【解決手段】
半田型熱インタフェース材質（９０）を用いて半導体デバイスのために熱的な経路を確立するための種々の方法及び装置が提供される。１つの態様に従うと、基板と基板内へ第１の距離だけ延びる第１のアクティブ回路部分（４０）とを有する第１の半導体チップ（２０）を提供することを含む製造の方法が提供される。第１のアクティブ回路部分（４０）を包囲するが第１のアクティブ回路部分（４０）からは横方向に隔てられ且つ基板内へ第１の距離よりも大きい第２の距離だけ延びるバリア（１３５）が第１の半導体チップ（２０）内に形成されて、半田の拡散を抑制する。 （もっと読む）

【解決手段】
回路はメモリ回路を含む。メモリリタイリング回路は、複数のメモリチャネルの間で分散させられるように構成される画像情報を、複数のメモリチャネルのサブセットの間で分散させられるように構成される再構成された画像情報へと移動させる。 （もっと読む）

【解決手段】
複数の処理ノードを有するシステムにおいて、制御ノードは、タスクを複数のサブタスクに分割し、そしてサブタスクを１つ以上の追加的な処理ノードに割り当て、これらは割り当てられたサブタスクを実行すると共に結果を制御ノードに戻し、それにより複数の処理ノードが効率的に且つ迅速に全てのサブタスクのメモリ初期化及び試験を行うことを可能にする。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体デバイス（４００）を製造する方法は、半導体材質（４０２）の層及び半導体材質（４０２）の層の上の絶縁材質（４０４）の層を備える基板上に、ハードマスク材質（４０８）の層が絶縁材質（４０４）の層の上になるように、ハードマスク材質（４０８）の層を形成することによって開始する。多重露光フォトリソグラフィ手順が実行されて、ハードマスク材質（４０８）の層の上にフォトレジスト特徴部の結合されたパターンが作製され、またフォトレジスト特徴部の結合されたパターンを用いてハードマスク材質内に凹部線パターンが作製される。方法は、凹部線パターン（４２２）の指定された区画をフォトレジスト特徴部の遮断パターン（４４２）で覆い、そして溝（４５２）のパターンを絶縁材質（４０４）内に形成することによって継続し、ここで溝（４５２）のパターンは、フォトレジスト特徴部の遮断パターン（４４２）及びハードマスク材質（４０８）によって規定される。その後、電気伝導材質（４７２）が溝（４５２）内に堆積させられて、半導体デバイスのための導電線がもたらされる。 （もっと読む）

【解決手段】
処理ノードは、その内部キャシング又はメモリシステムに関連するプローブアクティビティレベルを追跡する。プローブアクティビティレベルがスレッショルドプローブアクティビティレベルを超えると、処理ノードの性能状態がその当座の性能状態よりも高くされて、高められた性能能力をプローブ要求に応答して提供する。プローブアクティビティレベルがスレッショルドプローブアクティビティレベルを超えたことに応答してより高い性能状態にエンターした後に、処理ノードは、プローブアクティビティの低下に応答してより低い性能状態に戻る。多重スレッショルドプローブアクティビティレベル及び関連する性能状態があってよい。 （もっと読む）

【解決手段】
処理システムが提供される。処理システムは、第１のメモリに結合される第１の処理ユニットと、第２のメモリに結合される第２の処理ユニットと、を含む。第２のメモリは、コヒーレントメモリと、第２の処理ユニットにプライベートなプライベートメモリと、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】
グラフィクス処理を行うための方法、装置及びシステムが開示される。この点において、処理ユニットは、テセレーションモジュール及び接続性モジュールを含む。テセレーションモジュールは、幾何学的形状の部分を逐次的にテセレートして幾何学的形状に対する一連のテセレーション点を提供するように構成される。接続性モジュールは、テセレーション点の１つ以上のグループを一連のテセレーション点が提供される順序で１つ以上のプリミティブ内へと接続するように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】
処理ユニットのローカルメモリに対する効率的な読み出しを可能にするためのシステム、装置及び方法がここに開示される。ある実施形態においては、処理ユニットは、インタフェース及びバッファを含む。インタフェースは、（i）他の処理ユニットのローカルメモリの領域におけるデータの一部分に対する要求を送ると共に（ii）要求に応答して領域からの全てのデータを受信するように構成される。バッファは、他の処理ユニットのローカルメモリの領域からのデータを記憶するように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】
資源を管理する方法が提供される。方法は、近々の移行に応答するプロセッサに関連する資源を識別することと、識別された資源をＧＰＵに関連するメモリから又はＧＰＵに関連するメモリへ複製することと、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】
誤り検出機能の結果に基づきメモリデバイスにおける書き込みタイミングを調節するための方法、システム及びコンピュータプログラム製品が提供される。例えば方法は、誤り検出機能の結果に基づきデータバス上の信号と書き込みクロック信号との間の書き込みタイミング窓を決定することを含むことができる。方法はまた、書き込みタイミング窓に基づきデータバス上の信号と書き込みクロック信号との間の位相差を調節することを含むことができる。メモリデバイスは、調節された位相差に基づきデータバス上の信号を回復することができる。 （もっと読む）