集積型薄膜太陽電池及びその製造方法
【課題】製造工程で発生する太陽電池の損失を最小化し、低コストの工程でも可能な集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、(a)基板上に隣接している、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた導電性物質を形成するステップと、(b)前記(a)ステップによる基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップと、(c)前記太陽電池(半導体)層上に、第1透明導電性物質を斜めに蒸着するステップと、(d)前記第1透明導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップと、(e)前記(d)ステップによる基板上に、第2透明導電性物質を斜めに蒸着して、前記導電性物質と前記第1透明導電性物質とを電気的に接続させるステップと、を含む。
【解決手段】本発明の製造方法は、(a)基板上に隣接している、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた導電性物質を形成するステップと、(b)前記(a)ステップによる基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップと、(c)前記太陽電池(半導体)層上に、第1透明導電性物質を斜めに蒸着するステップと、(d)前記第1透明導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップと、(e)前記(d)ステップによる基板上に、第2透明導電性物質を斜めに蒸着して、前記導電性物質と前記第1透明導電性物質とを電気的に接続させるステップと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、集積型薄膜太陽電池(Integrated thin−film solar cells)に関し、さらに詳細には、集積型太陽電池の製造工程で発生する面積の損失を最小化し、低コストの工程で製造可能な集積型薄膜太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
太陽電池は、太陽光熱エネルギーを直接電気に変換させる半導体素子であって、これに用いられる材料によって、大きくシリコン系、化合物系、有機物系に分類することができる。
【0003】
そして、シリコン系太陽電池は、半導体の相(phase)に応じて、細部的に単結晶(single crystalline)シリコン太陽電池、多結晶(polycrystalline)シリコン太陽電池、非晶質(amorphous)シリコン太陽電池に分類される。
【0004】
また、太陽電池は、半導体の厚さに応じてバルク(基板)型太陽電池と薄膜型太陽電池に分類されるが、薄膜型太陽電池は、半導体層の厚さが数10μm〜数μm以下の太陽電池である。
【0005】
シリコン系太陽電池における単結晶及び多結晶シリコン太陽電池はバルク型に属し、非晶質シリコン太陽電池は薄膜型に属する。
【0006】
一方、化合物系太陽電池は、III−V族のGaAs(Gallium Arsenide)とInP(Indium Phosphide)などのバルク型、II−VI族のCdTe(Cadmium Telluride)、及びI−III−VI族のCuInSe2(CIS;Copper Indium Diselenide)などの薄膜型に分類され、有機物系太陽電池は、大きく有機分子型と有無機複合型がある。この他に染料感応型太陽電池があり、これら全てが薄膜型に属する。
【0007】
このように、様々な種類の太陽電池の中で、エネルギー変換効率が高く、かつ、製造費用の相対的に低廉なバルク型シリコン太陽電池が、主に地上電力用として幅広く活用されてきている。
【0008】
しかしながら、最近では、バルク型シリコン太陽電池の需要急増に伴う原料の不足現象により、コストアップにつながっているのが現状である。そのため、大規模な地上電力用太陽電池の低コスト化及び量産化技術の開発のためには、シリコン原料を現在の数百分の1に低減可能な薄膜型太陽電池の開発が切実に求められている。
【0009】
図1は、従来の集積型薄膜太陽電池の構造を示した図であり、図2は、従来の集積型薄膜太陽電池用透明電極、太陽電池(半導体)層、金属裏面電極を加工するためのレーザパターニング工程を示す一実施形態である。
【0010】
同図に示すように、従来の集積型薄膜太陽電池1は、ガラス基板又は透明プラスチック基板10(以下、「透明基板」と記す)上に複数の単位セル20が直列接続して集積化した構造からなる。
【0011】
したがって、集積型薄膜太陽電池は、絶縁体である透明基板10の上に互いに断絶(絶縁)され、帯状に形成された透明電極22と、透明電極22を覆って帯状に形成された単位太陽電池(半導体)層24、太陽電池層24を覆って帯状に形成された金属裏面電極層26からなり、切断(絶縁)された複数の単位セル20が互いに直列接続した構造を有する。そして、太陽電池の電気的な短絡防止及び保護を目的として、樹脂からなる裏面保護膜層30が金属裏面電極26を覆って形成される構成を有する。
【0012】
このような構造の集積型薄膜太陽電池1を製作するためには、レーザパターニング法と、化学的気化加工(chemical vaporization machining;CVM)と、金属針による機械的スクライビング法などが通常用いられている。
【0013】
レーザパターニング法は、主にYAGレーザビームを用いて、透明電極22と、太陽電池(半導体)層24、金属裏面電極層26などをエッチングする技術である。詳細な使用方法は、以下の通りである。
【0014】
図2に示すように、透明基板10上に最初に形成される透明電極22を大気状態でレーザビームを利用してエッチングした後、2回目に形成される太陽電池(半導体)層24を大気状態でレーザビームを利用して切断(絶縁)し、最後に形成される金属裏面電極層26を再び大気状態でレーザパターニングによりエッチングすることによって、太陽電池を直列接続させて集積型太陽電池の単位セルを形成する。
【0015】
以下、このようなレーザパターニング法の問題点を指摘する。
【0016】
まず、透明基板10の上部全面に形成された透明電極22を、図2に示すように、レーザパターニング法により切断して、一定の幅を有する帯状に切断(絶縁)させると、加工された切断幅は、通常、50μm〜数100μm程度になる。
【0017】
ところが、透明電極22の形成後に形成される太陽電池(半導体)層24の形成工程がほとんど真空状態で行われることに対し、この太陽電池(半導体)層24を切断するためのレーザパターニングは大気状態で行われる。したがって、真空中での連続的な工程を行うことができないので、製造装置の稼動効率が低下するようになる。結局、このような工程は、太陽電池のコストを上げる要因として作用する。また、太陽電池層24のエッチングのために基板を大気中に露出するため、水分及び汚染物質の付着により、太陽電池の単位セルの特性が低下するという問題が発生する恐れがある。
【0018】
その次のステップとして、通常のスパッタリング法により、金属裏面電極26を真空中で形成し、再度大気中でレーザパターニングして、集積型太陽電池の単位セルを製作するようになるが、このような工程も、上記のような工程の連続性と汚染という問題を引き起こす恐れがある。そして、透明電極22及び太陽電池(半導体)層24の切断のために実施される2回のレーザパターニングと、金属裏面電極26を切断すると同時に太陽電池を直列接続するために実施される1回のレーザパターニングの合計3回にわたって、レーザパターニングにより消失する太陽電池の単位セル20と単位セル20間の無効面積(切断幅)が広くなる。これにより、太陽電池の有効面積の損失が大きくなるという問題がある。また、パターニングのためのレーザ装備が高価であり、正確な位置でパターニングするためには精密な位置制御システムが必要なため、これによって製造単価が上昇するという問題がある。
【0019】
一方、化学的気化加工法は、SF6/Heなどのガスを利用して基板の上部に近接してグリッド(grid)状に配列された直径数十μmの線電極の周辺に常圧のプラズマを局部的に発生させることによって、太陽電池(半導体)層を均一な幅を有する複数の単位セルとして一度に切断する技術である。
【0020】
このような化学的気化加工法は、工程時間が短く、膜の選択性に優れており、レーザパターニング法に比べて膜の損傷(damage)を少なくすることができるという特徴がある。また、レーザパターニング法とは異なり、真空状態でエッチングを行うため、レーザパターニング法で問題となる大気状態における基板の露出により発生する太陽電池の性能低下を防止することができ、レーザパターニング法に比べて製造単価を低減することができるという利点がある。
【0021】
しかしながら、パターニングされた透明電極に合せて正確な位置でエッチングを行わなければならないため、真空装置中で位置を正確に制御可能な精密位置制御システムが必要である。このような点は、大面積の基板を使用して太陽電池を製作する際に極めて難しい問題となる。また、エッチングできる間隔は最小200μm程度であって、レーザパターニング法による絶縁間隔より広いので、太陽電池の有効面積の損失が大きくなるという問題がある。
【0022】
一方、さらに他のエッチング方法として、機械的なスクライビング法がある。この方法は、複数の金属針により、必要な単位セル数に対応して一括したスクライビングが可能であり、レーザパターニング方に比べて拡張性及び高速処理への適応性が高い。また、この方法は、装置及び運転コストが上述の2つの方法に比べて最も低廉なエッチング法である。
【0023】
モリブデン(Mo)に比べて相対的に柔らかなCdS/CIS層は、スクライビング法により容易にスクライビングすることができるため、この機械的なスクライビング法はCIS太陽電池の製作に広く用いられている。
【0024】
しかしながら、既存の機械的なスクライビング法も、太陽電池(半導体)層にのみ限定して用いられるので、裏面電極として用いられるモリブデン(Mo)、及び前面電極として用いられるZnOをエッチングするためには、レーザパターニング装備及び正確な位置制御のための精密位置制御装置などが必要であるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0025】
そこで、本発明は、上述の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、集積型薄膜太陽電池の単位素子間の絶縁間隔を減らして太陽電池の有効面積を広め、電極形成後の全ての工程が真空中で行われるようにし、簡単な工程で太陽電池の単位素子を直列接続して、集積型薄膜太陽電池を提供することにある。
【0026】
本発明の他の目的は、上述の集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、性能低下を防止し、製造単価を低減するための製造方法を提供することにある。
【0027】
本発明のさらに他の目的は、上述の集積型薄膜太陽電池の性能低下が無視できる程度に小さく、かつ所望の高電圧を1つの単位セルで得ることができる集積型薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0028】
本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む。
【0029】
ここで、前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
【0030】
ここで、前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
【0031】
ここで、前記ステップ(a)が、前記基板上に薄膜の前記第1導電性物質を形成するステップ(a−1)と、前記第1導電性物質上に印刷法を利用して、一定距離に離間するようにフォトレジスト(photoresist;PR)又はポリマー帯を塗布してパターンを形成するステップ(a−2)と、前記塗布されたフォトレジスト又はポリマーパターンをマスクとして、前記第1導電性物質をエッチングするステップ(a−3)と、前記フォトレジスト又はポリマーパターンを除去するステップ(a−4)と、をさらに含む。
【0032】
ここで、前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が等方性エッチング法を利用してエッチングされ、湾曲するように傾斜した断面を有する。
【0033】
ここで、前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質がメサ(mesa)エッチングされ、傾斜した断面を有する。
【0034】
ここで、前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が異方性エッチング法を利用して前記基板に対して垂直方向にエッチングされる。
【0035】
ここで、前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が垂直方向にエッチングされる。
【0036】
ここで、前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が傾斜した方向に傾斜エッチングされる。
【0037】
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
【0038】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている。
【0039】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と、を含む。
【0040】
ここで、前記第1乃至第4導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
【0041】
ここで、前記ステップ(f)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
【0042】
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
【0043】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と、を含む集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている。
【0044】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む。
【0045】
ここで、前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
【0046】
ここで、前記基板の凹凸が、ホットエンボス(hot−embossing)法により形成される。
【0047】
ここで、前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
【0048】
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
【0049】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている。
【発明の効果】
【0050】
本発明の構成によれば、既存のレーザパターニング及び化学的気化加工法に比べて、集積型薄膜太陽電池の単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるため、太陽電池の有効面積を極大化することができ、これにより、太陽電池の性能を向上させることができるという効果がある。
【0051】
また、自己整列が可能であるため、正確な位置制御装置が不要になり、透明電極の加工時には印刷法を利用することにより、レーザ、精密位置制御システムなどの高価装備が不要になるので、これに伴う製造単価を低減することができる。また、透明電極形成後の全ての工程が真空中で行われるため、大気状態に露出することによる太陽電池の性能低下を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【0052】
以下では、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【0053】
一方、本発明での基板は、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板の意味で用いられ、以下では、説明の便宜上、基板が導電性である場合と絶縁性である場合に分けて説明する。
【0054】
したがって、本発明の請求項に記載された基板は、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性の基板の意味を含む。ここで、絶縁膜が使用されるのは、基板が導電性である場合、他の導電性物質と電気的に接続されるからである。
【0055】
(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0056】
図3は、本発明に係る一実施形態における、絶縁性基板101に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。
【0057】
同図に示すように、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池は、絶縁性基板101上に傾斜断面を有する導電性物質102と、太陽電池(半導体)層103、第1透明導電性物質104、第2透明導電性物質105が順に積層された構造を有する。
【0058】
すなわち、導電性物質102は、左右に隣接している導電性物質102間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。太陽電池(半導体)層103及び第1透明導電性物質104は、パターニングされた導電性物質102上に蒸着される。第2透明導電性物質105は第1透明導電性物質104上に位置し、隣接している一方の導電性物質102と接触し、電気的に直列接続する構造を形成する。
【0059】
このとき、導電性物質102のパターニングされた側部は、同図に示すように、一定の勾配を有する傾斜断面であるが、これに限定されず、湾曲する傾斜断面、又は基板101に対して垂直な断面であってもよい。
【0060】
このような本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、次の通りである。
