コーティング溶液において金属または酸化物の層で基板表面をコーティングする方法であって、ここで、溶液が少なくとも１つの成分を含み、その密度がコーティング処理の過程で変化し、その結果、溶液の品質を維持するためにそれを補充または除去しなければならないものであって、前記成分の補充および／または除去が溶液の組成物の密度に応じて行われることを特徴とするもの。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）

Ｓｎ^２＋イオン源、Ａｇ^＋イオン源、チオ尿素化合物及び／或いは第４級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Ｓｎ−Ａｇ合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 （もっと読む）

超小型電子デバイスの製造において金属基材の基板上にＣｏまたはＣｏ合金を析出するための無電解めっきの方法および組成物であって、Ｃｏイオンの供給源、基板上へ析出イオンを金属に還元する還元剤、およびオキシム基剤の化合物安定剤を用いるものである。 （もっと読む）

被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 （もっと読む）

当該機構の導電性の底部上のＣｏ金属への還元により開始されるボトムアップ充填による、Ｃｏイオンおよび還元剤を含む組成物からの無電解析出からなる、スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法。高アスペクト比のスタック・メモリ・セル配線機構中でＣｏを無電解的に析出するための無電解析出組成物であって、該組成物が、水、Ｃｏイオン、錯化剤、緩衝剤、ボランを主材料とする還元剤成分、および次亜リン酸塩還元剤成分を含むもの。約０．５未満の次亜燐酸還元剤に対するボランを主材料とする還元剤の濃度比が存在する。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約９５℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約３０分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫（ＩＩ）イオンおよび、錫（ＩＩ）イオンの錫（ＩＶ）イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 （もっと読む）