【課題】植物を用いた金属回収のための方法を提供する。
【解決手段】ヒョウタンゴケ科に属するコケ植物由来の原糸体を、銀よりイオン化傾向が低い金属を溶解した金属含有溶液と接触させることを含む、前記金属の回収方法。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な構造で、パルス列レーザー光、テラヘルツ波またはミリ波を発生させることができる電磁波発生装置と電磁波発生方法を提供する。
【解決手段】空間分布パルス列変換装置２０と集光レンズ２６を備える。空間分布パルス列変換装置２０は第１および第２のミラー２２，２４を有し、第１ミラー２２は一部で密接する境界線２３を跨いで段差部を有する第１と第２の反射面２２ａ，２２ｂを有する。この空間分布パルス列変換装置２０により、入射するフェムト秒レーザーパルス又はピコ秒レーザーパルスのパルスレーザーを、境界線２３を跨ぐ反射面２２ａ，２２ｂでの反射により段差間隔に比例する時間差で空間的に分布した複数のパルスレーザー光からなる空間分布パルス列レーザー光３に変換する。集光レンズ２６は、空間分布パルス列レーザー光３を集光して同軸上に時間的に等間隔な複数のパルスレーザー光からなる同軸パルス列レーザー光４を生成する。 （もっと読む）

【課題】哺乳類の血漿中に存在し体内時刻を指示する新規なインジケーター、及びその利用方法を提供すること。
【解決手段】哺乳類の血漿中に含まれ、その存在量が概日性の周期をもって変動をする、体内時刻のインジケーターであって、１）実施例の記載に従いＬＣ−ＭＳ分析をした結果取得される、表１中に示す代謝産物；及び、２）実施例の記載に従いＣＥ−ＭＳ分析をした結果取得される、表３中に示す代謝産物；からなる代謝産物群から選択される少なくとも一つのインジケーターと、その利用方法とを提供する。 （もっと読む）

【課題】多様な対象に対して汎用性に富んだ領域抽出を行うことができる、画像処理装置、画像処理方法、および、プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画像データの画像が表示部に表示されるよう制御し、表示された画像上で入力部を介して指定される注目領域を受け付け、注目領域の画像データを取得し、複数の領域抽出アルゴリズムを用いて、領域抽出アルゴリズム毎に画像データから抽出される抽出領域を生成し、抽出領域の画像データを取得し、抽出領域の画像データと注目領域の画像データとを比較して、当該画像データ間の類似度が最も高い領域抽出アルゴリズムを選択し、選択した領域抽出アルゴリズムを用いて抽出した領域の画像データを表示部に出力する。 （もっと読む）

【課題】例えば半球面に近い深い凹球面を、高平滑かつ高精度な凹球面に高能率に加工することができる凹球面研削加工装置と方法を提供する。
【解決手段】表面が導電性砥石１３からなり所定の直径と真円度を有する球形工具１２と、球形工具の中心より下方部分を遊動可能に保持する工具保持具１４と、球形工具の中心より上方部分と接触する半球状の上凹穴を有するワークを保持するワーク保持具１８と、ワーク保持具又は工具保持具を移動し球形工具とワークの相対位置を調整する相対位置調整装置２０と、球形工具の表面を電解ドレッシングするＥＬＩＤ装置２２と、球形工具をその表面に沿ってランダムに駆動するランダム駆動装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】高品質のＡｌＧａＩｎＮ層からなる窒化物半導体層を形成することが可能な窒化物半導体層の製造方法、および、より高品質のＡｌＧａＩｎＮ層からなる窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１の上記一表面側にｎ形窒化物半導体層３と窒化物半導体発光層６とｐ形窒化物半導体層７とを有し、窒化物半導体発光層６およびｐ形窒化物半導体層７がＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）を有する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、窒化物半導体発光層６およびｐ形窒化物半導体層７それぞれの窒化物半導体層であるＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層を成長速度が０．０９μｍ／ｈよりも小さくなる条件で成長させている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＧａＮ半導体を有する半導体発光素子の発光効率を向上する。
【解決手段】半導体発光素子１は、発光領域３と、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体（０≦Ｘ１≦１）層５と、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層７とを備える。この半導体発光素子１では、発光領域３は、III族窒化物半導体からなり、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層を含む。第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）といったｐ型ドーパントでドープされており、発光領域３上に設けられている。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体層７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５のｐ型ドーパント濃度より小さいｐ型ドーパント濃度を有する。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体層７は、発光領域３と第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】腫瘍、とりわけグリオーマ、特に多形神経膠芽腫（ＧＢＭ）または退形成性オリゴデンドログリオーマにおける腫瘍形成を調節する遺伝子およびその産物を見出し、腫瘍、とりわけグリオーマ関連疾病の治療または予防に有用な組成物およびその方法の提供。
【解決手段】ｓｏｘ１１遺伝子またはその産物を含む、グリオーマ関連疾病を治療または予防または予防するための医薬組成物、ｓｏｘ１１遺伝子が導入された、あるいはｓｏｘ１１遺伝子の産物の作用を促進させる因子で処理された細胞。さらに、グリオーマ細胞培養条件下で、ｓｏｘ１１遺伝子を発現している、あるいは発現する能力のあるグリオーマ細胞に候補物質を投与し、次いで前記細胞におけるｓｏｘ１１遺伝子またはその産物の存在または量を調べる工程を含む、グリオーマ関連疾病の治療または予防候補物質をスクリーニングする方法。 （もっと読む）

【課題】植物において二次細胞壁の厚さを増大するための方法を提供する。
【解決手段】管状要素分化（ＴＥＤ）関連タンパク質またはそのＣ末端断片を用いて植物の二次細胞壁の厚さを増大させるための方法であって、ＴＥＤ６とＴＥＤ７の組み合わせ、ＴＥＤ６のＣ末端断片、ＴＥＤ７のＣ末端断片、およびＴＥＤ６のＣ末端断片とＴＥＤ７のＣ末端断片の組み合わせからなる群から選択されるタンパク質をコードするＤＮＡを発現可能に含むトランスジェニック（Ｔｇ）植物を作出し、該ＤＮＡを該植物内で発現させることを含む方法、ならびに、Ｔｇ植物およびその後代、細胞、組織または種子。 （もっと読む）