【0061】
図4〜図10は、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造するための工程ステップを順次に示す断面図である。
【0062】
まず、図4は、本発明に係る一実施形態におけるパターニングされた導電性物質102が形成された絶縁性基板101の断面図である。
【0063】
同図に示すように、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、絶縁性基板101上にパターニングされた導電性物質102を形成する。
【0064】
ここで、絶縁性基板101は、透明基板又は不透明基板である。導電性物質102は、酸化亜鉛(ZnO))、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO))のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0065】
そして、パターニングされた導電性物質102は、表面凹凸のある場合と、表面凹凸のない場合の何れも場合であってもよい。
【0066】
このような導電性物質102をパターニングする工程は、図5に示すように、絶縁性基板101上に薄膜の導電性物質層102を形成し、導電性物質層102上には、印刷法でフォトレジスト(photo resist;PR)又はポリマー102aを塗布する。ここで、該フォトレジスト又はポリマー102aの粘性の度合を調節して、互いに一定距離に離間するように塗布する。塗布の後、フォトレジスト又はポリマー102aをマスクとして、導電性物質102をエッチングし、フォトレジストタ又はポリマー102aを除去する。
【0067】
このとき用いられる印刷法として、印刷装置が最も簡単で、かつ、廉価の工程で簡便にパターン化されたフォトレジスト、ポリマー薄膜を塗布することが可能なスクリーン印刷(screen printing)法、最も高精細なパターン形成が可能なグラビア印刷(gravure press)法などを利用する。
【0068】
そして、導電性物質102をエッチングする場合、異方性エッチング法、または等方性エッチング法を利用する。等方性エッチング法を利用した場合、図4に示すように、両側部が曲線で湾曲した傾斜面であり、下部へ行くほどその幅が大きくなるパターンに導電性物質102を形成することができる。
【0069】
また、異方性エッチング法を利用した場合、図6a及び図6bに示すように、基板に対して垂直な断面、または、一定の勾配を有する傾斜した断面を有するパターンに導電性物質102を形成することができる。
【0070】
このように、本発明に係る一実施形態における導電性物質102をエッチングする工程に各印刷法の原理を活用すると、高密度パターンの印刷が可能であり、薄膜の均質性が良く、比較的工程が簡単であり、かつ既存の工程で必要であったレーザパターニングのための高価な装備が不要になるから、製造単価を低減することができる。
【0071】
さらに、導電性物質102をパターニングするための上述の方法以外に、所定のフォトレジストが光を受けると化学反応を起こして性質が変化する原理を利用したフォトリソグラフィ(photolithography)を活用することによって、印刷法により塗布されたポリマーの代りに、フォトレジストを形成して実現することもできる。
【0072】
また、導電性物質膜製造用原料を含有したゾル−ゲル溶液をインクのように使用し、印刷法を活用することによって、上述の印刷法またはフォトリソグラフィを利用したフォトレジストやポリマーパターンを使用することなく、導電性物質膜を基板上に直接塗布することができる。このような方法は、マスク作業によるエッチング工程を行うことなく、帯状にパターン化された導電性物質を低温工程により直接形成することが可能である。
【0073】
ここで、上述の第2導電性物質403をパターニングしてエッチングする技術は、既に本出願人が韓国特許出願第2005−0021771号「集積型薄膜太陽電池用透明電極の加工方法及びその構造、その透明電極が形成された透明基板」で出願した内容である。なお、ここでの透明電極は、導電性物質を意味する。
【0074】
次に、図7は本発明に係る一実施形態における太陽電池(半導体)層103が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップでパターニングされた導電性物質102上、基板101の表面形状に沿って太陽電池層103を形成する。
【0075】
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、または乾式染料感応型太陽電池、及び有無機複合型太陽電池のうち、いずれか1つ以上を利用することができる。
【0076】
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池(amorphous silicon(a−Si:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン多重接合太陽電池(a−Si:H/a−Si:H,a−Si:H/a−Si:H/a−Si:H multi−junction solar cell)、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池(amorphous silicon−germanium(a−SiGe:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H double junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム/非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H/a−SiGe:H triple junction solar cell)、または非晶質シリコン/マイクロ結晶シリコン(多結晶シリコン)二重接合太陽電池(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell)、及びプロト結晶(protocrystalline)シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
【0077】
図8は、本発明に係る一実施形態における第1透明導電性物質104が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層103上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着することにより、第1透明導電性物質104を形成する。
【0078】
このとき、第1透明導電性物質104は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0079】
したがって、図8に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を介して第1角度θ1分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2aにより、第1透明導電性物質104が太陽電池層103上に薄い薄膜として蒸着され、傾斜面を含む一部分1aには、第1透明導電性物質104が形成されない。このような傾斜面を含む一部分1aは、下記のステップでエッチングされる区間である。
【0080】
図9a及び図9bは、本発明に係る一実施形態における第1透明導電性物質104をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図である。ここで、導電性物質102の断面形状に応じて、3種類の方法に区分することができる。
【0081】
すなわち、図9a及び図9bに示すように、導電性物質102、102´の断面が傾斜面である場合、図7の工程により蒸着された第1透明導電性物質104をマスクとして、太陽電池層103を垂直方向にエッチングする。エッチングの際、反応性イオンエッチング法(Reactive Ion Etching;RIE)などのようなドライエッチング工程を利用することが好ましい。
【0082】
そして、図9cに示すように、導電性物質102´´が垂直な断面である場合には、図7の工程で蒸着された第1透明導電性物質104をマスクとして、太陽電池層103を基板に対して一定の第2角度θ2分傾斜した方向にエッチングする。
【0083】
なお、説明していない符号1b、1cは、傾斜断面又は垂直断面を有する透明電極102´、102´´上に蒸着された第1透明導電性物質104が形成されない区間であって、下記のステップでエッチングされる部分である。
【0084】
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく太陽電池層103の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μm〜数μm程度に実現することができる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができることから、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
【0085】
最後に、図10aは、図9aに示す工程によってエッチングされた第1透明導電性物質104上に第2透明導電性物質105を形成する工程を示す図であり、図10bは、図9cに示す工程によってエッチングされた第1透明導電性物質104上に第2透明導電性物質105を形成する工程を示す図である。図9bに示す工程によってエッチングされた第1透明導電性物質104上に第2透明導電性物質105を形成する工程は、図10aに示す工程と同様なので、その説明を省略する。
【0086】
図10a及び図10bに示すように、前段階のエッチング工程により、単位素子間に所定の絶縁間隔が形成された状態で、第1透明導電性物質104を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第2透明導電性物質105を形成する。
【0087】
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第2透明導電性物質105を所定の第3角度θ3(図10a)、第4角度θ4(図10b)分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2b(図10a)、2c(図10b)により、第1透明導電性物質104上に薄い薄膜として形成され、斜めな第3角度θ3により、傾斜面の一部分1d(図10a)には、第2透明導電性物質105が形成されない。
【0088】
このとき、第2透明導電性物質105は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0089】
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の導電性物質102とこれと隣接した右側の単位素子の第2透明導電性物質105が互いに接続されると共に、左側の単位素子の太陽電池(半導体)層103と右側の単位素子の第2透明導電性物質105とが、互いに単位素子間で電気的に直列接続した状態となる。
【0090】
透明導電性物質は導電性が小さいため、第2透明導電性物質105が蒸着された後に、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。なお、透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
【0091】
金属は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又はアルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0092】
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列(self−alingment)により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池を製造することが可能になる。
【0093】
(2)導電性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0094】
図11は、本発明に係る他の実施形態であって、導電性基板101に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0095】
図11の(a)において、導電性基板101上に絶縁膜101aを形成する。図11の(b)において、絶縁膜101a上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた導電性物質102を形成する。
【0096】
図11の(c)において、導電性物質102が形成された基板上に、太陽電池(半導体)層103を形成する。
【0097】
図11の(d)において、太陽電池層103上に第1透明導電性物質104を斜めに蒸着させた後、図11の(e)において、第1透明導電性物質104をマスクとして、太陽電池層103をエッチングする。
【0098】
図11の(f)において、太陽電池層103がエッチングされた基板上に第2透明導電性物質105を斜めに蒸着して、導電性物質102と第2透明導電性物質105とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0099】
図11の(f)に示すように、本発明に係る他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、導電性基板101上に絶縁膜101a、導電性物質102と、太陽電池(半導体)層103、第1透明導電性物質104、第2透明導電性物質105が順に積層された構造を有する。
【0100】
すなわち、導電性物質102は、左右に隣接している導電性物質102間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成される。太陽電池(半導体)層103及び第1透明導電性物質104は、パターニングされた導電性物質102上に蒸着される。第2透明導電性物質105は、第1透明導電性物質104上に位置し、隣接している一方向の導電性物質102と接触し、単位素子間で電気的に直列接続する構造を形成する。
【0101】
このとき、導電性物質102のパターニングされた側部は、一定の勾配を有する傾斜断面であるが、これに限定されず、湾曲する傾斜断面、又は基板101に対して垂直な断面であってもよい。
【0102】
図11の(a)に示すように、基板101が導電性であるため、基板101上に絶縁膜101aを形成しなければならない。その他の太陽電池の詳細な形成関係及び形成内容は、上述の「(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0103】
(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0104】
図12は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、絶縁性基板201に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0105】
図12の(b)に示すように、絶縁性基板201上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた第1導電性物質202を形成する。
【0106】
図12の(c)において、第1導電性物質202が形成された基板上に、第2導電性物質203を斜めに蒸着させる。
【0107】
図12の(d)において、第2導電性物質203が蒸着された基板上に、太陽電池(半導体)層204を形成する。
【0108】
図12の(e)において、太陽電池層204上に第1透明導電性物質205を斜めに蒸着させた後、図12の(f)において、第1透明導電性物質205をマスクとして、太陽電池層204をエッチングする。
【0109】
図12の(g)において、太陽電池層204がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質206を斜めに蒸着して、第2導電性物質203と第2透明導電性物質206とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0110】
図12の(g)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、絶縁性基板201上に第1導電性物質202、第2導電性物質203と、太陽電池(半導体)層204、第1透明導電性物質205、第2透明導電性物質206が順に積層された構造を有する。
【0111】
すなわち、第1導電性物質202は、左右に隣接している第1導電性物質202間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。第1導電性物質202のパターニングされた側部は、同図に示すように、基板201に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0112】
第1透明導電性物質205上に位置した第2透明導電性物質206は、隣接している一方の第2導電性物質203と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0113】
このような本発明の集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、以下の通りである。
【0114】
図12の(b)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、絶縁性基板201上にパターニングされた第1導電性物質202を形成する。
【0115】
ここで、絶縁性基板201は、透明基板又は不透明基板である。
【0116】
そして、パターニングされた第1導電性物質202は、表面凹凸のある場合と、表面凹凸のない場合の何れの場合であってもよい。
【0117】
次に、図12の(c)に示すように、第2導電性物質203は、第1導電性物質202がパターニングされた基板上に第5角度θ5で斜めに蒸着する。第5角度θ5分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2dにより、第2導電性物質203が第1導電性物質202上に薄い薄膜として蒸着され、第1導電性物質202の一側の垂直面及び第5角度θ5による一部分1dには、第2導電性物質203が形成されない。
