プログラムデータ装置の要求が減少する一方で、マルチパスプログラミング処理における、不揮発性記憶装置内の隣接するフローティングゲート間の結合の影響が減少する。この手法では、順序を外れて、またはジグザクなワードライン順番で、記憶素子がプログラムされる。特定のワードラインが粗プログラムパスでプログラムされ、その後、他のワードラインがファインプログラムパスでプログラムされ、その後、特定のワードラインが読み出される。特定のワードラインの記憶素子に結合による影響を与える粗プログラムパスによって他のワードラインがプログラムされる前に、特定のワードラインが読み出される。引き続いて、特定のワードラインに対してファインプログラムパスを実行するために、読み出しデータが使用される。これにより、記憶装置のハードウェアの電力消費とともにサイズを減少することができるように、多数のワードラインのプログラムデータを同時に記憶する必要性を回避できる。
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隣接ビットライン上の記憶素子からの容量結合は、その隣接ビットラインに印加される電圧を調整することによって補償される。初期の粗読み出しは、ビットライン隣接記憶素子のデータ状態を特定するために実行され、続く微細読み出しの間に、特定されたデータ状態、及び、選択されたワードラインに印加される電流制御ゲート読み出し電圧に基づいてビットライン電圧が設定される。電流制御ゲート読み出し電圧が、隣接記憶素子の特定された状態よりも低いデータ状態に対応するときに、補償ビットライン電圧が使用される。隣接ワードライン上の記憶素子からの結合の補償も、隣接ワードラインへ異なる読み出しパス電圧を印加し、ワードライン隣接記憶素子のデータ状態に基づいて識別される特定の読み出しパス電圧を使用して読み出しデータを取得することによって提供される。
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【課題】不揮発性メモリシステムにおいて摩耗一様化を実施する方法および装置を提供する。
【解決手段】メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。複数の要素に含まれる各要素は、要素が消去された回数を示す関連付けられた消去カウントを有する。方法は、また、複数の要素に含まれるいくつかの消去カウントを第１セットにグループ分けすることと、第１セットに関連付けられた消去カウントをメモリシステムのメモリ構成要素に記憶することとを含む。その数の要素を第１セットにグループ分けすることは、通常、複数の要素に関連付けられた消去カウントの最高の関連付けられた消去カウントを有する複数の要素に含まれる消去要素を選択することを含む。 （もっと読む）

不揮発性記憶素子の組を含むメモリシステムが開示される。所与のメモリセルは、フローティングゲートの上に誘電体キャップを有している。一実施形態では、誘電体キャップがフローティングゲートと共形ＩＰＤ層との間にある。誘電体キャップは、フローティングゲートと制御ゲートとの間の漏れ電流を削減する。誘電体キャップは、狭いステムを有するフローティングゲートのための誘電体キャップが無い場合に電界が最も強くなる場所であるフローティングゲートの上部での電界の強さを低減させることによりこの削減を実現する。 （もっと読む）

不揮発性記憶装置において読み出しディスターブが低減される。一態様では、選択されたワードラインを読み出すために読み出しコマンドがホストから受信されたときに、読み出しのために選択されていないワードラインが無作為に選定され、その記憶素子が選択されたワードラインを読み出すための最適化された読み出し比較レベルを決定するために検出される。あるいは、選定されたワードラインの記憶素子を読み出す際に得られるエラー訂正基準に基づいてブロック全体に対してリフレッシュ動作が行なわれてもよい。リフレッシュ動作は、選択されたワードラインが読み出しのために繰り返し選択されて他のワードラインがさらに読み出しディスターブに曝されるときに特に有用である。別の態様では、複数のデータ状態が記憶されるとき、１つの読み出し比較レベルが、検出、たとえば、閾値電圧分布から得られ、他の読み出し比較レベルは式から導かれる。 （もっと読む）

不揮発性記憶システムは、複数の不揮発請記憶素子に対してプログラムを実行するとともに、プログラムされたデータを意図的に消去することなく、消去状態に維持されているべき複数の不揮発性記憶素子の少なくとも一部に選択的に再消去を実行する。
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不揮発性記憶システムは、共通ワードライン（または他の種類の制御ライン）に接続されているが不揮発請記憶素子の部分集合に含まれていない他の不揮発性記憶素子を意図的に消去することなく、共通ワードライン（または他の種類の制御ライン）に接続されている不揮発請記憶素子の部分集合に対して、１つ以上の消去処理を選択的に実行可能とされている。
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不揮発性記憶システムは、共通ワードライン（または他のタイプのコントロールライン）に接続された複数の不揮発性記憶素子の部分集合に、１つまたは複数の消去処理を選択的に実行することによって、オーバープログラムされたメモリセルを訂正する。
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マルチパスプログラミング処理における不揮発性メモリのプログラミング時間が短縮される。第１プログラミングパスでは、高速の高い状態のセルと低速の高い状態のセルを識別するために高い状態のセルは一連のプログラムパルスによってプログラムされる一方で、低い状態のセルはプログラミングからロックアウトされる。識別された高速の高い状態のセルはプログラミングから一時的にロックアウトされる一方で、低速の高い状態のセルはそれらの最後の目的とする状態までプログラムされ続ける。さらに、プログラムパルスは、低速の高い状態のセルをプログラムするために急峻にステップアップされる。第２プログラミングパスでは、高速の高い状態のセルは、これらがすべて目的とする状態に達するまで他の低い状態のセルとともにプログラムされる。第１プログラミングパスにおいてすべての高い状態のセルがプログラムされるアプローチに比べて時間の節約が実現される。 （もっと読む）

不揮発性記憶装置を消去するときに、不揮発性記憶装置が適切に消去されたかどうかを判断するために２つの消去動作の間で確認処理が行われる。確認処理は、不揮発性記憶素子の複数のサブセットに対する確認を別々に実行するステップを有する。 （もっと読む）