【課題】読み出し動作時において、単位セルの高抵抗性に起因する誤動作を防止し、これにより、読み出し動作の信頼性を向上させることのできる不揮発性メモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、単位セル１１０と、該単位セル１１０からデータを感知する感知手段１２０と、入力電圧を可変させ、可変した読み出し電圧を単位セル１１０に供給する読み出し電圧可変手段１３０と、を備える不揮発性メモリ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタから成るアンチヒューズのゲート絶縁膜を安定的に破壊させて、読み取り動作時のデータセンスマージンを改善させ、動作の信頼性を向上させることができるアンチヒューズおよびその形成方法、そしてこれを備えた不揮発性メモリ素子の単位セルを提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に形成されたゲート絶縁膜と、本体部と、前記本体部から伸長された複数個の突出部を備え、前記本体部および前記突出部が前記ゲート絶縁膜上に接するように前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記突出部の側壁に露出した前記基板内に形成された接合領域と、を備える。 （もっと読む）

【課題】読み出し動作時、データのセンスマージンを改善させて動作信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ素子の単位セル及びこれを備えた不揮発性メモリ素子を提供すること。
【解決手段】出力端と接地電圧端との間に接続されたアンチヒューズと、前記出力端と接続されて、当該出力端に書き込み電圧を伝達する第１のスイッチング手段と、前記出力端と接続されて、当該出力端に読み出し電圧を伝達する第２のスイッチング手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電圧の動作電圧に応じて高濃度にドープされる隣り合う素子のウェルとウェルを効率よく隔離するためのディープトレンチ構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】互いに反対型の第１の導電型ウェルと第２の導電型ウェルが形成された半導体基板と、前記それぞれの第１の導電型ウェルと第２の導電型ウェルの上に積層されたゲート酸化膜及びゲート電極と、前記第１の導電型ウェル内のゲート電極の両側の下部に形成された第２の導電型ドリフト領域と、前記第２の導電型ウェル内のゲート電極の両側の下部に形成された第１の導電型ドリフト領域と、前記第１の導電型ウェルと前記第２の導電型ウェルとを分離するために前記各導電型ウェルよりも深いトレンチ構造を有する第１の素子分離膜と、を備えてなるディープトレンチ構造を有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】寄生キャパシタンスを減らしてスイッチング速度を向上させるためのトレンチＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層及びボディー層が上部に順次積層された基板；前記エピタキシャル層及びボディー層の中央部に垂直に形成されたトレンチ；前記トレンチの両側壁に形成された第１ゲート酸化膜；前記トレンチの下部と前記基板の上部の間のエピタキシャル層に前記第１ゲート酸化膜の厚さより厚い厚さを持つとともに前記トレンチの幅より広い幅を持つように形成された拡散酸化膜；前記第１ゲート酸化膜が形成されたトレンチ内に形成されたゲート；前記ゲート上に形成された第２ゲート酸化膜；及び前記ゲートの上部両側に形成されたソース領域を含み、ドレイン領域であるエピタキシャル層とゲートの間で発生する寄生キャパシタンスを減らすことにより、スイッチング速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】バックライトモジュールでの消費電力および輝度を調節することができて電力消耗を減らすことができる、輝度調節が可能な映像表示装置および映像表示方法を提供する。
【解決手段】外部から印加される映像データの輝度を判別してバックライト選択信号およびコントラスト選択信号を出力する輝度判別ユニット２２０と、前記輝度判別ユニットに連結され前記バックライト選択信号に対応する明るさのバックライトを供給するためのバックライト駆動電源を出力するバックライト制御ユニット２３１と、前記輝度判別ユニットに連結され前記コントラスト選択信号に対応するコントラストが調節された映像を出力するための映像出力信号を出力するコントラスト制御ユニット２４１により、バックライトの輝度および映像データのコントラストがそれぞれ調節された映像を表示する。 （もっと読む）

【課題】バックライトモジュールでの電力消耗を減らすことができ、映像を鮮明に表示することができる、低電力映像表示装置および映像表示方法を提供する。
【解決手段】外部から印加される映像データの輝度を判別する輝度判別部２１０と、判別された映像データの累積ヒストグラムを算出し予め設定されたピクセル数に該当する映像データの明るさを基準明るさとして選定するヒストグラム分析部２２０と、基準明るさに該当するコントラストに映像データを変換させる輝度制御部２３０と、コントラストが変換された映像データを外部に映像を表示する映像出力信号に変換して出力するデータドライブ２４０と、バックライトの輝度を基準明るさに該当する輝度に制御する駆動電源を生成するバックライト制御部２５０と、コントラストが変換された映像および輝度が変換されたバックライトを介して映像を表示する映像表示部２６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの空乏領域を増大させることにより、量子効率を改善させると同時に、電気的クロストーク特性を改善させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】このため、基板内に第１導電型で形成されたエピ層と、該エピ層内に形成されたフォトダイオードと、該フォトダイオードから分離されるように、前記フォトダイオードの下部に、第２導電型で形成された第１ドープ領域とを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を実現することができる高電圧素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の高電圧素子は、基板内に形成されたドリフト領域と、前記基板内に前記ドリフト領域よりも深く形成された素子分離膜と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記ドリフト領域内に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】裏面照射構造を有しながらも、別途にメタル反射層を備えなくてもよく、フォトダイオードの空乏領域をコントロールして、短波長に対する光感度及びクロストルクを改善することができるイメージセンサを提供すること。
【解決手段】半導体基板の表面の下に形成され、前記半導体基板の裏面から光が照射されて光電荷を生成するフォトダイオードと、前記半導体基板の表面の上部において前記フォトダイオードの上に形成され、裏面照射される光を反射させ、かつ、前記フォトダイオードの空乏領域をコントロールするバイアスが印加される反射ゲートと、前記フォトダイオードからピクセルのセンスノードに光電荷を伝達するトランスファゲートとを備える。 （もっと読む）