極膜２１としては、例えばＰｔ膜を形成する。その後、例えば６５０℃のＡｒ雰囲気中で１分間の急速加熱処理（ＲＴＡ）を行う。この急速加熱処理を窒素雰囲気中で行ってもよい。続いて、下部電極膜２１上に強誘電体膜２２をアモルファス状態で形成する。強誘電体膜２２としては、例えばＰＺＴ膜を形成する。次に、アニールを行うことにより、強誘電体膜２２を結晶化させる。次いで、強誘電体膜２２上に上部電極膜２３を形成する。上部電極膜２３としては、例えばイリジウム酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に存在する欠陥を効率よく、且つ高感度に検出する。
【解決手段】半導体装置の裏面から励起光１２を照射する照射手段と、励起光１２の照射により、半導体装置の裏面から発せられる光を分光検出する検出手段と、分光検出により得られた特定波長の強度を測定する測定手段と、を有する検査装置１により、半導体装置の裏面から励起光１２が照射され、励起光の照射により、半導体装置の裏面から発せられる光が分光検出され、分光検出した特定波長の強度が二次元分布として画像表示化される。これにより、ウェハスケールやチップスケールの半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、且つ高感度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】デコード画像に対してサイズ変更が行われ、デコード時と再エンコード時のマクロブロックの境界が一致しない場合にも、余計な高周波成分を生じさせることがなく、圧縮率が低下しないトランスコーダの実現。
【解決手段】第１の方式MPEG2でエンコードされた画像データをデコードしてデコード画像を出力するデコーダ2と、デコード画像データを、第２の方式H.264で再エンコードするエンコーダ6と、を備えるトランスコーダ1であって、デコード画像のサイズを変更するスケーラ11と、デコード画像内のデコーダのマクロブロックの境界であって、エンコーダのマクロブロックの境界と一致しない境界の近傍の画素について、高周波成分を低減するフィルタ処理を、サイズ変更の前または後で行うフィルタ11と、を備える。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲートの段差に起因する種々の問題を解決し、半導体メモリとしての特性劣化を簡便且つ確実に抑止して、高信頼性の半導体装置を実現する。
【解決手段】ダミーセル２０ａのダミー浮遊ゲート２３ａは、そのインターフェース部１２側における最外端の側面（端部２３ｂ）が緩斜面に形成されており、その傾斜角度が、当該ダミー浮遊ゲート２３ａの他方の側面及び浮遊ゲート２３における側面の傾斜角度よりも小さくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、酸化物誘電体膜／ＴｉＡｌＮ界面の剥離や膜浮きを防止する。
【解決手段】 下部電極１の最表面をＴｉＡｌＮ膜３とし、ＴｉＡｌＮ膜３と酸化物誘電体膜５との界面にチタン酸化物及びアルミ酸化物を含む酸化物系膜４を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造工程における雰囲気の環境の汚染物質を調べるだけではなく、光化学反応による生成物を調べるために、実際に半導体露光装置で暴露されている環境下でフォトマスクのごく近傍の雰囲気の汚染物質を調べる分析方法及び捕集器を提供する。
【解決手段】捕集材料として常温環境において不揮発性の高分子膜１１を使用して、フォトマスク保管、使用環境のフォトマスク近傍の雰囲気における汚染物質を捕集するために、フォトマスクのサイズ同様のフレーム型の治具であるフレーム１２に高分子膜１１を固定し捕集器１０を作成する。この捕集器１０をフォトマスクの保管、使用環境に放置し捕集を行い、次に、これを脱離して分析すれば雰囲気中の汚染物質を判別することができる。 （もっと読む）

【課題】ホット・プラグ機能を実現しながら確実なデータ転送を実施することのできるネットワーク制御方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】新規ノードの接続を検知した場合、ＩＰＣ２１は、既存のネットワークでデータ転送が行われているか否かを判断し、データ転送が行われている場合には、当該データ転送を中断し、その後に新規ネットワークを再構築する。その構築後に、ＩＰＣ２１は、転送元及び転送先のノードにデータ転送の再開を指示する。その結果、データ転送が再開され、データの中断及びデータの再送の操作が不要となる。 （もっと読む）