【課題】半導体特性を有する光触媒物質及びその製造方法と利用方法を提供する。
【解決手段】（ａ）第１の金属に対して第２の金属が所定のモル比となるように、前記第１の金属の前駆体及び前記第２の金属の前駆体の混合物を形成する段階であって、その際、該第１の金属は光誘導された半導体特性を示す金属であり、該第２の金属はドーパントであり、（ｂ）前記混合物から不要なイオンを除去するために前記第１の金属の前駆体及び第２の金属の前駆体の混合物を処理して、前記第２の金属のイオンが全体に分散された前記第１の金属の酸化物を含む初期生成物を形成する段階と、（ｃ）前記初期生成物を乾燥して、前記第２の金属のイオンでドーピングされた、乾燥状態の第１の金属の酸化生成物を形成する段階であって、該乾燥状態の生成物は粒子を含み、（ｄ）熱を加えることによって前記乾燥状態の第１の金属の酸化生成物を焼成して、光触媒物質を形成する段階という、逐次的な段階を含む、光触媒物質の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】メモリシステムを提供する。
【解決手段】本発明のメモリシステムは、メモリコントローラと、メモリコントローラに一端が連結され信号を伝送するための伝送バスと、伝送バスの他端に第１ノードが連結され第２及び第３ノードを有する電力分配器と、第２ノードに第１ブランチバスを介して連結された第１メモリモジュールと、第３ノードに第２ブランチバスを介して連結された第２メモリモジュールを含む。従って、第２メモリモジュールから第２ブランチバスを介して反射された信号がインピーダンスミスマッチングによって共振を発生させて第１メモリモジュールの信号伝送に干渉が生じることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの線幅粗さ、耐エッチング性の改良手段を提供する。
【解決手段】アダマンタン骨格、シクロヘキサン骨格を含む残基からなる群より選択されるいずれか１つの残基と下記化学式（５）で表される残基とを含む環式化合物。


Ｒ＝ｔ−Ｂｕまたはｔ−ＢｕＯＣ_２Ｈ_４ （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサを高集積化する場合にも光感度を上げることができる新しい構造のＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、受光素子領域及びトランジスタ領域が画定された半導体基板を用意するステップと、前記受光素子領域にプラズマ放電を発生させて微細ホコリを形成させるステップと、前記微細ホコリをマスクとしてエッチングして、前記受光素子領域にナノピラーを形成するステップと、前記微細ホコリを除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリにおいて、相変化物質と下部電極との接触面積を画期的に減らして、低電力で動作可能であり、かつ、集積度をさらに向上させることができる炭素ナノチューブを利用した相変化メモリ及びその製造方法を提供すること。
【解決方法】相変化を誘導するのに必要な外部電流を供給する電流源電極と、電流源電極と側方向に対向する相変化物質層と、電流源電極と相変化物質層との間に複数配列した炭素ナノチューブ電極と、炭素ナノチューブ電極の外側に形成されて炭素ナノチューブ電極から生成される熱が外部に伝達されるのを抑制する絶縁体とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる向きを持つシリコンフィンとシリコンボディとからなるチャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）シリコン基板、下部酸化膜、シリコン及びハードマスクを順次に形成する段階と、（ｂ）前記マスクパターンをマスクとしてチャネルが形成されるシリコンフィンと、ソース/ドレーン領域が形成されるシリコンパターンとを形成して、チャネルの形成のため、所定の厚さのシリコンを異方性エッチングして、シリコンフィン間を連結するシリコンボディを形成する段階と、（ｃ）アクティブマスクを利用してシリコン薄膜を部分的にエッチングし、素子からソース/ドレーン領域を分離させる段階と、（ｄ）前記シリコンチャネル周りにゲート誘電膜を成長させて、ゲート物質とゲートマスクとを順次に堆積して、ゲート領域を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程で発生する太陽電池の損失を最小化し、低コストの工程でも可能な集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、（ａ）基板上に隣接している、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた導電性物質を形成するステップと、（ｂ）前記（ａ）ステップによる基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップと、（ｃ）前記太陽電池（半導体）層上に、第１透明導電性物質を斜めに蒸着するステップと、（ｄ）前記第１透明導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップと、（ｅ）前記（ｄ）ステップによる基板上に、第２透明導電性物質を斜めに蒸着して、前記導電性物質と前記第１透明導電性物質とを電気的に接続させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池を提供し、さらに詳細には、透過型集積型薄膜太陽電池及びその製造方法と、その単位セルを電気的に直列接続する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係る透過型集積型薄膜太陽電池の製造方法は、透明基板上に帯状のパターンで離隔し、光が前記透明基板を直接通過し得る所定の空間を含むように、第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、前記第２導電性物質層をマスクとして、前記太陽電池層をエッチングするステップ（ｄ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】機械的なスイッチを利用したメモリアレイ、その制御方法、機械的なスイッチを利用した表示装置及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る機械的なスイッチを利用したメモリアレイは、複数のワードラインと、該複数のワードラインと互いに交差する複数のビットラインと、複数の機械的なスイッチと、を備える。機械的なスイッチは、該複数のワードラインと前記複数のビットラインとの交差部位に配置され、前記ワードラインそれぞれに接続したゲート電極と、該ゲート電極から離隔して形成され、キャパシタに接続したドレイン電極と、ソース電極とを備える。ソース電極は、ゲート電極から離隔して形成されビットラインそれぞれに接続した付着部、該付着部から延びて形成されゲート電極から離隔して形成された移動部、及び、該移動部から延びており該移動部のディンプルにより形成された突起部を有するソース電極と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、リソグラフィ工程時に入射光の進行方向及び透過度を調節する方法で、多様な傾斜及び形状を有するポリマー又はレジストパターン及びこれを利用した金属薄膜パターン、金属パターン、ポリマーモールド並びにこれらの形成方法に関する。
本発明に係るポリマー又はレジストパターンの形成方法は、基板上に所定の形状にポリマー又はレジストパターンを形成する方法において、（ａ）前記基板上に感光性ポリマー又はレジストを塗布して、ポリマー又はレジスト膜を形成するステップと、（ｂ）前記ポリマー又はレジスト膜上にフォトマスクを位置させて、露光部分を決定するステップと、（ｃ）露光される光の経路上に光調節膜を位置させるステップと、（ｄ）前記光調節膜を調節して、前記ポリマー又はレジスト膜に照射される光の進行方向及び透過度を調節するステップと、を含むことを特徴とする。本発明に係るポリマー又はレジストパターンの形成方法によれば、多様な傾斜及び形状の３次元構造のポリマー又はレジストパターン、金属薄膜パターン、金属パターン構造、ポリマーモールドを簡便に形成できる。
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