【課題】 ランダムアクセスメモリの構成において、読み出し時の半選択状態に対しても動作マージンが広く、且つ単極性の入力信号で動作可能な超伝導記憶セルを提供する。
【解決手段】 書き込みゲートと第１のジョセフソン接合を含む第１の超伝導ループと、第１のジョセフソン接合を含む第２の超伝導ループと、第２の超伝導ループに磁気的に結合するように配置された読み出しゲートと、第１の超伝導ループに磁気的に結合するように配置された少なくとも１本の制御配線とから構成され、第１の超伝導ループの全インダクタンス値と書き込みゲートの超伝導臨界電流値の積が単一磁束量子Φ_０以上になるように設定され、第２の超伝導ループの全インダクタンス値と第１のジョセフソン接合の超伝導臨界電流値の積が単一磁束量子Φ_０以下になるように設定されたことを特徴とする超伝導記憶セル。 （もっと読む）

【課題】 ＲＥ系酸化物超電導線材の優れた輸送特性を損なうことなく、かつ、接合後の酸素アニールなどの処理を不要とし、簡便に、しかも、再現性よく低抵抗の接合部を形成できる接合方法を提供する。
【解決手段】 金属材料で被覆されているＲＥ系酸化物超電導線材と金属材料又は金属材料で被覆されている部材（ＲＥ系酸化物超電導線材を含む）を接合する接合方法において、（ｉ）酸化性雰囲気中にて、（ii）接合部の金属表面を直接重ねた接合面に熱エネルギーを付与するとともに圧力を負荷して接合面を接合する。但し、ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、及び、Ｙのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】超電導特性を安定して備え、単芯又は多芯線材の素線として使用し得る長尺のＲＥ１２３系酸化物超電導体、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＲＥ₂ＢａＯ₄とＢａ_x−Ｃｕ_y−Ｏ_z系原料の混合原料を用いて形成したＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ系酸化物超電導体を含む導電層、及び、該導電層を保持する保持部材からなることを特徴とするＲＥ１２３系酸化物超電導体。但し、ＲＥは、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選択される１種又は２種以上の元素 （もっと読む）

【課題】 大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。
【解決手段】 最上層の超伝導グランド層である第１の超伝導グランド層（Ｍ７）上に、ジョセフソン接合（ＪＪ）を含んだ超伝導ループと、複数層の超伝導配線層（Ｍ８〜Ｍ11）と、第１の抵抗層（ＲＥＳ１）とを有している。第１の超伝導グランド層（Ｍ７）下に、複数の超伝導配線層（Ｍ２、Ｍ４、Ｍ６）と、複数の超伝導グランド層（Ｍ１、Ｍ３、Ｍ５）と、第２の抵抗層（ＲＥＳ２）とを有している。 （もっと読む）

【課題】幅方向に均一な超電導特性を有する大面積（幅広）のテープ状酸化物超電導線を高速で製造する。
【解決手段】一対のリール５ａ、５b間にテープ状線材６を掛け渡し、反応性ガス供給管３aのガス供給孔からテープ状線材の上部側の膜面に対して垂直方向から反応性ガスを供給してテープ状線材の膜体を超電導層に反応させるとともに、同時に反応後のガスの排出管４a、４bのガス排出孔から反応後のガスを排出する。同様に、テープ状線材６の下部側の膜面に対して垂直方向から反応性ガスを供給し、テープ状線材の膜体を超電導層に反応させるとともに、同時に反応後のガスの排出管４c、４dのガス排出孔から反応後のガスを排出する。 （もっと読む）

【課題】 データ信号及びリセット信号として単一磁束量子（ＳＦＱ）パルスの入力により動作し、所望のレベル信号を出力できる直流電源で動作可能な超伝導ドライバ回路を提供する。
【解決手段】 単一磁束量子（ＳＦＱ）パルスの入力を受けて複数の単一磁束量子（ＳＦＱ）を発生する増幅ゲート（ＡＭＰ）と、増幅ゲート（ＡＭＰ）で発生した複数の単一磁束量子（ＳＦＱ）パルスが入力側に戻ることを防ぐバッファゲート（ＢＵＦ）と、増幅ゲート（ＡＭＰ）で発生した複数の単一磁束量子（ＳＦＱ）パルスにより一時的に電圧状態にスイッチする磁気結合型量子干渉ゲート（ＳＱＵＩＤ）とで構成されるドライバゲート及び同様の構成のリセットゲートを用いることで、単一磁束量子（ＳＦＱ）パルスの入力により動作し、所望のレベル信号を任意の特性インピーダンスを有する被駆動線路に出力でき、且つ直流電源で動作可能な超伝導ドライバ回路を実現する。 （もっと読む）

