【課題】導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。メタライズ配線１２は、メタライズ層１２１と、絶縁層１２２とを含んでいる。メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。電子部品１４は、メタライズ配線１２のメタライズ層１２１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】バンプを排除した積層構造を備える電子デバイス、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１は、積層された複数枚の基板１１〜１３を含む。複数枚の基板は、それぞれ、板面を重ね合わせて積層され、１以上の貫通電極２を含んでいる。また、１以上の貫通電極２は、複数枚の基板１１〜１３のうち、２枚以上の基板１１〜１３にわたって延在する連続導体である。本発明に係る電子デバイス１は、このように、各基板の板面同士が重ね合わせられ、２枚以上の基板１１〜１３にわたって延在する連続導体である貫通電極２を備えている。したがって、本発明に係る電子デバイスは、複数枚の基板１１〜１３が、バンプを用いることなく、積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】凝固点が低く低温溶融作業が可能でありながら、凝固後の融解点が高くなる温度階層（hierarchy）を有する電気伝導体用合金材料、この合金材料による電気伝導体を有する回路基板、この回路基板を用いた電子デバイス及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】微細空間を充填する合金材料であって、Ｂｉと、Ｓｎと、Ａｇとを含有し、融解点が２５７℃以上で、凝固点が２４０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、動作時の発熱によって、接合強度が低下したり、或いは、電気的特性が変動するといった問題を生じにくい信頼性の高い電子部品支持装置及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１は、貫通電極２１と、複数の柱状ヒートシンク３とを含み、一面に電子部品配置領域となる凹部１１を有している。貫通電極２１は、基板１を厚み方向に貫通し、一端が凹部１１の内面に露出している。柱状ヒートシンク３は、基板１の厚み方向に設けられ、凹部１１の周りを取り囲むように、互いに微小間隔をおいて配置され、それぞれの一端が、基板１の他面に付着された放熱層５１に共通に接続されている。電子部品６は、基板１の凹部１１の内部に配置され、一面に設けた電極６０１が貫通電極２１の一端に接続されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、動作時の発熱によって、搭載電子素子の接合強度が低下したり、或いは、電気的特性が変動するといった問題を生じにくい信頼性の高い電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１は、第１基板層１１、絶縁層１２及び第２基板層１３を、この順序で積層した構造を含んでいる。第２基板層１３の表面の面内に、電子素子を取り付ける凹部１３１が設けられている。貫通電極２は、第１基板層１１及び絶縁層１２を貫通し、端部が凹部１３１の底面に露出している。柱状ヒートシンク３のそれぞれは、第１基板層１１の厚み方向に設けられた縦孔１１３内に充填されている。縦孔１３１は、第１基板層１１を貫通して第１基板層１１と絶縁層１２との境界で止まるように設けられ、基板１を平面視して、所定の面積占有率をもって凹部１３１の周りに分布している。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、発光動作時の発熱によって、接合強度が低下したり、或いは、発光特性が変動するといった問題を生じにくい信頼性の高い発光デバイスを提供すること。
【解決手段】支持基板１は、貫通電極21、22と、複数の柱状ヒートシンク３とを含み、一面に発光素子配置領域（凹部）11を有している。貫通電極21、22は、支持基板１を厚み方向に貫通し、一端が凹部11の内面に露出している。発光素子６は、光出射面となる一面とは反対側の他面に、Ｐ型半導体層及びＮ型半導体層を積層した構造を含み、支持基板１の凹部11内に配置され、Ｐ型半導体層のＰ側電極64が、貫通電極22の一端に接続され、Ｎ型半導体層のＮ側電極63が貫通電極21の一端に接続されている。柱状ヒートシンク３は、支持基板１の厚み方向に設けられ、発光素子配置領域を取り囲んで、その周りに互いに間隔をおいて配置され、それぞれの一端が、支持基板１の他面に付着して一体に設けられた放熱体51に共通に接続されている、 （もっと読む）

【課題】真球に近く且つ粒度が揃った微小球状金属粒子の製造方法に関するもので、特にナノコンポジット構造を有する微小球状金属粒子を製造するに適した方法を提供する。
【解決手段】遠心力により中心部から放射状に遠心場に飛散する溶融金属小滴を、アルゴンを主体とするガスの環状上昇流と遠心場中で強制的に接触させることを特徴とする。具体的には、高速水平回転するディスク４の上に溶融金属を供給し、溶融金属に遠心力を作用させて小滴として放射状に遠心場に飛散させ、ディスクの上面より下方で且つディスクに対して同心円をなす位置に設置されたドーナツ状のガス供給管８に上向き又は斜め上向きに設けたスリット状開口９から放出されるアルゴンを主体とするガスの環状上昇流と遠心場中で強制的に接触させる。 （もっと読む）

【課題】フェイスアップ型の発光素子がサブマウントに実装された発光装置において、ワイヤを用いずに位置精度よく実装すること。
【解決手段】発光装置は、III 族窒化物半導体からなるフェイスアップ型の発光素子１と、サブマウント２で構成されている。発光素子１は貫通孔１７、１８を有し、サブマウント２は２つの棒状電極２２を有している。サブマウント２の棒状電極２２は、発光素子１の貫通孔１７、１８にそれぞれ差し込まれている。棒状電極２２の先端部２２ａは発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６表面から突出し、その先端２２ａは潰されて広がり、発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】応力による半導体回路の特性劣化を抑制した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】縦導体は、半導体基板の厚み方向に設けられた微細孔を満たし、第１結晶組織３０１と第２結晶組織３０２とを含むナノコンポジット結晶構造を有する。ナノコンポジット結晶構造において、第１結晶組織３０１及び第２結晶組織３０２の少なくとも一方は、ナノサイズである。 （もっと読む）