【0118】
ここで、第1、第2導電性物質202、203は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0119】
図12の(d)は、太陽電池層204が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップで第2導電性物質203が蒸着された表面形状に沿って太陽電池層204を形成する。
【0120】
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、乾式染料感応型太陽電池、及び有無機複合型太陽電池のうち、何れか1つ以上を利用することができる。
【0121】
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池(amorphous silicon(a−Si:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン多重接合太陽電池(a−Si:H/a−Si:H,a−Si:H/a−Si:H/a−Si:H multi−junction solar cell)、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池(amorphous silicon−germanium(a−SiGe:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H double junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム/非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H/a−SiGe:H triple junction solar cell)、または非晶質シリコン/マイクロ結晶シリコン(多結晶シリコン)二重接合太陽電池(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell)、及びプロト結晶(protocrystalline)シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
【0122】
図12の(e)は、第1透明導電性物質205が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層204上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着させることによって、第1透明導電性物質205を形成する。
【0123】
このとき、第1透明導電性物質205は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0124】
したがって、図12の(e)に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して第1透明導電性物質205を第6角度θ6分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2eにより、第1透明導電性物質205が太陽電池層204上に薄膜として形成されるが、太陽電池層204の一側の垂直面及び第6角度θ6による一部分1eには、第1透明導電性物質205が形成されない。このような傾斜面を含む一部分1eは、下記のステップでエッチングされる区間である。
【0125】
図12の(f)は、第1透明導電性物質205をマスクとして、垂直エッチングした状態の断面図である。
【0126】
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく、太陽電池層204の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μm〜数μm程度に実現することがでる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるので、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
【0127】
図12の(g)は、第1透明導電性物質205上に第2透明導電性物質206を形成する工程を示す図である。
【0128】
図12の(g)に示すように、前段階のエッチング工程により単位素子間の所定絶縁間隔が形成された状態で、第1透明導電性物質205を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第2透明導電性物質206を形成する。
【0129】
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第2透明導電性物質206を第7角度θ7分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2fにより、第1透明導電性太陽電池層の一側の垂直面及び傾斜角による一部分1eを除いた部分に、第2透明導電性物質206が形成される。
【0130】
このとき、第2透明導電性物質206は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0131】
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の第2透明導電性物質206と、これと隣接した右側の単位素子の第2導電性物質203とが互いに接続されて、単位素子間が電気的に直列接続した状態となる。
【0132】
透明導電性物質は導電性が小さいため、第2透明導電性物質206が蒸着された後に互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。なお、透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
【0133】
金属は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又はアルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0134】
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列(self−alingment)により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池を製造することが可能になる。
【0135】
基板上に導電性物質がパターニングされる方法、その他の詳細な形成関係、及び形成内容などは、「(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0136】
(4)導電性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0137】
図13は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、導電性基板201に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0138】
図13の(a)において、導電性基板201上に絶縁膜201aを形成する。
【0139】
図13の(b)において、絶縁膜201a上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた第1導電性物質202を形成する。
【0140】
図13の(c)において、第1導電性物質202が形成された基板上に、第2導電性物質203を斜めに蒸着させる。
【0141】
図13の(d)において、第2導電性物質203が蒸着された基板上に、太陽電池(半導体)層204を形成する。
【0142】
図13の(e)において、太陽電池層204上に第1透明導電性物質205を斜めに蒸着させた後、図13の(f)において、第1透明導電性物質205をマスクとして、太陽電池層204をエッチングする。
【0143】
図13の(g)において、太陽電池層204がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質206を斜めに蒸着して、第2導電性物質203と第2透明導電性物質206とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0144】
図13の(g)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、導電性基板201上に絶縁膜201a、第1導電性物質202、第2導電性物質203と、太陽電池(半導体)層204、第1透明導電性物質205、第2透明導電性物質206が順に積層された構造を有する。
【0145】
すなわち、第1導電性物質202は、左右に隣接している第1導電性物質202間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。第1導電性物質202のパターニングされた側部は、図示のように、基板201に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0146】
第2透明導電性物質206は第1透明導電性物質205上に位置し、隣接している一方の第2導電性物質203と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0147】
図13の(a)では、基板201が導電性であるため、基板201上に絶縁膜201aを形成しなければならず、その他の詳細な形成関係及び形成内容などは、「(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0148】
(5)パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0149】
図14は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板301に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0150】
図14の(b)では、凹凸が形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302を斜めに蒸着させる。
【0151】
図14の(c)では、導電性物質302が蒸着される基板上に、太陽電池(半導体)層303を形成する。
【0152】
図14の(d)では、太陽電池層303上に第1透明導電性物質304を斜めに蒸着させた後、図14の(e)では、第1透明導電性物質304をマスクとして、太陽電池層303をエッチングする。
【0153】
図14の(f)では、太陽電池層303がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質305を斜めに蒸着して、導電性物質302と第2透明導電性物質305とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0154】
図14の(f)に示すように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302、太陽電池(半導体)層303、第1透明導電性物質304、第2透明導電性物質305が順に積層された構造を有する。
【0155】
図示されるように、パターニングされた凹凸が表面に形成された基板において、凹凸の側部は直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0156】
第2透明導電性物質305は、第1透明導電性物質304上に位置し、隣接している一方の導電性物質302と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0157】
このような本発明のさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、次の通りである。
【0158】
図14の(b)に示すように、本発明のさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、凹凸の形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302を第5角度θ5で斜めに蒸着する。第5角度θ5分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2dにより、導電性物質302が絶縁性基板301上に薄膜として形成されるが、凹凸の形成された基板301の一側の垂直面及び第5角度θ5による一部分1dには、導電性物質302が形成されない。
【0159】
ここで、導電性物質302は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0160】
図14の(c)は、太陽電池層303が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップで導電性物質302が蒸着された表面形状に沿って、太陽電池層303を形成する。
【0161】
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、乾式染料感応型太陽電池のうち、何れか1つ以上を利用することができる。
【0162】
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池(amorphous silicon(a−Si:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン多重接合太陽電池(a−Si:H/a−Si:H,a−Si:H/a−Si:H/a−Si:H multi−junction solar cell)、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池(amorphous silicon−germanium(a−SiGe:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H double junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム/非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H/a−SiGe:H triple junction solar cell)、または非晶質シリコン/マイクロ結晶シリコン(多結晶シリコン)二重接合太陽電池(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell)、及びプロト結晶(protocrystalline)シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
【0163】
図14の(d)は、第1透明導電性物質304が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層303上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着させることによって、第1透明導電性物質304を形成する。
【0164】
このとき、第1透明導電性物質304は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0165】
したがって、図14の(d)に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第1透明導電性物質304を第6角度θ6分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2eにより、第1透明導電性物質304が太陽電池層303上に薄膜として形成されるが、太陽電池層303の一側の垂直面及び角度第6角度θ6による一部分1eには、第1透明導電性物質304が形成されない。このような傾斜面を含む一部分1eは、下記のステップでエッチングされる区間である。
【0166】
図14の(e)は、第1透明導電性物質304をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図である。
【0167】
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく、太陽電池層303の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μm〜数μm程度に実現することができる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるので、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
【0168】
図14の(f)は、第1透明導電性物質304上に第2透明導電性物質305を形成する工程を示す図である。
【0169】
図14の(f)に示すように、前段階のエッチング工程により単位素子間の所定絶縁間隔が形成された状態で、第1透明導電性物質304を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第2透明導電性物質305を形成する。
【0170】
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第2透明導電性物質305を第7角度θ7分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2fにより、太陽電池層303の一側の垂直面及び傾斜角(第7角度θ7)による一部分1eを除いた部分に、第2透明導電性物質305が形成される。
【0171】
このとき、第2透明導電性物質305は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0172】
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の第2透明導電性物質305と、これと隣接した右側の単位素子の導電性物質302とが互いに接続されて、単位素子間が電気的に直列接続した状態となる。
【0173】
透明導電性物質は導電性が小さいため、第2透明導電性物質305が蒸着された後に互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
【0174】
