説明

サン−ゴバン グラス フランスにより出願された特許

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【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板(1)、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および/または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源(4)からの少なくとも一つのイオンビーム(3)への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることができる。 (もっと読む)


【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板(1)、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および/または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源(4)からの少なくとも一つのイオンビーム(3)への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することもできる。 (もっと読む)



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本発明は、少なくとも1つのプロセスエリア内に少なくとも1つのプロセスツールが配置される処理システムにおいて基板を処理するためのデバイスに関し、ツールは、少なくとも略垂直に位置合わせされるプロセスエリア内で互いに向かい合って配置される2つの基板レベルを有し、デバイスは、プロセスエリア内でプロセスツールによって少なくとも2つの基板を同時に処理するように適合化され、基板は、基板のコーティングが互いに対面しかつ少なくとも処理中は基板間に準閉鎖処理空間が形成されるように、基板レベル内に配置されることが可能である。本発明はさらに、処理システムにおいてコーティングされた基板を処理するための方法に関し、基板はコーティングを有し、かつ基板は各々、基板のコーティングが互いに面しかつ少なくとも処理中は基板間に準閉鎖処理空間が形成されるように互いに向かい合って配置される。
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本発明は、電気接続素子を備えた窓ガラスに関し、窓ガラスは、
第1の熱膨張率を備えたガラス(1)からなる基板と、
基板(1)のある領域に5μm〜40μmの層厚みを備えた導電性構造(2)と、
第2の熱膨張率を備え、第1の膨張率と第2の膨張率との差が5×10−6/℃未満である接続素子(3)と、
接続素子(3)を導電性構造(2)のサブ領域に電気的に接続するハンダ材料(4)の層と、を含み、
50μmの層厚みtを超えるハンダ材料(4)は、接続素子(3)と導電性構造(2)との間の中間スペースから、接続素子(3)の接触面に対して1mm未満の流出幅bで流出する。
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本発明は、光起電力特性を有する少なくとも1つの層(5)、及び、該光起電力層(5)の両側に配置されている、一方が下部層(3)であり、他方が上部層(6)である、電極を形成している2つの層(3,6)を含む、多重層(30)を保護する少なくとも1つの透明ガラス基材(10)を含む、光電池セル(100)に関する。前記下部電極層(3)は置換されている酸化亜鉛を含む又はからなるTCOであり、前記下部電極層は、特にAl、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr及びGeから選ばれる元素又はこれらの異なる元素の組み合わせからなる。前記光電池セルは、前記基材(10)と前記下部電極層(3)との間に、誘電性材料の少なくとも2つの連続した層をも含み、その第一の層又は1組の第一の層(1)は、ガラス基材から出てくる、特に、テンパリングもしくはアニーリングの間に出てくるアルカリに対するバリアを形成する少なくとも1つの材料から作られていることを特徴とする。第二の誘電性材料層(2)は窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN又はその両方の化合物の混合物を含む又はからなる。AlN、GaN又はその両方の化合物の混合物から作られた前記層(2)は前記下部電極層(3)に接触している。
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本発明は、電気接続素子を備えた窓ガラスに関し、窓ガラスは、
第1の熱膨張率を備えたガラス(1)からなる基板と、
基板(1)のある領域の5μm〜40μmの層厚みを備えた導電性構造(2)と、
第2の熱膨張率を備え、第1の膨張率と第2の膨張率との差が5×10−6/℃未満である接続素子(3)と、
接続素子(3)を導電性構造(2)のサブ領域に電気的に接続するハンダ材料(4)の層と、を含み、
50μmの層厚みtを超えるハンダ材料(4)は、接続素子(3)と導電性構造(2)との間の中間スペースから、接続素子(3)の接触面に対して1mm未満の流出幅bで流出する。
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本発明は、各々が少なくとも1つの処理対象面を有する少なくとも2つの多層体を位置決めする器具を備える、たとえば処理ボックスまたは処理フードなど、縮小チャンバ空間を形成する装置に関し、器具は多層体が互いの反対側にあるように設計されており、処理対象面は、多層体が処理システム内で多層体配列として処理されることが可能なように、互いと反対の方を向いている。本発明はさらに、多層体が互いの反対側にあるように、このような縮小チャンバ空間を形成する装置内に2つの多層体が設けられた状態で、各々が少なくとも1つの処理対象面を有する少なくとも2つの多層体を位置決めする方法にも関し、処理対象面は、少なくとも2つの対象物が処理システム内で多層体配列として処理可能なように、互いと反対の方を向いている。
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本発明は、各々が少なくとも1つの処理対象面を有する少なくとも2つの多層体、ならびに多層体を位置決めするための少なくとも1つの装置を含む、多層体配列に関し、装置は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして処理対象面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように構成されており、そこで処理が行われる。本発明はさらに、このような多層体配列を用いて多層体を処理するシステム、ならびに多層体を処理する方法にも関し、多層体は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして表面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように設けられており、そこで処理が行われる。
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