本発明の薄膜形成装置（１）は、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）を備える。プラズマ発生手段（６１）は、誘電体壁（６３）と渦状のアンテナ（６５ａ，６５ｂ）を有して構成されている。アンテナ（６５ａ，６５ｂ）は、高周波電源（６９）に対して並列に接続され、アンテナ（６５ａ，６５ｂ）の渦を成す面に対する垂線に垂直な方向に隣り合った状態で設けられている。
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本発明の薄膜の形成方法は、基板を保持するための基板ホルダ１３の搬送速度を制御しながら、基板ホルダ１３を、中間薄膜形成工程を行う領域と膜組成変換工程を行う領域との間を繰り返し搬送させて、最終的に形成される薄膜の膜組成を調整し、ヒステリシス現象が起きる領域の光学的特性値を有する薄膜を形成する光学的特性調整工程とを備える。
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本発明の薄膜形成装置（１）は、内部を真空に維持する真空容器（１１）と、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段（７６）と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）と、を備える。そして、真空容器（１１）内の壁面には、熱分解窒化硼素（Ｐ）が被覆されている。
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【課題】 薄膜を形成した後の基板の湾曲が少ない光学物品を提供することが可能な薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、基板Ｓを保持する基板ホルダ１３と、基体ホルダ１３の片面側に配置された成膜プロセス領域２０，成膜プロセス領域３０，反応プロセス領域６０と、基板ホルダ１３を挟んで成膜プロセス領域２０、成膜プロセス領域４０，反応プロセス領域６０のそれぞれ反対側に形成された成膜プロセス領域３０，成膜プロセス領域５０，反応プロセス領域７０と、を備えている。成膜プロセス領域２０，成膜プロセス領域４０，反応プロセス領域６０において形成される薄膜による基板の湾曲を、成膜プロセス領域３０，成膜プロセス領域５０，反応プロセス領域７０において基板の反対側の面に同時に薄膜を形成することで、薄膜の内部応力による基板の湾曲を相殺しつつ、基板の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 回転軸を中心に回転する基体ホルダを有する薄膜形成装置において、膜厚にばらつきが生じにくい薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜形成装置は、回転ドラム１３の外周面に複数の基板を保持しているとともに、回転ドラム１３の回転軸にロータリーエンコーダ１００が設けられている。ロータリーエンコーダ１００は回転ドラム１３の回転位置情報を薄膜形成処理制御手段１１０に出力する。薄膜形成処理制御手段１１０は、薄膜形成処理開始時の回転ドラム１３の回転位置と一致する回転位置で薄膜形成処理の停止を行う。すべての基板に対して同じ回数の薄膜形成処理を行うことができるため、基板間で膜厚のばらつきが生じにくい。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ中のある程度の割合のイオンを薄膜に接触させて成膜の形成を行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、真空槽１１の前記開口１１ａに対応する位置に設けられ真空槽１１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段８０と、真空槽１１内で基体を保持する基体保持手段１３と、プラズマ発生手段８０と基体保持手段１３との間に設けられたイオン消滅手段９０を備える。プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨んだときの、イオン消滅手段９０がプラズマ発生手段８０に対して基体保持手段１３を遮蔽する面積は、プラズマ発生手段８０から基板ホルダ１３を臨む残余の面積よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】 安定した成膜プロセスを実現することによって、高い効率で薄膜を形成することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】 基体保持手段（１３）と、基体保持手段（１３）に対向して設けられて原料蒸発物を発生させる蒸着源（２０）と、を備える蒸着装置１である。
蒸着源（２０）に対峙した基体保持手段（１３）の最大幅（ｄ）に対して、蒸着源（２０）のと基体保持手段（１３）の距離（ｈ）の比率が１未満である。 （もっと読む）

【課題】 複数の膜原料物質からなるターゲットをスパッタリングすることにより、中間屈折率を有する薄膜を形成する薄膜形成方法において、形成すべき中間屈折率の調整・変更が容易な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 三以上の成膜プロセス室と反応プロセス室を有し、これらの間で基板を順次移動させて処理を行い基板に薄膜を形成するスパッタ装置を用いた薄膜形成方法であって、異なる膜原料物質からなる三以上のターゲットをスパッタリングすることによって基体上に形成される薄膜が所望の屈折率となるように、前記三以上のターゲットから供給される膜原料物質の供給量の割合を設定する供給量設定工程と、それぞれの成膜プロセス室でスパッタリングすることにより基体上に中間薄膜を形成し、反応プロセス室において中間薄膜と反応性ガスの活性種とを反応させて最終薄膜を形成する最終薄膜形成処理を行なう膜形成工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 成膜中においても基板表面近傍から基板表面を効率的に加熱することが可能な膜形成装置を提供する。
【解決手段】 真空槽１と、該真空槽内に配設された蒸着源３と、真空槽１内に設置され基板Ｓを保持する基板ホルダ２と、蒸着源３と基板ホルダ２との間に設置された補正板１１と、電源から電力の供給を受けて基板Ｓを加熱するためのヒータ１３と、を有する膜形成装置において、ヒータ１３を補正板１１における基板ホルダ２に対向する面に設ける。 （もっと読む）

【課題】 異常放電の少ない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空槽１１に設けられた排気口１１ｄからの排気と、成膜プロセスゾーン２０への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット２９ａ，２９ｂに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。成膜プロセスゾーン２０へのスパッタガスの導入は、排気口１１ｄから近い位置に設けられた第１のスパッタガス導入管２ａからのスパッタガスの導入と、排気口１１ｄから遠い位置に設けられた第２のスパッタガス導入管２ｂからのスパッタガスの導入とで行う。第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 （もっと読む）