金属は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0175】
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池の製造が可能になる。
【0176】
凹凸の形成された基板は、平らな基板にホットエンボス(hot−embossing)法を使用して形成することが好ましい。
【0177】
基板上に導電性物質がパターニングされる方法、その他の詳細な形成関係、及び形成内容などは、「(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0178】
(6)パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0179】
図15は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板301に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0180】
図15の(a)では、パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板301上に、絶縁膜301aを形成する。
【0181】
図15の(b)では、絶縁膜301a上に導電性物質302を斜めに蒸着させる。
【0182】
図15の(c)では、導電性物質302が蒸着される基板上に、太陽電池(半導体)層303を形成する。
【0183】
図15の(d)では、太陽電池層303上に第1透明導電性物質304を斜めに蒸着させた後、図15の(e)では、第1透明導電性物質304をマスクとして、太陽電池層303をエッチングする。
【0184】
図15の(f)では、太陽電池層303がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質305を斜めに蒸着して、導電性物質302と第2透明導電性物質305とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0185】
図15の(f)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態において、集積型薄膜太陽電池は、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302、太陽電池(半導体)層303、第1透明導電性物質304、第2透明導電性物質305が順に積層された構造を有する。
【0186】
図示されているように、パターニングされた凹凸が表面に形成された基板において、凹凸の側部は直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲となすな傾斜断面であってもよい。
【0187】
第2透明導電性物質305は、第1透明導電性物質304上に位置し、隣接している一方の導電性物質302と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0188】
図15の(a)に示すように、導電性基板301に絶縁膜301aを形成することを除くと、その詳細な形成関係及び形成内容などは、「(5)パターニングされた凹凸が形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0189】
(7)透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0190】
本発明に係るさらに他の実施形態であって、透明基板を使用する際の3回の傾斜蒸着に基づく集積型薄膜太陽電池構造の形成関係は、図12に示す図面にて説明する。
【0191】
図12の(b)において、透明基板201上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた透明電極202を形成する。
【0192】
図12の(c)において、透明電極202が形成された基板上に、透明導電性物質203を斜めに蒸着させる。
【0193】
図12の(d)において、透明導電性物質203が蒸着される基板上に、太陽電池(半導体)層204を形成する。
【0194】
図12の(e)において、太陽電池層204上に金属を斜めに蒸着して、1次金属裏面電極205を形成させた後、図12の(f)において、1次金属裏面電極205をマスクとして、太陽電池層204をエッチングする。
【0195】
図12の(g)において、太陽電池層204がエッチングされた基板上に金属を斜めに蒸着して、透明導電性物質203と接続されるように2次金属裏面電極206を形成して、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0196】
図12の(g)に示す形態のように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、透明基板201上に、透明電極202、透明導電性物質203と、太陽電池(半導体)層204、1次金属裏面電極205、2次金属裏面電極206が順に積層された構造を有する。
【0197】
すなわち、透明電極202は、左右に隣接している透明電極202間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。透明電極202のパターニングされた側部は、図示のように、基板201に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0198】
2次金属裏面電極206は、1次金属裏面電極205上に位置し、隣接している一方向の透明導電性物質203と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0199】
その他の詳細な形成関係、形成内容などは、「(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0200】
但し、「(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」の形成工程が示された図12の第1導電性物質、第2導電性物質、第1透明導電性物質、第2透明導電性物質は、「(7)透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」での透明電極、透明導電性物質、1次金属裏面電極、2次金属裏面電極にそれぞれ対応する。
【0201】
透明電極及び透明導電性物質は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【0202】
1次金属裏面電極及び2次金属裏面電極は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【0203】
(8)パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0204】
本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板を使用する際の、3回の傾斜蒸着に基づく集積型薄膜太陽電池構造の形成関係は、図14にて説明する。
【0205】
図14の(b)において、パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板301上に、透明導電性物質302を斜めに蒸着させる。
【0206】
図14の(c)において、透明導電性物質302が蒸着された基板上に、太陽電池(半導体)層303を形成する。
【0207】
図14(d)において、太陽電池層303上に金属を斜めに蒸着して、1次金属裏面電極304を形成させた後、図14(e)において、1次金属裏面電極304をマスクとして、太陽電池層303をエッチングする。
【0208】
図14(f)において、太陽電池層303がエッチングされた基板上に金属を斜めに蒸着して、透明導電性物質302と接続されるように2次金属裏面電極305を形成して、太陽電気セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0209】
図14の(f)に示す状態のように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、凹凸の形成された透明基板301上に、透明導電性物質302、太陽電池(半導体)層303、1次金属裏面電極304、2次金属裏面電極305が順に積層された構造を有する。
【0210】
図示されているように、凹凸のある基板において、凹凸の側部は基板の水平方向に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0211】
2次金属裏面電極305は、1次金属裏面電極304上に位置し、隣接している一方向の透明導電性物質302と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0212】
その他の詳細な形成関係及び形成内容などは、「(5)パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0213】
但し、「(5)パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」において、導電性物質、第1透明導電性物質、第2透明導電性物質は、「(8)パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」での透明導電性物質、1次金属裏面電極、2次金属裏面電極にそれぞれ対応する。
【0214】
透明電極及び透明導電性物質は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【0215】
1次金属裏面電極及び2次金属裏面電極は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【図面の簡単な説明】
【0216】
【図1】従来の集積型薄膜太陽電池の構造を示した図である。
【図2】従来の集積型薄膜太陽電池用透明電極、太陽電池層、金属裏面電極を加工するためのレーザパターニング工程を示す一実施形態である。
【図3】本発明に係る一実施形態であって、絶縁性基板に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。
【図4】本発明のパターニングされた導電性物質が形成された基板の断面図である。
【図5】図4に示す導電性物質をパターニングするための印刷法工程を順次示す図である。
【図6】本発明によってパターニングされた導電性物質の他の実施形態である。
【図7】本発明に係る太陽電池層が形成された状態の断面図である。
【図8】本発明に係る第1透明導電性物質が形成された状態の断面図である。
【図9】本発明に係る第1透明導電性物質をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図(a)及び(b)と傾斜エッチングした状態の断面図(c)である。
【図10】本発明に係る第2透明導電性物質が形成された状態の断面図である。
【図11】本発明に係る他の実施形態(2)であって、導電性基板に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図12】本発明に係るさらに他の実施形態(3)及び(7)であって、絶縁性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図13】本発明に係るさらに他の実施形態(4)であって、導電性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図14】本発明に係るさらに他の実施形態(5)及び(8)であって、凹凸が形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図15】本発明に係るさらに他の実施形態(6)であって、凹凸が形成された導電性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【技術分野】
【0001】
本発明は、集積型薄膜太陽電池(Integrated thin−film solar cells)に関し、さらに詳細には、集積型太陽電池の製造工程で発生する面積の損失を最小化し、低コストの工程で製造可能な集積型薄膜太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
太陽電池は、太陽光熱エネルギーを直接電気に変換させる半導体素子であって、これに用いられる材料によって、大きくシリコン系、化合物系、有機物系に分類することができる。
【0003】
そして、シリコン系太陽電池は、半導体の相(phase)に応じて、細部的に単結晶(single crystalline)シリコン太陽電池、多結晶(polycrystalline)シリコン太陽電池、非晶質(amorphous)シリコン太陽電池に分類される。
【0004】
また、太陽電池は、半導体の厚さに応じてバルク(基板)型太陽電池と薄膜型太陽電池に分類されるが、薄膜型太陽電池は、半導体層の厚さが数10μm〜数μm以下の太陽電池である。
【0005】
シリコン系太陽電池における単結晶及び多結晶シリコン太陽電池はバルク型に属し、非晶質シリコン太陽電池は薄膜型に属する。
【0006】
一方、化合物系太陽電池は、III−V族のGaAs(Gallium Arsenide)とInP(Indium Phosphide)などのバルク型、II−VI族のCdTe(Cadmium Telluride)、及びI−III−VI族のCuInSe2(CIS;Copper Indium Diselenide)などの薄膜型に分類され、有機物系太陽電池は、大きく有機分子型と有無機複合型がある。この他に染料感応型太陽電池があり、これら全てが薄膜型に属する。
【0007】
このように、様々な種類の太陽電池の中で、エネルギー変換効率が高く、かつ、製造費用の相対的に低廉なバルク型シリコン太陽電池が、主に地上電力用として幅広く活用されてきている。
【0008】
しかしながら、最近では、バルク型シリコン太陽電池の需要急増に伴う原料の不足現象により、コストアップにつながっているのが現状である。そのため、大規模な地上電力用太陽電池の低コスト化及び量産化技術の開発のためには、シリコン原料を現在の数百分の1に低減可能な薄膜型太陽電池の開発が切実に求められている。
【0009】
図1は、従来の集積型薄膜太陽電池の構造を示した図であり、図2は、従来の集積型薄膜太陽電池用透明電極、太陽電池(半導体)層、金属裏面電極を加工するためのレーザパターニング工程を示す一実施形態である。
【0010】
同図に示すように、従来の集積型薄膜太陽電池1は、ガラス基板又は透明プラスチック基板10(以下、「透明基板」と記す)上に複数の単位セル20が直列接続して集積化した構造からなる。
【0011】
したがって、集積型薄膜太陽電池は、絶縁体である透明基板10の上に互いに断絶(絶縁)され、帯状に形成された透明電極22と、透明電極22を覆って帯状に形成された単位太陽電池(半導体)層24、太陽電池層24を覆って帯状に形成された金属裏面電極層26からなり、切断(絶縁)された複数の単位セル20が互いに直列接続した構造を有する。そして、太陽電池の電気的な短絡防止及び保護を目的として、樹脂からなる裏面保護膜層30が金属裏面電極26を覆って形成される構成を有する。
【0012】
このような構造の集積型薄膜太陽電池1を製作するためには、レーザパターニング法と、化学的気化加工(chemical vaporization machining;CVM)と、金属針による機械的スクライビング法などが通常用いられている。
【0013】
レーザパターニング法は、主にYAGレーザビームを用いて、透明電極22と、太陽電池(半導体)層24、金属裏面電極層26などをエッチングする技術である。詳細な使用方法は、以下の通りである。
【0014】
図2に示すように、透明基板10上に最初に形成される透明電極22を大気状態でレーザビームを利用してエッチングした後、2回目に形成される太陽電池(半導体)層24を大気状態でレーザビームを利用して切断(絶縁)し、最後に形成される金属裏面電極層26を再び大気状態でレーザパターニングによりエッチングすることによって、太陽電池を直列接続させて集積型太陽電池の単位セルを形成する。
【0015】
以下、このようなレーザパターニング法の問題点を指摘する。
【0016】
まず、透明基板10の上部全面に形成された透明電極22を、図2に示すように、レーザパターニング法により切断して、一定の幅を有する帯状に切断(絶縁)させると、加工された切断幅は、通常、50μm〜数100μm程度になる。
【0017】
ところが、透明電極22の形成後に形成される太陽電池(半導体)層24の形成工程がほとんど真空状態で行われることに対し、この太陽電池(半導体)層24を切断するためのレーザパターニングは大気状態で行われる。したがって、真空中での連続的な工程を行うことができないので、製造装置の稼動効率が低下するようになる。結局、このような工程は、太陽電池のコストを上げる要因として作用する。また、太陽電池層24のエッチングのために基板を大気中に露出するため、水分及び汚染物質の付着により、太陽電池の単位セルの特性が低下するという問題が発生する恐れがある。
【0018】
その次のステップとして、通常のスパッタリング法により、金属裏面電極26を真空中で形成し、再度大気中でレーザパターニングして、集積型太陽電池の単位セルを製作するようになるが、このような工程も、上記のような工程の連続性と汚染という問題を引き起こす恐れがある。そして、透明電極22及び太陽電池(半導体)層24の切断のために実施される2回のレーザパターニングと、金属裏面電極26を切断すると同時に太陽電池を直列接続するために実施される1回のレーザパターニングの合計3回にわたって、レーザパターニングにより消失する太陽電池の単位セル20と単位セル20間の無効面積(切断幅)が広くなる。これにより、太陽電池の有効面積の損失が大きくなるという問題がある。また、パターニングのためのレーザ装備が高価であり、正確な位置でパターニングするためには精密な位置制御システムが必要なため、これによって製造単価が上昇するという問題がある。
【0019】
一方、化学的気化加工法は、SF6/Heなどのガスを利用して基板の上部に近接してグリッド(grid)状に配列された直径数十μmの線電極の周辺に常圧のプラズマを局部的に発生させることによって、太陽電池(半導体)層を均一な幅を有する複数の単位セルとして一度に切断する技術である。
【0020】
