【課題】 金属酸化物半導体（MOS）トランジスタとその形成方法を提供する。
【解決手段】 多重ゲートトランジスタは、基板、第１半導体材料で形成された中央フィン、及び中央フィンの対向側壁上の第１部分と第２部分を含み、第１半導体材料とは異なる第２半導体材料を包含する半導体層を含む基板上の半導体フィン、この半導体フィンの側壁の周囲を包むゲート電極、及び半導体フィンの対向端のソース領域とドレイン領域を含み、中央フィンと半導体層の各々は、ソース領域からドレイン領域に延伸する。 （もっと読む）

【課題】処理工具により使用される消耗材料からなるスラブの寿命検出システムと方法を提供する。
【解決手段】ウェハに対してプロセスを進行する処理工具の動作中に、少なくとも１個の検出器により発生する信号値が、設定値に等しいか、設定値を超えているかの判断がなされる。第１予告は、前記信号値が予告設定値に等しいか、または予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられ、プロセス終了後に処理工具の動作を停止して、残余のプロセスしうるウェハロットの数をＸに設定する。警告は、前記信号値が警告設定値に等しいか、または警告設定値を超える場合に発せられ、プロセス終了後に処理工具の動作を停止して、残余のプロセスしうるウェハロットの数をＺに設定する。ここでは、Ｚ＜Ｘとなる。 （もっと読む）

【課題】センサ素子の感度を増強することができる背面照射光半導体デバイスを提供する。
【解決手段】デバイス100は、前面と背面を有する半導体基板110と、前記半導体基板110の前面に形成されるセンサ素子120と、前記センサ素子120の上部を覆って配置される光反射層（ＬＲＬ）130とを有する。このＬＲＬ130は、前記背面に向かいセンサ素子120を通り抜ける光を反射するために設けられている。 （もっと読む）

【課題】 レベルシフタ、集積回路、システムおよびレベルシフタの動作方法を提供する。
【解決手段】 第１電圧状態から第２電圧状態への第１状態遷移を含む入力電圧信号を受けるように構成された入力端、第３電圧状態から入力電圧信号の第１状態遷移に対応した第２電圧状態への第２状態遷移を有する出力電圧信号を出力するように構成された出力端、及び入力端と出力端の間に結合され、第１トランジスタと第２トランジスタを含み、第１電圧状態と第２電圧状態の電圧レベルの約平均値に対応した時間からほぼ直ちに、第２電圧状態がトランジスタのゲートに実質的に印加されることがなくなり、第１トランジスタを実質的にオフにするドライバ段を含むレベルシフタ。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）セルとその製造方法を提供する。
【解決手段】スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）セルの複数のトランジスタのアクティブ領域の縦軸は全て平行である。第一線形イントラセル接続は、第一プルダウントランジスタＰＤ−１、第一プルアップトランジスタＰＵ−１、及び、第一パスゲートトランジスタＰＧ−１の各アクティブ領域を、第二プルダウントランジスタＰＤ−２のゲート電極１１８と第二プルアップトランジスタＰＵ−２のゲート電極１１６に電気的に結合する。第二線形イントラセル接続は、第二プルダウントランジスタＰＤ−２、第二プルアップトランジスタＰＵ−２、及び、第二パスゲートトランジスタＰＧ−２の各アクティブ領域を、第一プルダウントランジスタＰＤ−１のゲート電極１１２と第一プルアップトランジスタＰＵ−１のゲート電極１１０に電気的に結合する。 （もっと読む）

【課題】結晶物質の非極性面から形成される装置とその製作方法を提供する。
【解決手段】III-V半導体結晶物質の非極性面、又は表面に対応するアクティブ領域を用いてLEDなどの半導体装置を提供し、アクティブダイオード領域は、極性面向きのIII-V材料よりも、非極性面向きの非極性III-V材料をより多く含み、あるいは、底部領域は、アクティブ領域に面するGaNの極性ｃ面表面エリアよりも、GaNの非極性のｍ面、又はａ面表面エリアをより多く含む。 （もっと読む）

【課題】半導体の酸化物を安定化させることができる上、欠陥密度が低くて電子移動度が高い誘電体層を得て、デバイスの信頼性及び性能を大幅に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０内に設け、第１のゲルマニウムドープト領域を含む第１の電極と、第１の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第１の誘電体層２３と、第１の誘電体層２３上に設ける第２の電極とを備える。第１の電極及び第２の電極によりキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン貫通ビア（TSV)を用いて半導体ダイ接続部を作製するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】隣接するダイ５０１、５０５、５０７同士の間のダイ接続部に対して低抵抗経路を確立するとともに、複数のダイの間の貫通チャネルに対して低抵抗経路を提供するために、ビアファーストのTSV４０１およびビアラストのTSV４０３の両方を用いて半導体ダイが製造される。 （もっと読む）

【課題】 結合コプレナ導波路構造を含む装置を提供する。
【解決手段】 １つ以上の信号線に近接し、前記信号線と互いに本質的に平行し、且つ第１方向に沿って実質的に向けられる１つ以上のアース線を備え、前記１つ以上の信号線のうちの少なくとも１つに含まれる周期的構造は交互セグメントを備え、前記交互セグメントのうちの少なくとも１つが第１方向を横断する第２方向に延長することを特徴とするコプレナ導波路構造。 （もっと読む）