【課題】単一ゲインコントラスト法を適用するときに引き起こされる出力動的範囲拡張の限界を克服し、入力動的範囲の減少現象を防止して、イメージ明るさ分布を安定に調節できるイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】入力される画素データのゲインコントラストを調節して、画素アレイから感知されたイメージ明るさ分布を調節するゲインコントラスト調節部を含むイメージセンサーにおいて、前記ゲインコントラスト調節部が、前記イメージ明るさ分布のうち、設定された基準値を基準として分割された暗い部分の明るさ最小値と明るい部分の明るさ最大値を算出し、算出された明るさ最小値と明るさ最大値とに応じて、前記イメージの前記暗い部分と前記明るい部分の２重ゲインコントラストを決定し、前記イメージ明るさ分布を調節するイメージセンサーを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体具現面積を最小化し、ハードウェア資源を最小化し、かつ、フリッカーの存在有無を判断できるイメージセンサのフリッカー検出回路及び方法を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサのフリッカー検出回路は、イメージを撮影して得た第１フレーム及び第２フレームの画素データから明るさ値を抽出して、前記第１フレーム及び第２フレームに対応するライン別第１明るさ平均値及び第２明るさ平均値を生成する明るさ平均値出力部と、前記ライン別に生成された第１明るさ平均値から第２明るさ平均値を減算して、フリッカー曲線を生成するフリッカー曲線生成部と、前記フリッカー曲線から複数の局所点を抽出し、それぞれの２つの局所点間の距離値を計算して、距離値及び距離値の頻度数に応じてフリッカーの存在有無を判別するフリッカー検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズに対して漏れ電流を誘発しないＲＢＮＢＥＳＤ保護回路を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護回路は、第１電源ライン及び第２電源ラインに流入する信号の立ち上がり時間を検出する検出部１１０と、該検出部の出力信号をバッファリングして出力するプリドライバ１２０と、該プリドライバの出力信号に応じて動作する電源クランプ１３０とを備えている。前記検出部が、前記第１電源ライン及び第２電源ライン間に直列接続されたＲＣフィルタと、該ＲＣフィルタの出力を反転させて出力する第１インバータと、前記第１電源ラインと前記第１インバータの第１トランジスタのソース端との間に接続され、前記第１電源ライン及び第２電源ラインに電源ノイズを印加する場合、前記第１インバータの第１トランジスタ及び第２トランジスタを介して漏れ電流が流れることを遮断する第１キャパシタとを備える。 （もっと読む）

【課題】ベイヤーパターンの単一チャネル画素構造からＲ(Ｒｅｄ)、Ｇ(Ｇｒｅｅｎ)、Ｂ(Ｂｌｕｅ)の３チャネルデータを生成するためのデモザイク処理に伴う色相ノイズを適応的に除去できるイメージセンサの画質改善装置及びその方法を提供すること。
【解決手段】ベイヤーデータに対してデモザイク処理を行うことにより生成されたＲＧＢカラー映像データをＹＣｂＣｒカラー空間データに変換する第１変換部（２０）と、第１変換部（２０）から出力されるＣｂ及びＣｒデータの色相ノイズを除去する色相ノイズ除去部（３０）と、色相ノイズ除去部（３０）から出力されるＣｂ及びＣｒデータと第１変換部（２０）から出力されるＹデータとをＲＧＢカラー空間データに変換する第２変換部（４０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】フローティングノードと駆動トランジスタとの接続を安定的に提供可能なＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。
【解決手段】本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、該フォトダイオードの一側面に接する伝達トランジスタのゲートパターンと、該伝達トランジスタのゲートパターンと所定間隔離れて配置された駆動トランジスタのゲートパターンと、前記伝達トランジスタのゲートパターンと前記駆動トランジスタのゲートパターンとの間に配置されたフローティングノードとを備える。 （もっと読む）

【課題】クロストークを防止し、暗電流を抑制することができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】トレンチが形成された第１導電型の基板（１１０）と、前記トレンチの壁面に沿って、エピタキシャル成長によって形成された第１導電型のチャネルストップ層（１１５）と、チャネルストップ層（１１５）の表面に形成されて前記トレンチを埋め込む素子分離膜（１３０）と、基板（１１０）の表面下に形成され、チャネルストップ層（１１５）の一側に隣接する第２導電型のフォトダイオード（１２４）と、フォトダイオード（１２４）に隣接する基板（１１０）の上部表面に形成されて、フォトダイオード（１２４）によって生成される光電荷を伝送するためのトランスファゲート（１２３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供すること。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードＰＤと、前記画素領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｍのメタルライン（Ｍは、１より大きい自然数）と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｎのメタルライン（Ｎは、Ｍより大きい自然数）と、前記画素領域の前記第Ｍのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも１つのダミーメタルラインＤＭ１，ＤＭ２と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズＭＬとを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズ用保護膜使用を省略できるイメージセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】受光領域である第１の領域及びパッドの形成領域である第２の領域を含むイメージセンサの製造方法において、前記第１の領域に金属配線と保護膜を形成するステップと、前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、前記第１の領域に第１のオーバーコート層を形成し、かつ、前記第２の領域の前記オープン部にオーバーコート層プラグを形成するステップと、前記第１の領域の前記第１のオーバーコート層上にカラーフィルタ、及びマイクロレンズを順に形成するステップと、前記オーバーコート層プラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、前記オーバーコート層プラグを除去するステップと、前記フォトレジストパターンを除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体製造技術に関し、特に、半導体素子の製造工程のうち、トラップサイトによる光電子の損失という欠陥を解決し、フォトダイオードのフィルファクターを増やすイメージセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳＴＩのためのトレンチと、該トレンチ内の基板上に形成されたチャンネルストップ薄膜と、前記トレンチを埋め込む素子分離膜と、前記トレンチの側壁に隣接して基板内に形成されたフォトダイオードとを備えるイメージセンサが提供される。
また、基板にＳＴＩのためのトレンチを形成するステップと、前記トレンチ内の前記基板上にチャンネルストップ薄膜を形成するステップと、前記トレンチに素子分離膜を形成するステップと、前記トレンチの側壁に隣接して基板内に形成されたフォトダイオードとを含むイメージセンサの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】自動焦点調節のための別の追加的な時間を低減し、かつ自動焦点調節アルゴリズムの動作を安定して実行できる、ＣＭＯＳイメージセンサ及びそれを含むカメラ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳイメージセンサによれば、複数の単位画素を備え、これを介して外部の被写体に対する光学映像を受信して、各単位画素別に該当画素の色相に対する電気的信号を出力するセンシング部と、該センシング部から出力される電気的信号をデジタル信号に変換し、デジタル信号をプロセシングして映像信号を出力し、前記センシング部を制御するための制御部と、前記映像信号を受信して自動焦点調節用追跡アルゴリズムを利用して焦点値を計算するための自動焦点アルゴリズム部と、前記焦点値を利用してアクチュエーターを制御するためのアクチュエーター制御部とを備える。 （もっと読む）