このような化学的気化加工法は、工程時間が短く、膜の選択性に優れており、レーザパターニング法に比べて膜の損傷(damage)を少なくすることができるという特徴がある。また、レーザパターニング法とは異なり、真空状態でエッチングを行うため、レーザパターニング法で問題となる大気状態における基板の露出により発生する太陽電池の性能低下を防止することができ、レーザパターニング法に比べて製造単価を低減することができるという利点がある。
【0021】
しかしながら、パターニングされた透明電極に合せて正確な位置でエッチングを行わなければならないため、真空装置中で位置を正確に制御可能な精密位置制御システムが必要である。このような点は、大面積の基板を使用して太陽電池を製作する際に極めて難しい問題となる。また、エッチングできる間隔は最小200μm程度であって、レーザパターニング法による絶縁間隔より広いので、太陽電池の有効面積の損失が大きくなるという問題がある。
【0022】
一方、さらに他のエッチング方法として、機械的なスクライビング法がある。この方法は、複数の金属針により、必要な単位セル数に対応して一括したスクライビングが可能であり、レーザパターニング方に比べて拡張性及び高速処理への適応性が高い。また、この方法は、装置及び運転コストが上述の2つの方法に比べて最も低廉なエッチング法である。
【0023】
モリブデン(Mo)に比べて相対的に柔らかなCdS/CIS層は、スクライビング法により容易にスクライビングすることができるため、この機械的なスクライビング法はCIS太陽電池の製作に広く用いられている。
【0024】
しかしながら、既存の機械的なスクライビング法も、太陽電池(半導体)層にのみ限定して用いられるので、裏面電極として用いられるモリブデン(Mo)、及び前面電極として用いられるZnOをエッチングするためには、レーザパターニング装備及び正確な位置制御のための精密位置制御装置などが必要であるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0025】
そこで、本発明は、上述の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、集積型薄膜太陽電池の単位素子間の絶縁間隔を減らして太陽電池の有効面積を広め、電極形成後の全ての工程が真空中で行われるようにし、簡単な工程で太陽電池の単位素子を直列接続して、集積型薄膜太陽電池を提供することにある。
【0026】
本発明の他の目的は、上述の集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、性能低下を防止し、製造単価を低減するための製造方法を提供することにある。
【0027】
本発明のさらに他の目的は、上述の集積型薄膜太陽電池の性能低下が無視できる程度に小さく、かつ所望の高電圧を1つの単位セルで得ることができる集積型薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0028】
本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む。
【0029】
ここで、前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
【0030】
ここで、前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
【0031】
ここで、前記ステップ(a)が、前記基板上に薄膜の前記第1導電性物質を形成するステップ(a−1)と、前記第1導電性物質上に印刷法を利用して、一定距離に離間するようにフォトレジスト(photoresist;PR)又はポリマー帯を塗布してパターンを形成するステップ(a−2)と、前記塗布されたフォトレジスト又はポリマーパターンをマスクとして、前記第1導電性物質をエッチングするステップ(a−3)と、前記フォトレジスト又はポリマーパターンを除去するステップ(a−4)と、をさらに含む。
【0032】
ここで、前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が等方性エッチング法を利用してエッチングされ、湾曲するように傾斜した断面を有する。
【0033】
ここで、前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質がメサ(mesa)エッチングされ、傾斜した断面を有する。
【0034】
ここで、前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が異方性エッチング法を利用して前記基板に対して垂直方向にエッチングされる。
【0035】
ここで、前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が垂直方向にエッチングされる。
【0036】
ここで、前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が傾斜した方向に傾斜エッチングされる。
【0037】
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
【0038】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている。
【0039】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と、を含む。
【0040】
ここで、前記第1乃至第4導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
【0041】
ここで、前記ステップ(f)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
【0042】
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
【0043】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と、を含む集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている。
【0044】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む。
【0045】
ここで、前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
【0046】
ここで、前記基板の凹凸が、ホットエンボス(hot−embossing)法により形成される。
【0047】
ここで、前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
【0048】
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
【0049】
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、を含む集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている。
【発明の効果】
【0050】
本発明の構成によれば、既存のレーザパターニング及び化学的気化加工法に比べて、集積型薄膜太陽電池の単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるため、太陽電池の有効面積を極大化することができ、これにより、太陽電池の性能を向上させることができるという効果がある。
【0051】
また、自己整列が可能であるため、正確な位置制御装置が不要になり、透明電極の加工時には印刷法を利用することにより、レーザ、精密位置制御システムなどの高価装備が不要になるので、これに伴う製造単価を低減することができる。また、透明電極形成後の全ての工程が真空中で行われるため、大気状態に露出することによる太陽電池の性能低下を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【0052】
以下では、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【0053】
一方、本発明での基板は、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板の意味で用いられ、以下では、説明の便宜上、基板が導電性である場合と絶縁性である場合に分けて説明する。
【0054】
したがって、本発明の請求項に記載された基板は、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性の基板の意味を含む。ここで、絶縁膜が使用されるのは、基板が導電性である場合、他の導電性物質と電気的に接続されるからである。
【0055】
(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0056】
図3は、本発明に係る一実施形態における、絶縁性基板101に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。
【0057】
同図に示すように、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池は、絶縁性基板101上に傾斜断面を有する導電性物質102と、太陽電池(半導体)層103、第1透明導電性物質104、第2透明導電性物質105が順に積層された構造を有する。
【0058】
すなわち、導電性物質102は、左右に隣接している導電性物質102間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。太陽電池(半導体)層103及び第1透明導電性物質104は、パターニングされた導電性物質102上に蒸着される。第2透明導電性物質105は第1透明導電性物質104上に位置し、隣接している一方の導電性物質102と接触し、電気的に直列接続する構造を形成する。
【0059】
このとき、導電性物質102のパターニングされた側部は、同図に示すように、一定の勾配を有する傾斜断面であるが、これに限定されず、湾曲する傾斜断面、又は基板101に対して垂直な断面であってもよい。
【0060】
このような本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、次の通りである。
【0061】
図4〜図10は、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造するための工程ステップを順次に示す断面図である。
【0062】
まず、図4は、本発明に係る一実施形態におけるパターニングされた導電性物質102が形成された絶縁性基板101の断面図である。
【0063】
同図に示すように、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、絶縁性基板101上にパターニングされた導電性物質102を形成する。
【0064】
ここで、絶縁性基板101は、透明基板又は不透明基板である。導電性物質102は、酸化亜鉛(ZnO))、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO))のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0065】
そして、パターニングされた導電性物質102は、表面凹凸のある場合と、表面凹凸のない場合の何れも場合であってもよい。
【0066】
このような導電性物質102をパターニングする工程は、図5に示すように、絶縁性基板101上に薄膜の導電性物質層102を形成し、導電性物質層102上には、印刷法でフォトレジスト(photo resist;PR)又はポリマー102aを塗布する。ここで、該フォトレジスト又はポリマー102aの粘性の度合を調節して、互いに一定距離に離間するように塗布する。塗布の後、フォトレジスト又はポリマー102aをマスクとして、導電性物質102をエッチングし、フォトレジストタ又はポリマー102aを除去する。
【0067】
このとき用いられる印刷法として、印刷装置が最も簡単で、かつ、廉価の工程で簡便にパターン化されたフォトレジスト、ポリマー薄膜を塗布することが可能なスクリーン印刷(screen printing)法、最も高精細なパターン形成が可能なグラビア印刷(gravure press)法などを利用する。
【0068】
そして、導電性物質102をエッチングする場合、異方性エッチング法、または等方性エッチング法を利用する。等方性エッチング法を利用した場合、図4に示すように、両側部が曲線で湾曲した傾斜面であり、下部へ行くほどその幅が大きくなるパターンに導電性物質102を形成することができる。
【0069】
また、異方性エッチング法を利用した場合、図6a及び図6bに示すように、基板に対して垂直な断面、または、一定の勾配を有する傾斜した断面を有するパターンに導電性物質102を形成することができる。
【0070】
このように、本発明に係る一実施形態における導電性物質102をエッチングする工程に各印刷法の原理を活用すると、高密度パターンの印刷が可能であり、薄膜の均質性が良く、比較的工程が簡単であり、かつ既存の工程で必要であったレーザパターニングのための高価な装備が不要になるから、製造単価を低減することができる。
【0071】
さらに、導電性物質102をパターニングするための上述の方法以外に、所定のフォトレジストが光を受けると化学反応を起こして性質が変化する原理を利用したフォトリソグラフィ(photolithography)を活用することによって、印刷法により塗布されたポリマーの代りに、フォトレジストを形成して実現することもできる。
【0072】
また、導電性物質膜製造用原料を含有したゾル−ゲル溶液をインクのように使用し、印刷法を活用することによって、上述の印刷法またはフォトリソグラフィを利用したフォトレジストやポリマーパターンを使用することなく、導電性物質膜を基板上に直接塗布することができる。このような方法は、マスク作業によるエッチング工程を行うことなく、帯状にパターン化された導電性物質を低温工程により直接形成することが可能である。
【0073】
ここで、上述の第2導電性物質403をパターニングしてエッチングする技術は、既に本出願人が韓国特許出願第2005−0021771号「集積型薄膜太陽電池用透明電極の加工方法及びその構造、その透明電極が形成された透明基板」で出願した内容である。なお、ここでの透明電極は、導電性物質を意味する。
【0074】
次に、図7は本発明に係る一実施形態における太陽電池(半導体)層103が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップでパターニングされた導電性物質102上、基板101の表面形状に沿って太陽電池層103を形成する。
【0075】
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、または乾式染料感応型太陽電池、及び有無機複合型太陽電池のうち、いずれか1つ以上を利用することができる。
【0076】
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池(amorphous silicon(a−Si:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン多重接合太陽電池(a−Si:H/a−Si:H,a−Si:H/a−Si:H/a−Si:H multi−junction solar cell)、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池(amorphous silicon−germanium(a−SiGe:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H double junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム/非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H/a−SiGe:H triple junction solar cell)、または非晶質シリコン/マイクロ結晶シリコン(多結晶シリコン)二重接合太陽電池(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell)、及びプロト結晶(protocrystalline)シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
【0077】
図8は、本発明に係る一実施形態における第1透明導電性物質104が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層103上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着することにより、第1透明導電性物質104を形成する。
【0078】
このとき、第1透明導電性物質104は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0079】
したがって、図8に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を介して第1角度θ1分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2aにより、第1透明導電性物質104が太陽電池層103上に薄い薄膜として蒸着され、傾斜面を含む一部分1aには、第1透明導電性物質104が形成されない。このような傾斜面を含む一部分1aは、下記のステップでエッチングされる区間である。
【0080】
図9a及び図9bは、本発明に係る一実施形態における第1透明導電性物質104をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図である。ここで、導電性物質102の断面形状に応じて、3種類の方法に区分することができる。
【0081】
すなわち、図9a及び図9bに示すように、導電性物質102、102´の断面が傾斜面である場合、図7の工程により蒸着された第1透明導電性物質104をマスクとして、太陽電池層103を垂直方向にエッチングする。エッチングの際、反応性イオンエッチング法(Reactive Ion Etching;RIE)などのようなドライエッチング工程を利用することが好ましい。
【0082】
そして、図9cに示すように、導電性物質102´´が垂直な断面である場合には、図7の工程で蒸着された第1透明導電性物質104をマスクとして、太陽電池層103を基板に対して一定の第2角度θ2分傾斜した方向にエッチングする。
