【課題】高速度ＭＯＳＦＥＴを形成するための半導体デバイス技術が要請されている。
【解決手段】トランジスタゲートサイドウォールスペーサ（２７）に埋め込まれた導電層（２４）を形成することによって高速ＭＯＳトランジスタ（３２）は、用意される。この埋め込まれた導電層（２４）は、トランジスタ（３２）のゲート電極（１８）とソース／ドレイン領域（２８）から電気的に絶縁している。埋め込まれた導電層（２４）は、ソース／ドレイン伸長領域（３０）を覆うように配置され、ソース／ドレイン領域（２８）直列抵抗を低くすることでソース／ドレイン伸長領域内に電荷を蓄積する。 （もっと読む）

【解決手段】
シリコン／ゲルマニウム合金のようなスレッショルド調節半導体合金を堆積させるための選択的エピタキシャル成長プロセスにおける成長速度は、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行するのに先立ちプラズマ支援エッチングプロセスを実行することによって、高められ得る。例えば、プラズマ支援エッチンプロセスに基いてマスク層がパターニングされてよく、それにより後続の成長プロセスの間に優れたデバイストポグラフィを同時にもたらすことができる。従って、スレッショルド調節材質を高い厚み均一性で堆積させることができ、全体的なスレッショルドばらつきを低減することができる。 （もっと読む）

【解決手段】
洗練された半導体デバイスにおいて、非対称ウエル注入に基いて非対称トランジスタ構造が得られる一方で傾斜注入プロセスは回避し得る。この目的のために、段階的なレジストマスクのような段階的な注入マスクが形成されてよく、段階的な注入マスクは、非対称トランジスタのソース側と比較してドレイン側で高いイオン遮断能力を有していてよい。例えば、非対称構造は、高度な性能向上を伴う非傾斜注入プロセスに基いて得ことができ、また考慮されている技術標準にかかわりなく完成され得る。 （もっと読む）

【解決手段】
仮想マシン環境におけるネイティブメソッドの展開は、対応するネイティブコードセグメントをＪＡＶＡ（登録商標）クラスファイルのようなアプリケーションファイル内へ組み込むこと、及び組み込まれたネイティブコードセグメントを対応するクラスファイルのライブラリ結合動作のために用いることによって、著しく簡素化され得る。 （もっと読む）

【解決手段】
トランジスタのドーパントプロファイルは、その場で(in situ)ドープされた歪誘起半導体合金に基いて得ることができ、段階的なドーパント濃度が高さ方向に沿って確立され得る。その結果、半導体合金をチャネル領域にごく近接して位置させることができ、それにより全体的な歪誘起効果を高めることができる一方で、最終的に得られるドーパントプロファイルについて過度に妥協しなくてよい。更に、半導体合金を選択的に成長させるのに先立ち追加的な注入種が組み込まれてよく、それにより内部歪の注入誘起緩和を回避することができる。 （もっと読む）

【解決手段】
１つの実施形態においては、システムは、プロセッサと、プロセッサに結合される第１の割り込み制御器と、プロセッサに結合される第２の割り込み制御器とを備えている。第１の割り込み制御器は、システム内のホストを対象とする第１の割り込みとやりとりする第１の割り込みメッセージを受信することに応答する割り込みに対する信号をプロセッサへ送るように構成される。第２の割り込み制御器は、ホストによって制御され且つプロセッサ上で実行可能なゲストを対象とする第２の割り込みとやりとりする第２の割り込みメッセージを受信することに応答する割り込みに対する信号をプロセッサへ送るように構成される。 （もっと読む）

【解決手段】
グラフィクスメモリ（ビデオメモリ２１２とも称される）を非グラフィクス関連タスクに対して使用するための方法及び装置の実施形態がここに開示される。実施形態においては、グラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ３０２）は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）のためにの追加的なキャッシュ資源を提供し且つ管理するために、ハードウエア及びソフトウエアを伴うＶＲＡＭキャッシュモジュール（２０４）を含む。実施形態においては、ＶＲＡＭキャッシュモジュールは、ＣＰＵと共にレジスタ動作をし、ＣＰＵからの読み出し要求を受け入れ、そしてＶＲＡＭキャッシュを用いてその要求をサービスするＶＲＡＭキャッシュドライバ（４０４）を含む。種々の実施形態においては、ＶＲＡＭキャッシュは、ＧＰＵキャッシュのみであるとして構成可能であり、あるいは代替的には、第１レベルキャッシュ、第２レベルキャッシュ等であるとして構成可能である。 （もっと読む）

【課題】工場制御システムにおいて詳細なスケジューリングや実行制御を提供する。
【解決手段】コンピュータを含んで形成されるカレンダリングシステムであって、各々が、製造プロセスにおける複数の製造ドメインエンティティのうちの１つに対応し、前記複数の製造ドメインエンティティのアポイントメントのスケジューリング又はアポイントメントの実行を行うための複数の自立したソフトウエアエージェント（２６５）と、前記各ドメインエンティティのアポイントメントをスケジューリングする際に前記ソフトウエアエージェント（２６５）のうちの１つによって各々が保守され、かつ、１つ以上のコンピュータ装置の記憶装置内に記憶された複数のカレンダーを有するカレンダリングシステムである。 （もっと読む）

【解決手段】
トランジスタにおいて、段階的な形状のキャビティを設けることによって、シリコン／ゲルマニウム、シリコン／炭素、等のような歪誘起半導体合金がチャネル領域に極めて近接して位置させられてよく、キャビティは次いで歪誘起半導体合金で充填されてよい。この目的で、異なるエッチング挙動の２つ以上の「使い捨て」スペーサ要素が、対応するキャビティの異なる深さで異なる横方向オフセットを規定するために用いられてよい。その結果、高い均一性及びこれに伴い低減されたトランジスタばらつきが、洗練された半導体デバイスに対してさえも達成され得る。 （もっと読む）

【解決手段】
実施形態は、ビデオイメージのマクロブロックに対する幾つかの候補モーションベクトルのリストを決定しそして多重計算パスを介してそれらを保持する並列処理システム内で実行されるモーション推定方法を含む。全ての候補モーションベクトルは潜在的な近隣予測因子として用いられ、その結果、差分ベクトルの最良の組み合わせが候補リストのトップに上がる。単純にマクロブロックのペアの間での代わりに、８つまでの近隣マクログロックの間でモーションベクトルを比較するプロセスの間、差分モーションベクトルの多くの組み合わせが考慮される。モーション推定システムは、高度に並列的なＧＰＵプラットフォーム上でのような多数の計算エンジンを用いるように構成される。このことは、パス毎に１つを除いてマクロブロックの間での従属性を有していないことによって達成される。これにより、パス毎の計算の数を極めて大きくすることができる。 （もっと読む）