【課題】デジタル回路、アナログ回路、及びＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路を１つのマイクロチップとして支援する半導体集積回路及びその製造技術に関する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、デジタル回路及びアナログ回路が単一の基板上に集積された半導体集積回路において、前記デジタル回路の形成される領域及び前記アナログ回路の形成される領域を含む基板と、前記アナログ回路素子と前記デジタル回路素子との間のクロストークを防止するため、前記デジタル回路素子の形成される領域又は前記アナログ回路素子の形成される領域を取り囲むように、前記基板内に一定の深さに形成された深いウェルとを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大を抑止しつつスルーレートを向上可能な演算増幅回路を提供すること。
【解決手段】差動増幅器１２の出力端（Ｂ）に接続されるとともに差動増幅器１２の反転入力電圧Ｖｉｎ−及び非反転入力電圧（Ｖｉｎ＋）が入力される補助回路１１を有する。この補助回路１１は、反転入力電圧Ｖｉｎ−と非反転入力電圧Ｖｉｎ＋との差が実質的に等しい定常常態において大きな出力インピーダンスをもつ。反転入力電圧Ｖｉｎ−と非反転入力電圧Ｖｉｎ＋との差が大きくなると、補助回路１１は、差動増幅器１２の出力電圧の遷移を促進する方向へ差動増幅器１２の出力端（Ｂ）と電流を授受する。 （もっと読む）

【課題】金属配線の熱安定性を確保し、イメージセンサの暗電流特性を改善させるためのイメージセンサの金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトプラグを備える第１の層間絶縁膜を形成するステップと、該第１の層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成するステップと、フォーミングガスアニールを行うステップと、前記拡散防止膜上に第２の層間絶縁膜を形成するステップと、該第２の層間絶縁膜及び拡散防止膜を選択的にエッチングしてトレンチを形成するステップと、該トレンチを埋め込むまで導電物質層を形成するステップと、該導電物質層を平坦化してコンタクトプラグと電気的に接続する金属配線を形成するステップとを含み、上記した本発明は、 金属配線を形成する工程の前に拡散防止膜を形成した後、アニール処理を行って金属配線の熱安定性を確保し、イメージセンサの暗電流特性を改善させて金属配線の信頼性及び素子の信頼性を向上させるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】ダイナミック・レンジを改善させることができるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。
【解決手段】本発明は、フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を増幅させて出力するソースフォロアバッファ増幅器用第１トランジスタとを備える複数の単位画素がアレイ状に配列されてなる画素アレイを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記第１トランジスタの出力信号がゲートに入力され、該ゲート入力を増幅して出力するバッファ増幅器用第２トランジスタをさらに備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カラーフィルタを除去し、ウエハの裏面の厚さを調節することにより、カラーイメージを容易に実現することができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、基板の前表面の下に形成され、フィールド酸化膜により互いに分離されるフォトダイオードをそれぞれ備える多数のピクセル領域と、前記基板の前面のピクセル領域上に形成された多層のメタル配線と、該多層のメタル配線の最上層のメタル配線に接続されたバンプと、前記基板の裏面に、光の波長別に互いに異なる深さを有し、前記各ピクセル領域に対応して形成された多数のトレンチと、前記基板の裏面を覆うガラスとを備える。 （もっと読む）

【課題】小さな大きさ、高い電荷蓄積容量、低い暗電流を有し、低い動作電圧で動作できる固体ＣＭＯＳイメージセンサのピンドフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明のフォトダイオードは、第１導電型の半導体層と、該記半導体層内で互いに異なる深さで形成された複数の第２導電型のドープ領域と、前記半導体層内で前記の第２導電型ドープ領域の間に形成され、フォトダイオードの空乏のための電圧の印加時に、完全に空乏されずに複数の接合キャパシタを形成する複数の第１導電型のドー領域と、前記半導体層の表面下に形成されたピニング層を備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリ装置、特に、埋め込み半導体装置で書き込みと消去を繰り返し得る不揮発性メモリ機能を提供する不揮発性半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に形成された第１活性領域及び第２活性領域を分離する素子分離領域と、前記第１活性領域に第１絶縁膜を媒介として形成されたトランジスタ電極と、前記第１活性領域に第２絶縁膜を媒介として形成された第１キャパシタ電極と、前記第２活性領域に第３絶縁膜を媒介として形成されて、前記トランジスタ電極及び前記第１キャパシタ電極に電気的に接続した第２キャパシタ電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】画素アレイの側部における感度を増大させることができ、入射光を集光するために用いられるマイクロレンズの形成工程に起因する製造工程上の複雑性を解決することができるイメージセンサを提供すること。
【解決手段】カラーフィルタと、該カラーフィルタ上に形成された平坦化膜と、該平坦化膜上に互いに異なる屈折率を有する少なくとも２層以上積層された媒質層とを備える。 （もっと読む）

【課題】単位画素を構成するトランジスタのゲート電極のＦＩＣＤ変動に起因するカラム固定パターンノイズの発生という問題を解決することができるイメージセンサを提供すること。
【解決手段】本発明は、フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、駆動電流を増大させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのソース領域がドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されたＣＭＯＳイメージセンサを提供する。これにより、単位画素内の駆動電流特性を改善することができ、且つ、カラム固定パターンノイズを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】単位画素を構成するトランジスタのゲート電極のＦＩＣＤ変動に起因するカラム固定パターンノイズの発生という問題を解決することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。これにより、各トランジスタをより安定的に動作させることで、カラム固定パターンノイズを除去することができる。 （もっと読む）