【0083】
なお、説明していない符号1b、1cは、傾斜断面又は垂直断面を有する透明電極102´、102´´上に蒸着された第1透明導電性物質104が形成されない区間であって、下記のステップでエッチングされる部分である。
【0084】
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく太陽電池層103の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μm〜数μm程度に実現することができる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができることから、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
【0085】
最後に、図10aは、図9aに示す工程によってエッチングされた第1透明導電性物質104上に第2透明導電性物質105を形成する工程を示す図であり、図10bは、図9cに示す工程によってエッチングされた第1透明導電性物質104上に第2透明導電性物質105を形成する工程を示す図である。図9bに示す工程によってエッチングされた第1透明導電性物質104上に第2透明導電性物質105を形成する工程は、図10aに示す工程と同様なので、その説明を省略する。
【0086】
図10a及び図10bに示すように、前段階のエッチング工程により、単位素子間に所定の絶縁間隔が形成された状態で、第1透明導電性物質104を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第2透明導電性物質105を形成する。
【0087】
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第2透明導電性物質105を所定の第3角度θ3(図10a)、第4角度θ4(図10b)分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2b(図10a)、2c(図10b)により、第1透明導電性物質104上に薄い薄膜として形成され、斜めな第3角度θ3により、傾斜面の一部分1d(図10a)には、第2透明導電性物質105が形成されない。
【0088】
このとき、第2透明導電性物質105は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0089】
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の導電性物質102とこれと隣接した右側の単位素子の第2透明導電性物質105が互いに接続されると共に、左側の単位素子の太陽電池(半導体)層103と右側の単位素子の第2透明導電性物質105とが、互いに単位素子間で電気的に直列接続した状態となる。
【0090】
透明導電性物質は導電性が小さいため、第2透明導電性物質105が蒸着された後に、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。なお、透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
【0091】
金属は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又はアルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0092】
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列(self−alingment)により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池を製造することが可能になる。
【0093】
(2)導電性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0094】
図11は、本発明に係る他の実施形態であって、導電性基板101に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0095】
図11の(a)において、導電性基板101上に絶縁膜101aを形成する。図11の(b)において、絶縁膜101a上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた導電性物質102を形成する。
【0096】
図11の(c)において、導電性物質102が形成された基板上に、太陽電池(半導体)層103を形成する。
【0097】
図11の(d)において、太陽電池層103上に第1透明導電性物質104を斜めに蒸着させた後、図11の(e)において、第1透明導電性物質104をマスクとして、太陽電池層103をエッチングする。
【0098】
図11の(f)において、太陽電池層103がエッチングされた基板上に第2透明導電性物質105を斜めに蒸着して、導電性物質102と第2透明導電性物質105とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0099】
図11の(f)に示すように、本発明に係る他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、導電性基板101上に絶縁膜101a、導電性物質102と、太陽電池(半導体)層103、第1透明導電性物質104、第2透明導電性物質105が順に積層された構造を有する。
【0100】
すなわち、導電性物質102は、左右に隣接している導電性物質102間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成される。太陽電池(半導体)層103及び第1透明導電性物質104は、パターニングされた導電性物質102上に蒸着される。第2透明導電性物質105は、第1透明導電性物質104上に位置し、隣接している一方向の導電性物質102と接触し、単位素子間で電気的に直列接続する構造を形成する。
【0101】
このとき、導電性物質102のパターニングされた側部は、一定の勾配を有する傾斜断面であるが、これに限定されず、湾曲する傾斜断面、又は基板101に対して垂直な断面であってもよい。
【0102】
図11の(a)に示すように、基板101が導電性であるため、基板101上に絶縁膜101aを形成しなければならない。その他の太陽電池の詳細な形成関係及び形成内容は、上述の「(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0103】
(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0104】
図12は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、絶縁性基板201に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0105】
図12の(b)に示すように、絶縁性基板201上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた第1導電性物質202を形成する。
【0106】
図12の(c)において、第1導電性物質202が形成された基板上に、第2導電性物質203を斜めに蒸着させる。
【0107】
図12の(d)において、第2導電性物質203が蒸着された基板上に、太陽電池(半導体)層204を形成する。
【0108】
図12の(e)において、太陽電池層204上に第1透明導電性物質205を斜めに蒸着させた後、図12の(f)において、第1透明導電性物質205をマスクとして、太陽電池層204をエッチングする。
【0109】
図12の(g)において、太陽電池層204がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質206を斜めに蒸着して、第2導電性物質203と第2透明導電性物質206とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0110】
図12の(g)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、絶縁性基板201上に第1導電性物質202、第2導電性物質203と、太陽電池(半導体)層204、第1透明導電性物質205、第2透明導電性物質206が順に積層された構造を有する。
【0111】
すなわち、第1導電性物質202は、左右に隣接している第1導電性物質202間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。第1導電性物質202のパターニングされた側部は、同図に示すように、基板201に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0112】
第1透明導電性物質205上に位置した第2透明導電性物質206は、隣接している一方の第2導電性物質203と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0113】
このような本発明の集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、以下の通りである。
【0114】
図12の(b)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、絶縁性基板201上にパターニングされた第1導電性物質202を形成する。
【0115】
ここで、絶縁性基板201は、透明基板又は不透明基板である。
【0116】
そして、パターニングされた第1導電性物質202は、表面凹凸のある場合と、表面凹凸のない場合の何れの場合であってもよい。
【0117】
次に、図12の(c)に示すように、第2導電性物質203は、第1導電性物質202がパターニングされた基板上に第5角度θ5で斜めに蒸着する。第5角度θ5分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2dにより、第2導電性物質203が第1導電性物質202上に薄い薄膜として蒸着され、第1導電性物質202の一側の垂直面及び第5角度θ5による一部分1dには、第2導電性物質203が形成されない。
【0118】
ここで、第1、第2導電性物質202、203は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0119】
図12の(d)は、太陽電池層204が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップで第2導電性物質203が蒸着された表面形状に沿って太陽電池層204を形成する。
【0120】
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、乾式染料感応型太陽電池、及び有無機複合型太陽電池のうち、何れか1つ以上を利用することができる。
【0121】
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池(amorphous silicon(a−Si:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン多重接合太陽電池(a−Si:H/a−Si:H,a−Si:H/a−Si:H/a−Si:H multi−junction solar cell)、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池(amorphous silicon−germanium(a−SiGe:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H double junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム/非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H/a−SiGe:H triple junction solar cell)、または非晶質シリコン/マイクロ結晶シリコン(多結晶シリコン)二重接合太陽電池(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell)、及びプロト結晶(protocrystalline)シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
【0122】
図12の(e)は、第1透明導電性物質205が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層204上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着させることによって、第1透明導電性物質205を形成する。
【0123】
このとき、第1透明導電性物質205は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0124】
したがって、図12の(e)に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して第1透明導電性物質205を第6角度θ6分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2eにより、第1透明導電性物質205が太陽電池層204上に薄膜として形成されるが、太陽電池層204の一側の垂直面及び第6角度θ6による一部分1eには、第1透明導電性物質205が形成されない。このような傾斜面を含む一部分1eは、下記のステップでエッチングされる区間である。
【0125】
図12の(f)は、第1透明導電性物質205をマスクとして、垂直エッチングした状態の断面図である。
【0126】
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく、太陽電池層204の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μm〜数μm程度に実現することがでる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるので、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
【0127】
図12の(g)は、第1透明導電性物質205上に第2透明導電性物質206を形成する工程を示す図である。
【0128】
図12の(g)に示すように、前段階のエッチング工程により単位素子間の所定絶縁間隔が形成された状態で、第1透明導電性物質205を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第2透明導電性物質206を形成する。
【0129】
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第2透明導電性物質206を第7角度θ7分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2fにより、第1透明導電性太陽電池層の一側の垂直面及び傾斜角による一部分1eを除いた部分に、第2透明導電性物質206が形成される。
【0130】
このとき、第2透明導電性物質206は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0131】
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の第2透明導電性物質206と、これと隣接した右側の単位素子の第2導電性物質203とが互いに接続されて、単位素子間が電気的に直列接続した状態となる。
【0132】
透明導電性物質は導電性が小さいため、第2透明導電性物質206が蒸着された後に互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。なお、透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
【0133】
金属は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又はアルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0134】
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列(self−alingment)により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池を製造することが可能になる。
【0135】
基板上に導電性物質がパターニングされる方法、その他の詳細な形成関係、及び形成内容などは、「(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0136】
(4)導電性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0137】
図13は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、導電性基板201に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0138】
図13の(a)において、導電性基板201上に絶縁膜201aを形成する。
【0139】
図13の(b)において、絶縁膜201a上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた第1導電性物質202を形成する。
【0140】
図13の(c)において、第1導電性物質202が形成された基板上に、第2導電性物質203を斜めに蒸着させる。
【0141】
図13の(d)において、第2導電性物質203が蒸着された基板上に、太陽電池(半導体)層204を形成する。
【0142】
図13の(e)において、太陽電池層204上に第1透明導電性物質205を斜めに蒸着させた後、図13の(f)において、第1透明導電性物質205をマスクとして、太陽電池層204をエッチングする。
【0143】
図13の(g)において、太陽電池層204がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質206を斜めに蒸着して、第2導電性物質203と第2透明導電性物質206とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0144】
