【課題】光電変換半導体層の表面処理にＫＣＮを用いることなく、光電変換素子の変換効率を向上させる。
【解決手段】基板１０上に、下部電極２０、光電変換半導体層３０、バッファ層４０、透光性導電層６０が順次積層された光電変換素子１の製造方法であって、アミノ基を有する化合物と過酸化水素とを含有する表面処理液により光電変換半導体層３０表面の表面処理を行った後、この表面処理をした光電変換半導体層３０上にバッファ層４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を、基板上に形成される多孔質層のクラックの発生を抑制し、大面積化しても高性能なものとする。
【解決手段】半導体装置１を、基板２と半導体素子３との間にモノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルコキシシランと、テトラアルコキシシランとの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、０．７ｇ／ｃｍ³以下の密度を有する多孔質層４を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板においても原料ガスの均一な給排気が可能であり、且つプラズマ空間で発生した高次シランを速やかに除去する。
【解決手段】真空容器内に基板保持材を兼ねた接地電極と、該接地電極と相対向する位置に配置された第一放電電極とを有し、該真空容器内に原料ガスを導入してプラズマを形成し、基板表面に薄膜を形成する以下の構造を有するプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化膜を有する絶縁層付金属基板を備えた太陽電池において、化合物半導体からなる光電変換層の製造温度である５００℃以上の高温を経験しても、良好な絶縁特性と強度を維持する基板を備える。
【解決手段】太陽電池１を、Ａｌよりも、熱膨張係数が小さく、かつ剛性が高く、かつ耐熱性が高い基材１３の少なくとも一方の面に、Ａｌ材１１が加圧接合により一体化されたものを金属基板１４とし、そのＡｌ材１１の表面にポーラス構造を有するＡｌの陽極酸化膜１２が形成されてなる絶縁層付金属基板１０上に、光電変換層３０とその上下に配された上部電極５０および下部電極２０とを含む光電変換回路を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】
太陽光発電装置において、朝や夕方など太陽光の高度が低い場合、発電面に対して斜め方向から太陽光が入射するために発電効率が低下する。そのためパネル自体を太陽に向ける構成が考えられるが、その場合は装置が大掛かりになる。
【解決手段】
両面で発電可能な長方形状の発電手段を、その1軸にて回転駆動可能となるように配置する。複数の発電手段を回動機構により駆動させることにより、太陽の高度が低い場合でも発電面が太陽光に対して垂直に近い角度から入射することにより、全体としての発電効率を高く維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の膜面に接触することなく、基板を撓ませずに保持するとともに、基板全体を排気することなく、レーザ加工の残滓を除去すること。
【解決手段】ガラス基板１を立ててガラス基板１の周辺部を固定枠１４にて固定し、レーザ光３１をガラス基板１に照射するとともに、加工残滓の吸引しながら、Ｘステージ１２をＸ方向に一定速度で移動させることで、ガラス基板１上の膜にスクライブパターン３を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質の半導体膜を大面積の絶縁透光性基板の面内に均一に形成でき、かつ異なる製膜ロット間での膜質の差が小さい半導体膜の製造装置及び方法を得ること。
【解決手段】Ｈ_２ガス又はＨ_２ガスとＳｉＨ_４ガスとの混合ガスを分散供給するシャワーヘッド４と基板ステージ１とが内部に設けられた真空容器を製膜室として備えた半導体膜の製造装置であって、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の空間にプラズマを発生させる高周波電源５と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の複数のモニタ箇所でプラズマの電子温度を測定するラングミュアプローブ８と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する伸縮アーム１０と、各モニタ箇所での電子温度の測定値が設定値と一致するように、伸縮アーム１０を制御してシャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する制御コントローラ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】いかなる場所、いかなる時間帯でも発電・給湯が可能となるように、夜間および悪天候下で発電が不可能である太陽光発電システムに燃料電池発電を一体化する太陽光発電プラス燃料電池発電の発電・給湯ユニットシステムを提供する。
【解決手段】太陽光発電パネル（１）の下部に燃料電池発電ユニット（２）および燃料電池急騰ユニットを設けユニット化し、さらに一体化する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた光起電力装置において、光電変換効率に優れた光起電力装置を提供する。
【解決手段】第一主面、側面、第二主面からなる導電型単結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池であって、第一主面の略全域に第一の実質的に真正なシリコン系薄膜層と第一導電型シリコン系薄膜層と第一電極層が形成されており、第二主面の略全域に第二の実質的に真正なシリコン系薄膜層と第二導電型シリコン系薄膜層が形成されており、第一導電型シリコン系薄膜層或いは第一電極層が第二導電型シリコン系薄膜層或いは第二電極層と重なる導電性膜積層領域に接触阻止層を備え、接触阻止層が導電性膜積層領域の存在する前記基板の表面に対する法線軸上において第一導電型シリコン系薄膜層或いは第一電極層と第二導電型シリコン系薄膜層或いは第二電極層の間に備えられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳ膜などの多元素膜を真空蒸着する際に、蒸着源のノズル近傍での原料の固化を抑制し、多元素膜の組成を一定に制御する。
【解決手段】内部に真空蒸着材料が収容されるタンク部３０上に、第１の方向に延伸して所定の幅で開口するスリット状の第１開口部Ａを有するノズル部（３１，３２）が配置されており、少なくとも第１開口部を露出させる第２開口部Ｂを有してタンク部及びノズル部の外壁を覆うように断熱部３４が設けられている。ここで、タンク部が第１の温度へ、ノズル部が第１の温度より高い第２の温度へ加熱されたときに真空蒸着材料が気化して第１開口部から噴き出す構成である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの面内における微結晶シリコン膜の結晶性の不均一性による特性の低下を抑制する。