【課題】直流電源で動作する際、複雑なタイミングシーケンスを必要とせずバイアス電流の動作マージンが大きい、単一磁束量子（ＳＦＱ）パルス出力の取得を可能とする。
【解決手段】 超伝導ランダムアクセスメモリのセンスライン３とバイアス抵抗Ｒ_Ｂ１と負荷抵抗Ｒ_Ｌと負荷インダクタンスＬ_Ｒとを含むセンスライン情報検出部１とＳＦＱ素子で形成されたＲＳフリップフロップ２とから構成され、一端を接地面に接続するセンスライン３と一端を直流電流供給端子Ａに接続するバイアス抵抗Ｒ_Ｂ１とは接続点Ｃで接続され、接続点ＣとＲＳフリップフロップ２のデータ信号入力端との間に負荷抵抗Ｒ_Ｌと負荷インダクタンスＬ_Ｒとが直列に接続されている。センスライン情報検出部１は、複数が並列配備され一つのＲＳフリップフロップ２に接続される構成とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 大規模なＲＡＭの構成においても超高速で且つ超低消費電力を実現可能とする。
【解決手段】 超伝導ＲＡＭの構成は、メモリセルアレイにアクセスするワード線、ビット線等の駆動線及びセンス線のそれぞれを複数のブロックに分割し、そのブロック内の信号伝搬にはそれぞれ負荷駆動能力の高いレベル論理のドライバ回路及びセンス回路を有するブロック内信号伝搬回路（ＤＲ）３を用いており、更に、長距離のブロック間の信号伝搬には高速動作が可能な単一磁束量子（ＳＦＱ）素子で構成された超伝導パッシブトランスミッションライン（ＰＴＬ）２を使用している。その結果、全体としての高速動作を可能にする。これにスプリッタ（Ｓ）又はコンフルエンスバッファ（Ｃ）、及びラッチ回路（ＤＬ）を追加して用いることができ、更にバイナリーツリー構成を採用してもよい。 （もっと読む）

【課題】 長時間成膜しても長手方向の超電導層膜厚分布が均一となり、超電導特性が長手方向で均一な酸化物超電導線材を製造することができる製造方法及び製造装置の提供。
【解決手段】 蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体または酸化物超電導体と近似組成のターゲット１５にレーザ光３０を照射して前記ターゲットから発生させた粒子を前記ターゲット近傍を移動中のテープ基材上に堆積させて超電導層を形成する際に、異なる場所のターゲットの構成粒子が叩き出されるか蒸発するように前記ターゲットをその中心軸を中心に回転させる回転運動と前記ターゲットを前記中心軸と交差する面に沿って移動させる並進運動を併用してレーザ蒸着を行い酸化物超電導線材を製造する方法において、前記ターゲットの並進運動の移動範囲をレーザ蒸着の経時とともに縮小することを特徴とする酸化物超電導線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 複数の水銀系超電導膜を備えた超電導積層体およびその製造方法、超電導積層体を有するジョセフソン接合素子および電子装置を提供する。
【解決手段】 超電導積層体１０は、基板１１と、基板１１上、第１超電導膜１２と、絶縁膜１３と、第２超電導膜１４が順次積層して構成され、第１超電導膜１２および第２超電導膜１４が水銀系超電導膜からなり、絶縁膜１３がＣｅＯ₂、ＳｒＴｉＯ₃、（ＬａＡｌＯ₃）_0．3−（ＳｒＡｌ_0．5Ｔａ_0．5Ｏ₃）_0．7（ＬＳＡＴ）、および（ＳｒＡｌ_0．5Ｔａ_0．5Ｏ₃）_0．7（ＳＡＴ）から選択される。第１超電導膜１２と、絶縁膜１３と、第２超電導膜１４は、それぞれ下地に対してエピタキシャル成長してなる。 （もっと読む）