【課題】チャージポンプにおけるスタティック位相誤差を最小限にする。
【解決手段】位相ロックループ／遅延ロックループで使用するためのチャージポンプは、プルアップ回路とプルダウン回路と演算増幅器とを含む。チャージポンプはプルアップおよびプルダウン回路の動作に関連したスタティック位相誤差を最小限にするように設計される。演算増幅器の使用はまた、低電源電圧の影響を軽減する。 （もっと読む）

【課題】同一伝送媒体の上でデジタル・データとアナログ電話信号を同時に伝送するローカル・エリア・ネットワーク配線構造のための方法及び装置を提供する。
【解決手段】特に、リモート側データ・ユニット（例えば、パーソナル・コンピューター）がそれぞれ、少なくとも２対の導体を含むケーブルを通じてハブに接続され、各方向でデータ通信を行えるスター形態のネットワークに適用できる。ケーブル各端部のモジュールは、仮想回線体制内の両方の導体ペアを通じて、データ・セット近くの電話とＰＢＸの間の電話（音声帯）信号のための仮想パスを提供する。そのような全ての通信パスが同時にかつ相互干渉無しに機能する。モジュールは単純で安価な受動回路要素から成っている。 （もっと読む）

積層されたマルチダイ集積回路パッケージ内のシリコン貫通ビア(TSV)は、その標準的なミッションモードで、パッケージのフィールド動作中に、所望に応じて、別の接続構成をとるように制御される。TSV接続は、例えば、そのダイの工場デフォルト接続とは異なるやり方で、影響されたダイを接続するように再構成可能である。ダイの固有回路の入力および/または出力へのTSV接続は、変更可能である。ダイが、積層内のダイを相互接続するインターフェースから完全に切断されても、またはこのようなインターフェースから元々切断されていたダイが、インターフェースに接続されてもよい。
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セルラー加入者にWLANへのアクセス権を付与するための方法および対応する装置が提供される。これらは、アクセス要求から加入者およびWLANに対応するマルチモード携帯端末を識別することを伴う。WLANは、この識別情報に基づき、携帯端末にアクセス権を付与することが認可される。次いで、携帯端末は、セルラー加入者としてのWLANへのアクセス権を付与され、これにより、これら2つのネットワーク間の相互運用性が実現される。例えば、加入者は、クレジットカードを用意して直接WLANアクセスの対価を支払う必要がない。その代わりに、加入者はセルラーネットワークプロバイダに支払い、次いで、セルラーネットワークプロバイダがWLANプロバイダにそのアクセスの対価を支払う。
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【課題】ランダムページプログラム動作を可能にしながらプログラムストレスを最小にするNANDフラッシュセル。
【解決手段】ビット線がNANDストリングから減結合され、NANDストリングを正バイアスされたソース線から非対称にプリチャージする。選択メモリセルへプログラム電圧を印加し、ビット線データへ印加する。非対称プリチャージ及びプログラム電圧の印加後、全選択メモリセルはNANDストリング内の他のメモリセルからの減結合に従いプログラム禁止状態に設定され、そのチャネルはプログラミング禁止電圧までブーストされる。VSSバイアスされたビット線は、局部的にブーストされたチャネルをVSSに放電し、選択メモリセルのプログラミングを可能にする。VDDバイアスされたビット線は、プリチャージされたNANDストリングに影響を与えず、選択メモリセルのプログラム禁止状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】メモリコントローラがシリアル相互接続構成内のメモリデバイスを制御するメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリコントローラは、メモリコマンドを送る出力ポートと、メモリ応答を要請するメモリコマンドに関するメモリ応答を受け取る入力ポートとを有する。各メモリデバイスは、例えばNANDタイプフラッシュメモリ、NORタイプフラッシュメモリ、ＲＡＭ及びスタティックＲＡＭ等のメモリを含む。各メモリコマンドは、ターゲットメモリデバイスのメモリタイプに固有である。メモリコマンド及びメモリ応答のデータパスは、相互接続によって提供される。所与のメモリコマンドは、シリアル相互接続構成のその所期のメモリデバイスに達するためにメモリデバイスをトラバースする。受取時に、所期のメモリデバイスが、所与のメモリコマンドを実行し、メモリ応答を次のメモリデバイスに送る。メモリ応答はメモリコントローラに転送される。 （もっと読む）

相互接続された集積回路（ＩＣ）のスタック内で使用するように適合されたＩＣにおいて、不連続Ｓｉ貫通電極（ＴＳＶ）が、連続ＴＳＶに加えて提供される。不連続ＴＳＶは、スタックのＩＣ間の共通のパラレル経路とは異なる信号経路を提供する。このことが、ＴＳＶを使用して実施されるべきＩＣ識別方式および他の機能を、スタックの交互のＩＣの角回転を必要とすることなく、可能にする。
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【課題】フラッシュメモリにおけるプログラムディスターブを最低限に抑える。
【解決手段】消去状態からのプログラミングが望まれていないNANDフラッシュメモリセル列におけるプログラムディスターブを減少させるため、局所ブーストチャネル禁止方式が使用される。局所ブーストチャネル禁止方式では、プログラミングが望まれていないNAND列内の選択メモリセルは、NAND列内の他のセルから減結合される。これが、対応するワードラインがプログラミング電圧まで引き上げられるときに、減結合セルのチャネルを、F-Nトンネリングを禁止するのに十分な電圧レベルまで局所的に押し上げることを可能にする。高いブースト効率のため、NAND列内の残りのメモリセルのゲートに印加されるパス電圧は、従来と比較して低下させることができ、そこで、ランダムページプログラミングを可能にしながら、プログラムディスターブを最低限に抑える。 （もっと読む）