【課題】送信出力の２次高調波による局部発振器への干渉を低減することが可能な半導体装置及びそれを備える無線通信機を提供すること。
【解決手段】第１の送信アンプを含む第１の送信経路と、第２の送信アンプを含む第２の送信経路と、を備え、第１の送信経路の送信出力と第２の送信経路の送信出力とが９０度の位相差を有し、第１の送信経路の送信出力と第２の送信経路の送信出力とを合成して無線周波数信号を得る構成とする。 （もっと読む）

【課題】キャビティへ良好に樹脂を流入するための樹脂封止用金型を提供する。
【解決手段】凹状に形成されるキャビティ下部８ａを有する下金型１と、下金型１に形成されて樹脂載置領域を有するポット２と、ポット２に挿通されるプランジャ３と、下金型１のうちキャビティ下部８ａとポット２の間のランナー領域４とゲート領域６の少なくとも一方に形成されるホール４ａ、６ａ内に上下動可能に挿通され、上面に凹状の異物捕捉部５ｂ、７ｂを有する少なくとも１つの摺動ピン５，７と、キャビティ下部８ａに合わさせられる凹状のキャビティ上部８ｂを有する上金型１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 アームをキャリア内に侵入させたとき、ウエハの姿勢に不正なゆがみがあると、アームがウエハに接触してしまう場合がある。
【解決手段】 アームが、ウエハを保持する。アーム駆動機構が、アームを退避位置から、ウエハを受け取る受取位置まで、または受取位置から退避位置まで移動させる。ガス吸引装置がガスを吸引する。第１のガス流路が、ガス吸引装置から、アームの内部を経由して、アームの表面に開口する。第１の検出器が、第１のガス流路内のガスの圧力または流速を測定する。 （もっと読む）

【課題】動作可能な電源電圧の範囲を拡大を図ること。
【解決手段】ＳＲＡＭ１０のメモリセルマトリックス１１は、同じビット線対ＢＬ０ｚ，ＢＬ０ｘに接続されたメモリセルＣ０ａ，Ｃ０ｂを含む。メモリセルＣ０ａは、１つのセル部３１ａと２つの転送ゲート３２ａ，３３ａを含む。セル部３１ａの２つのインバータ回路３４ａ，３５ａは互いの入力端子と出力端子とが接続されている。メモリセルＣ０ｂは、１つのセル部３１ｂと２つの転送ゲート３２ｂ，３３ｂを含む。セル部３１ｂの２つのインバータ回路３４ｂ，３５ｂは互いの入力端子と出力端子とが接続されている。メモリセルＣ０ａに含まれる２つのポートＰ１ａ，Ｐ２ａは、スイッチ回路Ｓ０ｚ，Ｓ０ｘを介してメモリセルＣ０ｂに含まれる２つのポートＰ１ｂ，Ｐ２ｂとそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】検証期間の短縮化と設計者の作業労力の軽減化を図ること。
【解決手段】原因結果グラフ１７００において、ノード１７０１〜１７０３は、それぞれ「状態Ａである」、「Ｃをする」、「Ｄをする」といった原因ノードである。ノード１７０４は、原因ノード１７０１，１７０２の論理積をあらわす。ノード１７０５は、「状態Ｂになる」といった結果をあらわす。ノード１７０６は、「状態Ａになる」といった結果をあらわす結果ノードだが、結果を発生させる原因が存在しない。原因結果記述データ１１１からノード１７０６を検出することで、原因結果記述データ１１１に不足が生じているかをチェックする。このため、原因結果グラフに時間概念を導入し、原因結果グラフのエッジに時間的重みを加える。重みは原因結果グラフのエッジにサイクル数を付すことで表現する。結果ノードまたは途中結果ノードについて、結果が発生する時間に「ｎ〜ｍサイクル」といった範囲が生じる場合には、時間的なＯＲ結合ノードを利用する。 （もっと読む）

【課題】
レビューＳＥＭにおいて、目標とする欠陥を間違いなく検査する。
【解決手段】
欠陥検査装置が検出した欠陥から目的とする欠陥を選定し、その座標を取得し、レビューＳＥＭの視野を目的とする欠陥の座標に合わせてＳＥＭ像を撮像し、ＳＥＭ像中の欠陥を画面内の座標と共に検出し、欠陥検査装置が検出した欠陥と対応するＳＥＭ像中の欠陥を重ねるための座標調整値を求め、目的とする欠陥の調整した座標に合わせて、拡大ＳＥＭ像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシンプロセスを同一チャンバ内で行っても、再現性よくビアホールを貫通させる技術が望まれる。
【解決手段】 層間絶縁膜上の第１のマスク膜及び層間絶縁膜に、層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するビアホールを形成する。第１のマスク膜の上に、下層レジスト膜を形成し、その上に、配線溝に対応する開口を有する第２のマスク膜を形成する。チャンバ内において、Ｏ_２とＣＯとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。下層レジスト膜の開口の平面形状が転写された開口を、第１のマスク膜に形成するとともに、下層レジスト膜を除去し、ビアホールをさらに掘り下げて、下層配線を露出させる。層間絶縁膜を厚さ方向の途中までエッチングして配線溝を形成する。配線溝及び前記ビアホール内を、導電部材で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】高耐圧で、特性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離領域ＳＴＩと、ウェルＰＷと、活性領域を横断するゲート電極Ｇと、ゲート電極の一方の側からゲート電極下方に入り込んで形成された低濃度ドレイン領域ＬＤＤと、ゲート電極の他方の側からゲート電極下方に入り込み、低濃度ドレイン領域とオーバーラップし、低濃度ドレイン領域より浅い、チャネル領域ＣＨと、ゲート電極の他方の側に形成されたソース領域Ｓｎと、ゲート領域の一方の側に、ゲート電極から離間したドレイン領域Ｄｎと、を有し、ゲート電極と高濃度ドレイン領域Ｄｎとの間の中間領域の実効不純物濃度は、オーバーラップ領域の不純物濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】縮小投影露光方法で形成するレジストパターンの線幅の変動を小さくすること。
【解決手段】密集パターンに対応する、帯状レジストパターンの最大線幅と基板表面位置の関係を示す第１の最大線幅位置特性と、孤立パターンに対応する、前記最大線幅と基板表面位置の関係を示す第２の最大線幅位置特性を導出し、前記第１の最大線幅位置特性における、所望の最大線幅に対応する第１の基板表面位置と、前記第２の最大線幅位置特性における、前記所望の最大線幅に対応する第２の基板表面位置の中間の基板表面位置を、露光時の基板表面位置として定める第１の工程と、基板表面を前記露光時の基板表面位置に配置し、前記基板表面に形成したレジ膜に縮小投影露光を施した後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する第２の工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】配線からのＣｕの拡散を防止する。
【解決手段】例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。これにより、各ＳｉＣ膜の露出表面をＳｉリッチにする。そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。これにより、配線からのＣｕの拡散を防止することが可能になる。 （もっと読む）