図13の(g)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、導電性基板201上に絶縁膜201a、第1導電性物質202、第2導電性物質203と、太陽電池(半導体)層204、第1透明導電性物質205、第2透明導電性物質206が順に積層された構造を有する。
【0145】
すなわち、第1導電性物質202は、左右に隣接している第1導電性物質202間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。第1導電性物質202のパターニングされた側部は、図示のように、基板201に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0146】
第2透明導電性物質206は第1透明導電性物質205上に位置し、隣接している一方の第2導電性物質203と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0147】
図13の(a)では、基板201が導電性であるため、基板201上に絶縁膜201aを形成しなければならず、その他の詳細な形成関係及び形成内容などは、「(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0148】
(5)パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0149】
図14は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板301に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0150】
図14の(b)では、凹凸が形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302を斜めに蒸着させる。
【0151】
図14の(c)では、導電性物質302が蒸着される基板上に、太陽電池(半導体)層303を形成する。
【0152】
図14の(d)では、太陽電池層303上に第1透明導電性物質304を斜めに蒸着させた後、図14の(e)では、第1透明導電性物質304をマスクとして、太陽電池層303をエッチングする。
【0153】
図14の(f)では、太陽電池層303がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質305を斜めに蒸着して、導電性物質302と第2透明導電性物質305とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0154】
図14の(f)に示すように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302、太陽電池(半導体)層303、第1透明導電性物質304、第2透明導電性物質305が順に積層された構造を有する。
【0155】
図示されるように、パターニングされた凹凸が表面に形成された基板において、凹凸の側部は直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0156】
第2透明導電性物質305は、第1透明導電性物質304上に位置し、隣接している一方の導電性物質302と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0157】
このような本発明のさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、次の通りである。
【0158】
図14の(b)に示すように、本発明のさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、凹凸の形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302を第5角度θ5で斜めに蒸着する。第5角度θ5分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2dにより、導電性物質302が絶縁性基板301上に薄膜として形成されるが、凹凸の形成された基板301の一側の垂直面及び第5角度θ5による一部分1dには、導電性物質302が形成されない。
【0159】
ここで、導電性物質302は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0160】
図14の(c)は、太陽電池層303が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップで導電性物質302が蒸着された表面形状に沿って、太陽電池層303を形成する。
【0161】
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、乾式染料感応型太陽電池のうち、何れか1つ以上を利用することができる。
【0162】
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池(amorphous silicon(a−Si:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン多重接合太陽電池(a−Si:H/a−Si:H,a−Si:H/a−Si:H/a−Si:H multi−junction solar cell)、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池(amorphous silicon−germanium(a−SiGe:H) single junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H double junction solar cell)、非晶質シリコン/非晶質シリコンゲルマニウム/非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池(a−Si:H/a−SiGe:H/a−SiGe:H triple junction solar cell)、または非晶質シリコン/マイクロ結晶シリコン(多結晶シリコン)二重接合太陽電池(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell)、及びプロト結晶(protocrystalline)シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
【0163】
図14の(d)は、第1透明導電性物質304が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層303上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着させることによって、第1透明導電性物質304を形成する。
【0164】
このとき、第1透明導電性物質304は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0165】
したがって、図14の(d)に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第1透明導電性物質304を第6角度θ6分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2eにより、第1透明導電性物質304が太陽電池層303上に薄膜として形成されるが、太陽電池層303の一側の垂直面及び角度第6角度θ6による一部分1eには、第1透明導電性物質304が形成されない。このような傾斜面を含む一部分1eは、下記のステップでエッチングされる区間である。
【0166】
図14の(e)は、第1透明導電性物質304をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図である。
【0167】
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく、太陽電池層303の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μm〜数μm程度に実現することができる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるので、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
【0168】
図14の(f)は、第1透明導電性物質304上に第2透明導電性物質305を形成する工程を示す図である。
【0169】
図14の(f)に示すように、前段階のエッチング工程により単位素子間の所定絶縁間隔が形成された状態で、第1透明導電性物質304を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第2透明導電性物質305を形成する。
【0170】
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第2透明導電性物質305を第7角度θ7分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性2fにより、太陽電池層303の一側の垂直面及び傾斜角(第7角度θ7)による一部分1eを除いた部分に、第2透明導電性物質305が形成される。
【0171】
このとき、第2透明導電性物質305は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の透明導電性物質である。
【0172】
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の第2透明導電性物質305と、これと隣接した右側の単位素子の導電性物質302とが互いに接続されて、単位素子間が電気的に直列接続した状態となる。
【0173】
透明導電性物質は導電性が小さいため、第2透明導電性物質305が蒸着された後に互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
【0174】
金属は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の金属性物質である。
【0175】
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池の製造が可能になる。
【0176】
凹凸の形成された基板は、平らな基板にホットエンボス(hot−embossing)法を使用して形成することが好ましい。
【0177】
基板上に導電性物質がパターニングされる方法、その他の詳細な形成関係、及び形成内容などは、「(1)絶縁性基板に2回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0178】
(6)パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0179】
図15は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板301に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【0180】
図15の(a)では、パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板301上に、絶縁膜301aを形成する。
【0181】
図15の(b)では、絶縁膜301a上に導電性物質302を斜めに蒸着させる。
【0182】
図15の(c)では、導電性物質302が蒸着される基板上に、太陽電池(半導体)層303を形成する。
【0183】
図15の(d)では、太陽電池層303上に第1透明導電性物質304を斜めに蒸着させた後、図15の(e)では、第1透明導電性物質304をマスクとして、太陽電池層303をエッチングする。
【0184】
図15の(f)では、太陽電池層303がエッチングされた基板上に、第2透明導電性物質305を斜めに蒸着して、導電性物質302と第2透明導電性物質305とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0185】
図15の(f)に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態において、集積型薄膜太陽電池は、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板301上に、導電性物質302、太陽電池(半導体)層303、第1透明導電性物質304、第2透明導電性物質305が順に積層された構造を有する。
【0186】
図示されているように、パターニングされた凹凸が表面に形成された基板において、凹凸の側部は直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲となすな傾斜断面であってもよい。
【0187】
第2透明導電性物質305は、第1透明導電性物質304上に位置し、隣接している一方の導電性物質302と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0188】
図15の(a)に示すように、導電性基板301に絶縁膜301aを形成することを除くと、その詳細な形成関係及び形成内容などは、「(5)パターニングされた凹凸が形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0189】
(7)透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0190】
本発明に係るさらに他の実施形態であって、透明基板を使用する際の3回の傾斜蒸着に基づく集積型薄膜太陽電池構造の形成関係は、図12に示す図面にて説明する。
【0191】
図12の(b)において、透明基板201上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた透明電極202を形成する。
【0192】
図12の(c)において、透明電極202が形成された基板上に、透明導電性物質203を斜めに蒸着させる。
【0193】
図12の(d)において、透明導電性物質203が蒸着される基板上に、太陽電池(半導体)層204を形成する。
【0194】
図12の(e)において、太陽電池層204上に金属を斜めに蒸着して、1次金属裏面電極205を形成させた後、図12の(f)において、1次金属裏面電極205をマスクとして、太陽電池層204をエッチングする。
【0195】
図12の(g)において、太陽電池層204がエッチングされた基板上に金属を斜めに蒸着して、透明導電性物質203と接続されるように2次金属裏面電極206を形成して、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0196】
図12の(g)に示す形態のように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、透明基板201上に、透明電極202、透明導電性物質203と、太陽電池(半導体)層204、1次金属裏面電極205、2次金属裏面電極206が順に積層された構造を有する。
【0197】
すなわち、透明電極202は、左右に隣接している透明電極202間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。透明電極202のパターニングされた側部は、図示のように、基板201に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0198】
2次金属裏面電極206は、1次金属裏面電極205上に位置し、隣接している一方向の透明導電性物質203と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0199】
その他の詳細な形成関係、形成内容などは、「(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0200】
但し、「(3)絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」の形成工程が示された図12の第1導電性物質、第2導電性物質、第1透明導電性物質、第2透明導電性物質は、「(7)透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」での透明電極、透明導電性物質、1次金属裏面電極、2次金属裏面電極にそれぞれ対応する。
【0201】
透明電極及び透明導電性物質は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【0202】
1次金属裏面電極及び2次金属裏面電極は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【0203】
(8)パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池
【0204】
本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板を使用する際の、3回の傾斜蒸着に基づく集積型薄膜太陽電池構造の形成関係は、図14にて説明する。
【0205】
図14の(b)において、パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板301上に、透明導電性物質302を斜めに蒸着させる。
【0206】
図14の(c)において、透明導電性物質302が蒸着された基板上に、太陽電池(半導体)層303を形成する。
【0207】
図14(d)において、太陽電池層303上に金属を斜めに蒸着して、1次金属裏面電極304を形成させた後、図14(e)において、1次金属裏面電極304をマスクとして、太陽電池層303をエッチングする。
【0208】
図14(f)において、太陽電池層303がエッチングされた基板上に金属を斜めに蒸着して、透明導電性物質302と接続されるように2次金属裏面電極305を形成して、太陽電気セルが電気的に直列接続されるようにする。
【0209】
図14の(f)に示す状態のように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、凹凸の形成された透明基板301上に、透明導電性物質302、太陽電池(半導体)層303、1次金属裏面電極304、2次金属裏面電極305が順に積層された構造を有する。
