【課題】 イメージセンサの電荷伝送効率を向上させたイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１導電型（Ｐ型）の半導体層２００に形成されたゲート電極Ｔｘと、ゲート電極Ｔｘの一方にアライメントされ、半導体層２００の内部に拡散された、フォトダイオードＰＤを構成する、第２導電型（Ｎ型）の第１不純物領域４０４と、ゲート電極Ｔｘの一方にアライメントされ、半導体層２００の表面から所定の深さに拡散されて形成された、フォトダイオードＰＤを構成する、第１導電型の第２不純物領域４０５、４０８、４１１と、スペーサ４０６とを備え、スペーサ４０６の下方の第１領域４０５の不純物濃度に比べて、ゲート電極Ｔｘから遠くに位置する第２領域４０８の不純物濃度が高く、ゲート電極Ｔｘから第２領域４０８よりもさらに離隔された第３領域４１１における不純物濃度が、第２領域４０８の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 電力消費量の節減が可能で、占有面積を減らすことができる２ビットのバイナリ比較器及び動作速度の向上が可能なバイナリ比較装置を提供すること。
【解決手段】 比較器は、第１及び第２ノードｎｏｄｅ１、２と、イネーブル信号入力端子ＥＮと、比較対象の第１及び第２の入力信号が入力される第１及び第２入力端子Ａ、Ｂと、ソース側が各々第１及び第２入力端子、ゲート側が相互に相手側のソース側に、ドレイン側が第１ノードに接続された第１及び第２ｐＭＯＳトランジスタＭＰ１、ＭＰ２と、一方側が第１ノードに、他方側が接地側に接続され、直列に接続された第１及び第２ｎＭＯＳトランジスタＭＮ１、ＭＮ２と、ソース側が第１ノードに、ドレイン側が第２ノードに接続された第３ｎＭＯＳトランジスタＭＮ３と、ソース側が電源電圧ＶＤＤ側に、ドレイン側が第２ノードに接続された第３ｐＭＯＳトランジスタＭＰ３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの電荷伝送効率を向上させたイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電型（Ｐ型）の半導体層２００に形成されたゲート電極Ｔｘと、半導体層２００内に形成され、フォトダイオードＰＤを構成する、第２導電型（Ｎ型）の第１不純物領域１０５と、ゲート電極Ｔｘの一方にアラインメントされ、半導体層２００の表面から第１深さに拡散された第１導電型の第２不純物領域１０８と、ゲート電極Ｔｘの側壁に形成された第１スペーサ１０９と、第１スペーサ１０９にアラインメントされ、半導体層２００の表面から第１深さよりも深い第２深さに拡散された第１導電型の第３不純物領域１１３と、第１スペーサ１０９の側壁に形成された第２スペーサ１１４と、第２スペーサ１１４にアラインメントされ、半導体層２００の表面から第２深さよりも深い第３深さに拡散された第１導電型の第４不純物領域１１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流の発生を防止した、ＰＭＯＬＥＤを駆動する出力ドライバを提供すること。
【解決手段】低電源電圧端に接続され、入力される電流の値に比例する電流を出力する低電圧アナログ部（３１０）と、高電源電圧端に接続され、前記比例する電流が出力されると通電する高電圧出力ドライバ部（３４０）と、低電圧アナログ部（３１０）及び高電圧出力ドライバ部（３４０）を断続するスイッチ部（３２０）と、高電圧出力ドライバ部（３４０）及びスイッチ部（３２０）の間に挿入される、少なくとも１つの補償ダイオード（３３０）とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 入射光の集光効率に優れたイメージセンサを得ることができるマイクロレンズ形成方法を提供すること。
【解決手段】 第１マイクロレンズと第２マイクロレンズとを順に形成することにより、イメージセンサのマイクロレンズを形成する方法であって、基板５０上に第１フォトレジスト膜を塗布するステップと、選択的にパターンニングすることにより、一部の単位画素領域Ａに第１フォトレジストパターンを形成するステップと、第１フォトレジストパターンをフローさせることにより、第１マイクロレンズ５５Ｃを形成するステップと、全面に第２フォトレジスト膜を塗布するステップと、第２フォトレジスト膜を選択的にパターンニングすることにより、第２フォトレジストパターン５６Ａを形成するステップと、第２フォトレジストパターン５６Ａをフローさせることにより、第２マイクロレンズを形成するステップとを含む。 （もっと読む）