【課題】生産性，特性に優れ、且つ完全なヒューズ効果により実現される優れた安全性を持つ電池に用いられるポリエチレン微多孔膜、及びそれを用いた電池を提供する。
【解決手段】少なくとも、粘度平均分子量が１０万〜４００万の高密度ポリエチレン１０〜９５重量％と、融点が１２５℃を越えて１３２℃以下のポリエチレン５〜９０重量％を含有している組成物からなることを特徴とするポリエチレン製微多孔膜を使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）一般式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）（式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である）で表される１種類以上のシラン化合物に由来し重量平均分子量が３００以上１０００未満であるポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液に、少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n｛式中、ｎは０〜３の整数、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中５０℃以上ｐＨ３〜７で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液にアルコール、ケトン、エステル、エーテル、アミド及び炭化水素系溶媒から選ばれる少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、（ｉｉ）シリカ粒子と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有し、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である。｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】溶剤に対する溶解性に優れるとともに、硬化物が低誘電率、低誘電正接、及び高耐熱性を兼ね備えることを可能にするポリフェニレンエーテルを提供する。
【解決手段】１分子当たりのフェノール性水酸基の数が平均０．５個未満であり、かつ数平均分子量が１，０００〜８，０００であるアリル化ポリフェニレンエーテル、並びに該アリル化ポリフェニレンエーテルを含有する硬化性樹脂組成物、ワニス、複合体及び積層板を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低い温度で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーの提供。
【解決手段】Ｃｕ系合金粒子（Ｃｕ系合金粒子は、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｎを含み、かつＣｕ、Ｉｎ及びＳｎの中でＣｕを最高の質量割合で含み、そして該Ｃｕ系合金粒子の含有量は３０〜４５質量％である）；並びに複合合金粒子（該複合合金粒子は、Ｂｉ系合金粒子とＳｎ粒子又はＢｉ不含有Ｓｎ系合金粒子との混合物であり、該Ｓｎ粒子又はＢｉ不含有Ｓｎ系合金粒子の含有量は２５〜２５０質量部であり、該Ｂｉ系合金粒子は、４０〜７０質量％のＢｉ並びに３０〜６０質量％のＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ及び／又はＳｎを含み、そして該Ｂｉ不含有Ｓｎ系合金粒子は、該Ｂｉ系合金粒子の固相線温度以上の固相線温度を有する）を含む金属フィラー。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に適用して、２５０℃以下の熱で硬化させた際でも、伸度が高く、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂組成物、該組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、及び該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置の提供。
【解決手段】溶剤中に、以下の成分：
主鎖にビフェニルジイル構造を有するフェノール樹脂（Ａ）：１００質量部；
光酸発生剤（Ｂ）：１〜３０質量部；及び
上記光酸発生剤（Ｂ）から発生した酸、又は熱により、上記（Ａ）成分と反応しうる化合物（Ｃ）：１〜６０質量部；
を含有する、半導体素子表面保護膜又は層間絶縁膜用の感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた偏光性能と光拡散機能とを兼備したワイヤグリッド偏光板及びワイヤグリッド偏光板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のワイヤグリッド偏光板は、基材１１と、基材１１上に形成された樹脂層１２と、樹脂層１２上に形成された導電体１３とを具備するワイヤグリッド偏光板であって、樹脂層１２は、折り曲げ加工により形成された起伏構造、又は基材１１の収縮率と、樹脂層１２の収縮率と、の間の差を少なくとも０．５％以上になるようにして収縮させて形成した繰り返し構造からなる起伏構造を有し、当該起伏構造は、最大高さが１μｍから１０００μｍの範囲であって、樹脂層１２の面方向における山谷平均間隔が３μｍから２０００μｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のガラス基板で、半導体プロセスを応用した方法で製造されるワイヤグリッド偏光子は生産性に乏しいという欠点がある。また、ガラス基板のワイヤグリッド偏光子は厚みが大きく、重く、割れやすいといった、使用上の欠点があった。またＰＣなどの樹脂フィルム基材を包含するワイヤグリッド偏光子では、フィルム基材が熱、湿度、光などの影響で分解したり、変形したり、変色したりするといった使用上の問題があった。
【解決手段】基材と、前記基材上に形成された樹脂皮膜と、前記樹脂皮膜上に形成された金属ワイヤとを包含するワイヤグリッド偏光子であって、該ワイヤグリッド偏光子から前記金属ワイヤの構造を維持したままで前記基材を分離することが可能なワイヤグリッド偏光子。 （もっと読む）