【0210】
図示されているように、凹凸のある基板において、凹凸の側部は基板の水平方向に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
【0211】
2次金属裏面電極305は、1次金属裏面電極304上に位置し、隣接している一方向の透明導電性物質302と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
【0212】
その他の詳細な形成関係及び形成内容などは、「(5)パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
【0213】
但し、「(5)パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」において、導電性物質、第1透明導電性物質、第2透明導電性物質は、「(8)パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板に3回傾斜蒸着する集積型太陽電池」での透明導電性物質、1次金属裏面電極、2次金属裏面電極にそれぞれ対応する。
【0214】
透明電極及び透明導電性物質は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【0215】
1次金属裏面電極及び2次金属裏面電極は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム(Al)/銀(Ag)が混合された多重金属材料、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、又は金(Au)のうち、何れか1つ以上の物質からなる。
【図面の簡単な説明】
【0216】
【図1】従来の集積型薄膜太陽電池の構造を示した図である。
【図2】従来の集積型薄膜太陽電池用透明電極、太陽電池層、金属裏面電極を加工するためのレーザパターニング工程を示す一実施形態である。
【図3】本発明に係る一実施形態であって、絶縁性基板に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。
【図4】本発明のパターニングされた導電性物質が形成された基板の断面図である。
【図5】図4に示す導電性物質をパターニングするための印刷法工程を順次示す図である。
【図6】本発明によってパターニングされた導電性物質の他の実施形態である。
【図7】本発明に係る太陽電池層が形成された状態の断面図である。
【図8】本発明に係る第1透明導電性物質が形成された状態の断面図である。
【図9】本発明に係る第1透明導電性物質をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図(a)及び(b)と傾斜エッチングした状態の断面図(c)である。
【図10】本発明に係る第2透明導電性物質が形成された状態の断面図である。
【図11】本発明に係る他の実施形態(2)であって、導電性基板に2回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図12】本発明に係るさらに他の実施形態(3)及び(7)であって、絶縁性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図13】本発明に係るさらに他の実施形態(4)であって、導電性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図14】本発明に係るさらに他の実施形態(5)及び(8)であって、凹凸が形成された絶縁性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【図15】本発明に係るさらに他の実施形態(6)であって、凹凸が形成された導電性基板に3回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による前記基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による前記基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項2】
前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項3】
前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項4】
前記ステップ(a)が、
前記基板上に薄膜の前記第1導電性物質を形成するステップ(a−1)と、
前記第1導電性物質上に印刷法を利用して、一定距離に離間するようにフォトレジスト(photoresist;PR)又はポリマー帯を塗布してパターンを形成するステップ(a−2)と、
前記塗布されたフォトレジスト又はポリマーパターンをマスクとして、前記第1導電性物質をエッチングするステップ(a−3)と、
前記フォトレジスト又はポリマーパターンを除去するステップ(a−4)と、
をさらに含む、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項5】
前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が等方性エッチング法を利用してエッチングされ、湾曲するように傾斜した断面を有する、請求項4に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項6】
前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質がメサ(mesa)エッチングされ、傾斜した断面を有する、請求項4に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項7】
前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が、異方性エッチング法を利用して前記基板に対して垂直方向にエッチングされる、請求項4に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項8】
前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が垂直方向にエッチングされる、請求項5又は6に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項9】
前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が傾斜した方向に傾斜エッチングされる、請求項7に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項10】
前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項11】
基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている、集積型薄膜太陽電池。
【請求項12】
基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、
前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、
前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、
前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項13】
前記第1乃至第4導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項12に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項14】
前記ステップ(f)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項12に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項15】
前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項12に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項16】
基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、
前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、
前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、
前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている、集積型薄膜太陽電池。
【請求項17】
互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項18】
前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項19】
前記基板の凹凸が、ホットエンボス(hot−embossing)法により形成される、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項20】
前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項21】
前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項22】
互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている、集積型薄膜太陽電池。
【請求項1】
基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による前記基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による前記基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項2】
前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項3】
前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項4】
前記ステップ(a)が、
前記基板上に薄膜の前記第1導電性物質を形成するステップ(a−1)と、
前記第1導電性物質上に印刷法を利用して、一定距離に離間するようにフォトレジスト(photoresist;PR)又はポリマー帯を塗布してパターンを形成するステップ(a−2)と、
前記塗布されたフォトレジスト又はポリマーパターンをマスクとして、前記第1導電性物質をエッチングするステップ(a−3)と、
前記フォトレジスト又はポリマーパターンを除去するステップ(a−4)と、
をさらに含む、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項5】
前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が等方性エッチング法を利用してエッチングされ、湾曲するように傾斜した断面を有する、請求項4に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項6】
前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質がメサ(mesa)エッチングされ、傾斜した断面を有する、請求項4に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項7】
前記ステップ(a−3)において、前記第1導電性物質が、異方性エッチング法を利用して前記基板に対して垂直方向にエッチングされる、請求項4に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項8】
前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が垂直方向にエッチングされる、請求項5又は6に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項9】
前記ステップ(d)において、前記太陽電池(半導体)層が傾斜した方向に傾斜エッチングされる、請求項7に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項10】
前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項11】
基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と、前記第1導電性物質と隣り合う前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と、
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている、集積型薄膜太陽電池。
【請求項12】
基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、
前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、
前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、
前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項13】
前記第1乃至第4導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項12に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項14】
前記ステップ(f)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項12に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項15】
前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項12に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項16】
基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第1導電性物質を形成するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(b)と、
前記ステップ(b)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(c)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第3導電性物質を斜めに蒸着するステップ(d)と、
前記第3導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(e)と、
前記ステップ(e)による基板上に、第4導電性物質を斜めに蒸着して、前記第2導電性物質と、前記第2導電性物質と隣り合う前記第3導電性物質とを電気的に接続させるステップ(f)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている、集積型薄膜太陽電池。
【請求項17】
互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項18】
前記第1乃至第3導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項19】
前記基板の凹凸が、ホットエンボス(hot−embossing)法により形成される、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項20】
前記ステップ(e)には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項21】
前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項17に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項22】
互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第1導電性物質を斜めに蒸着するステップ(a)と、
前記ステップ(a)による基板上に、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、
前記太陽電池(半導体)層上に、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、
前記第2導電性物質をマスクとして、前記太陽電池(半導体)層をエッチングするステップ(d)と、
前記ステップ(d)による基板上に、第3導電性物質を斜めに蒸着して、前記第1導電性物質と前記第2導電性物質とを電気的に接続させるステップ(e)と
を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている、集積型薄膜太陽電池。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【公開番号】特開2007−165903(P2007−165903A)
【公開日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−335721(P2006−335721)
【出願日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【出願人】(592127149)韓国科学技術院 (129)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【出願人】(592127149)韓国科学技術院 (129)
【Fターム(参考)】
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