【解決手段】光電変換ユニット１４に微結晶シリコン膜のｉ型層を発電層として含み、そのｉ型層は、面内において第１の領域３０と、第１の領域３０より結晶化率が低い第２の領域３２とを有しており、太陽電池モジュール１００の端子ボックス２４へのタブ電極２２を第２の領域３２に重畳させて配置する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳなどの多元素膜を真空蒸着する際に多元素膜の組成を一定に制御する。
【解決手段】光透過性の第１の窓１０ａと第２の窓１０ｂを有する成膜チャンバー１０内における多元素膜の成膜対象の基板１４と多元素膜形成用の複数個の蒸着源（１３ａ〜１３ｄ）の間の空間に、第１の窓から所定の波長域の連続光を入射する光源１６と、第２の窓から開口部と基板の間の空間を通過した連続光を受光して２次元的に分光して、２次元画像信号を得る分光部１７と、２次元画像信号を画像処理して原子吸光スペクトルを得て多元素膜を構成する各元素の原子のレートをモニターする信号処理部１８を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】重量物である太陽電池パネル１を水平姿勢で収容できる発泡樹脂製の太陽電池パネル搬送用トレイ１０において、突然の衝撃荷重が生じた場合に、太陽電池パネル１の角部や周囲に損傷が生じるのを回避するとともに、収容する太陽電池パネル１が面内に凸部２を有する場合であっても、安定した姿勢でトレイ１０内に収容できるようにする。
【解決手段】太陽電池パネル搬送用トレイ１０は、底板１１と４周の側壁１２とで太陽電池パネル１を水平姿勢で収容できる収容空間１３が形成される。収容空間１３の４隅と側壁立ち上がり面１５には、収容した太陽電池パネル１の周縁および底面が接触しない領域（第１の凹部１６と第２の凹部１７）が形成されている。さらに、底板１１には、収容した太陽電池パネル１に形成されている凸部２を収容するための貫通孔１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板面内において、より均一な発電量を有し、変換効率のよい光起電力素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の積層型光起電力素子は、基板上に積層された、少なくとも１つの光起電力素子を含む第１の光起電力素子部と、第１の光起電力素子部上に積層された金属酸化物からなる中間層と、中間層上に積層されたアモルファス状態のバッファ層と、バッファ層上に積層された、少なくとも１つの光起電力素子を含む第２の光起電力素子部とを備え、上記第２の光起電力素子部の上記バッファ層と接する導電層は微結晶層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中間反射層の膜質、膜厚が均一である積層型光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板の一方の主面上に順次積層された透明電極層、ｐｉｎ接合からなりｉ型層が実質的に非晶質シリコンであり、n型層の一部がシリコンと酸素との非晶質合金中にシリコン結晶層を含むｎ型のシリコン系複合層である第一の光電変換ユニット、ｐｉｎ接合からなりｉ型層が実質的に結晶質シリコンである第二の光電変換ユニット、及び裏面電極層からなる積層型光電変換装置の製造方法であって、前記第一の光電変換ユニット形成後にn型層側から光を入射しラマン散乱スペクトルを測定した場合、結晶シリコン成分のＴＯモードピークのピーク位置が５１６ｃｍ^-1以上５１９ｃｍ^-1以下となるように光電変換ユニットを形成することを特徴とする積層型光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な光電変換効率を有するとともに量産および基板の大面積化に適した実用的な光電変換装置に適した半導体膜の成膜方法およびその半導体膜を含む光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、非晶質構造を含む半導体膜をプラズマＣＶＤ法により製造する半導体膜の成膜方法であって、半導体膜は、ＳｉＧｅ系化合物の非晶質膜またはＳｉＧｅ系化合物の微結晶膜であり、プラズマＣＶＤ法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間／（オン時間＋オフ時間）×１００（％）をＤｕｔｙ比とすると、該Ｄｕｔｙ比が１０％以上５０％以下を満たす範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池等の電子装置には、無アルカリガラスを使用するか、安価なアルカリガラスを使用した場合には、拡散防止層を設ける必要があった。
【解決手段】透明導電性層のうち、酸化亜鉛層がナトリウムの拡散を防止する作用を有することを見出し、当該酸化亜鉛層を電子装置の電極と同時に、ガラス基板からのナトリウムの拡散を防止する拡散防止層として利用した電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、太陽電池の大面積化を可能にし、異なるバンドギャップを有する薄い複数の光吸収層を多段階に積層させて効率を向上させる光吸収層の形成方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導体の構成元素（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ）と有機溶媒とを混合した組成の異なる複数の溶液を、裏面電極を表面に備えた基板上に、塗布、乾燥、急速焼成する工程を繰り返す。ここで、各溶液は、Ｇａの組成比率が高い方から順番に、塗布、乾燥、急速焼成される。 （もっと読む）

【課題】基板を流れる電流の局所集中を抑制し、基板端部の電流密度の上昇を緩和するとともに、基板に発生する熱による焼損などの不具合を防ぎ、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが導入される反応容器１内に２つの電極を対向して配置し、２つの電極の一方に高周波電力を供給することによってプラズマを生成し、原料ガスを分解して２つの電極の間に搬送されてくる導電性を有する基板の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、２つの電極の外側に位置する基板搬送方向の両側には、基板と接触して基板に流れる電流を反応容器１に流すための経路を兼ねる搬送ロール６が設置されているとともに、搬送ロール６は、基板の幅方向に３つに分割されて配置されている。 （もっと読む）