【課題】 ウエットプロセスであって、樹脂フィルム等のフィルム基材にも適用できる低温での成膜が可能であり、かつ、ダイレクトパターニングおよび均一な厚みの膜形成を低コストで容易に行うことのできるパターン膜形成方法、装置と材料および製品を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン膜形成方法は、基材の表面に所望のパターンを有する膜を形成する方法であって、前記基材７に熱を持たせた状態で、膜形成材料を含むインク２をノズル１ａから前記基材７の表面に供給することで、前記基材７の表面に所望のパターン８を形成することを特徴とし、本発明のパターン膜形成装置は、膜形成材料を含むインクをノズルから基材表面に供給する手段と、前記基材を加熱する手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

強い相互作用にて互いに引き合った状態の複数の炭素系微細構造物が集合した集合体であって、その取り扱い性や加工性を向上させることができる程度の長さの集合体を提供する。本発明の炭素系微細構造物の集合体は、複数の炭素系微細構造物が集合したものであり、各炭素系微細構造物が同一方向に配向している。 （もっと読む）

流動性化合物の流動性を自在に制御し得るゲル化制御剤及びゲル化制御方法を提供する。流動性化合物に添加されるゲル化制御剤であって、ゲル化制御剤を含有する流動性化合物を、超音波照射によって液体状態からゲル状態に変化させる。ゲル状態に変化した流動性化合物は、加熱することによって、再び、液体状態に戻る。 （もっと読む）

オオムギの詳細な連鎖地図を作成し、ＱＴＬ解析を行なうことにより、オオムギ１Ｈ染色体上に座乗する大麦縞萎縮病抵抗性に関与する遺伝子座に連鎖する５つの遺伝マーカーと、オオムギ２Ｈ染色体上に座乗する大麦縞萎縮病抵抗性に関与する遺伝子座に連鎖する２つの遺伝マーカーと、オオムギ３Ｈ染色体上に座乗する大麦縞萎縮病抵抗性に関与する遺伝子座に連鎖する５つの遺伝マーカーと、オオムギ４Ｈ染色体上に座乗する大麦縞萎縮病抵抗性に関与する遺伝子座に連鎖する４つの遺伝マーカーと、オオムギ５Ｈ染色体上に座乗する大麦縞萎縮病抵抗性に関与する遺伝子座に連鎖する２つの遺伝マーカーとを見出した。 （もっと読む）

本発明は、α−アミノオキシケトン及びアルファ−ヒドロキシケトン化合物を製造する方法を対象とする。合成経路は通常、式（IV）：


［上式中、Ｘ^１〜Ｘ^３は独立に、窒素、炭素、酸素又はイオウを表し、Ｚは、置換基を伴うか伴わない４〜１０員環を表す］の触媒の存在下に、アルデヒド又はケトン基質とニトロソ基質とを反応させるステップ及び場合によって、生じたα−アミノオキシケトン化合物をαヒドロキシケトン化合物に変換させるさらなるステップを必要とする。本発明は、α−アミノオキシケトン及びアルファ−ヒドロキシケトン化合物を高いエナンチオ選択性及び高純度で生じさせる。本発明はさらに、触媒による不斉Ｏ−ニトロソアルドール／マイケル反応を対象とする。この反応の基質は通常、環式α，β−不飽和ケトン基質及びニトロソ基質である。この方法論は通常、プロリンベースの触媒の存在下に環式α，β−不飽和ケトン基質とニトロソ基質とを反応させて、複素環式生成物を得ることを含む。
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ＧａＮ（●）の光触媒活性はＴｉＯ_２やＳｒＴｉＯ_３（Ｏ）に比べて大きく、また、ＧａＮにＩｎＮを混合した混晶薄膜のバンドギャップエネルギーは可視光のフォトンエネルギーに対応し紫外光と可視光の両方を吸収して光触媒作用を生じるので、極めて効率の良い光触媒である。 （もっと読む）

単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空（２×１０^−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際、ＭｇＯの電子ビーム蒸着を用いた。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２１は、上部電極２３の上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。これによりＭＲＡＭの出力電圧値を高めることができる。 （もっと読む）

多量に生成した量子ドットを、光学的に応用する場合に要求されるパーセントオーダー以下のサイズで制御できる量子ドットの操作方法および生成操作装置を提供する。 内部に超流動ヘリウム（７）を備えた量子ドット生成操作装置（１）内にて、固体（３）にドット生成用レーザー光（４ａ）を照射して量子ドットを生成し、生成された上記量子ドットにドット操作用レーザー光（５ａ）を照射して当該量子ドットを操作する。 （もっと読む）

本発明の目的は、プロトン化したシトシン塩基の水素結合様式を正確に模倣し、かつ高い三重鎖形成能をもつ人工核酸を提供することである。
本発明は、下記の一般式Ｉで表される核酸誘導体又はそれらの互変異性体に関する。
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