【課題】通電開始時におけるアーク発生の容易化とその後の安定化を図る。
【解決手段】アーク放電をおこなう炭素電極１３の先端部１３ａを整形する研削装置であって、炭素電極の先端面を研削する先端研削刃２１と、炭素電極の先端面から基端部１３ｂへ向かう面１３ｅを研削する側周面研削刃２２と、先端研削刃２１と側周面研削刃２２とを炭素電極１３の軸線１３Ｌと一致する回転軸線２０Ｌ回りに回転駆動する回転手段とを有してなる。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド内壁に石英粉４を張り付けた状態でアークにより加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールドを、石英ルツボ本体に対応するモールド基体８の上に、石英ルツボ上部の径小薄肉部分に対応するモールドカバー７を着脱自在に載置した構造とし、さらに該モールドカバー７にはアークに対するバリアー機能を付与すると共に、該モールドカバー７の内径を、該モールド基体８の内径よりも小さく、かつ石英ルツボの内径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】通電開始時におけるアーク発生の容易化とその後の安定化を図る。
【解決手段】石英ガラスルツボ製造装置は、アーク放電によって原料粉を加熱溶融する複数の炭素電極１３を備え、炭素電極１３の先端部１３ｃの直径Ｒ２と基端部１３ｂの直径Ｒ１との比Ｒ２／Ｒ１の値が０．６〜０．８の範囲に設定されている。炭素電極１３の先端には軸線と略直交する平坦面が設けられている。炭素電極１３は、先端位置に設けられ基端部側の直径Ｒ３から先端部の直径Ｒ２まで縮径する縮径部を有し、縮径部の長さをＬ１、先端部の直径をＲ２、基端部の直径をＲ１、炭素電極の軸線どうしがなす角度をθ１、Ｘ＝（Ｒ１−Ｒ２）／２とするとき、Ｌ１−（Ｘ／tan（θ１／２））の値が、５０〜１５０ｍｍの範囲となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶中にＳｉＯガスの気泡が取り込まれることによるピンホールの発生を防止することが可能な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１０は、多数の気泡を含む不透明石英ガラス層からなる外層１１と、実質的に気泡を含まない透明石英ガラス層からなる内層１２とを備えている。ルツボの内表面のうち底部の中心から一定範囲内には高濡れ性領域１２ｂが設けられており、高濡れ性領域１２ｂは、内表面から深さ１ｍｍまでの領域に含まれる金属不純物の各元素の濃度がいずれも５ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下であり、ＯＨ基の濃度が３０ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下であり、表面の算術平均粗さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、石英ルツボ形状の適正化を図ることにより、石英ルツボの座屈及び胴部のルツボ内部への倒れ込みを有効に抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。
【解決手段】石英ルツボ２０及び該石英ルツボ２０の外側を覆う黒鉛ルツボ３０の二重構造からなるシリコン単結晶引上げ用ルツボ１０であって、前記石英ルツボ２０は、その開口端部２０ａに、石英ルツボ２０の胴部２０ｂに対し、石英ルツボ２０の径方向外側（矢印Ｘ）への力を付勢するための内倒れ防止手段２１を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド１内壁に石英粉４を張り付けた状態で加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールド１において、石英ルツボの上部領域に対応する、モールド１の上部開口部の内側を研削して段差を設け、この段差部９に、内径がモールド１内径よりも小さいリング状の断熱性バリアー材７を、内径が断熱性バリアー材７と同じかまたは幾分大きい中空円板状の支持部材８を介して設置する。 （もっと読む）

【課題】径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減することができる石英ルツボ製造用モールドを提供する。
【解決手段】回転しているモールド１内壁に石英粉を張り付けた状態でアークにより加熱溶融して石英ルツボを製造する際に用いるモールド１を、石英ルツボの上部領域に対応する、モールド１の上部開口部の内側に、フック８を介して、円筒状のリム片７を掛合支持した構造とし、さらに該リム片７の外径を、該モールドの内径よりも小さく、かつ石英ルツボの内径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】空洞欠陥のない高品質なシリコン単結晶を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１４内に充填されたシリコン原料をチャンバー１１内で溶融してシリコン融液２１を生成する工程と、チャンバー１１内の圧力及び温度の少なくとも一方を急激に変化させてシリコン融液２１中の気泡を除去する工程と、気泡が除去された後のシリコン融液２１からシリコン単結晶２０を引き上げる工程とを備える。圧力を急激に変化させる場合には、チャンバー１１内の圧力を所定の変化率で急激に低下させる。また、温度を急激に変化させる場合には、チャンバー１１内の温度を所定の変化率で急激に上昇させる。これにより、ＳｉＯガスの発生の起点となるルツボ１４の内表面に付着したＡｒガスが除去される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶中にＳｉＯガスの気泡が取り込まれることによる空洞欠陥の発生を防止することが可能な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボは、外層が不透明石英ガラス層１１、内層が透明石英ガラス層１２からなる二層構造を有し、さらにルツボの底部１０Ｂには高透過率領域１０Ｘが形成されている。高透過率領域１０Ｘは、底部１０Ｂの温度上昇を抑制し、ＳｉＯガスの発生を防止する役割を果たす。高透過率領域１０Ｘの赤外線透過率は５０〜８０％であり、高透過率領域１０Ｘとそれ以外の領域との赤外線透過率の差は１０〜３０％である。高透過率領域１０Ｘは、ルツボの底部の中心から一定範囲内の領域であって、少なくともシリコン単結晶の投影面を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶中にＳｉＯガスの気泡が取り込まれることによる空洞欠陥の発生を防止することが可能な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１０は、不透明石英ガラス層１１からなる外層と、少なくともルツボ底部１０Ｂの中心から一定範囲内に設けられた透明石英ガラス層１２を含む内層とを備えている。ルツボ底部１０Ｂにおいて、透明石英ガラス層１２の内表面から少なくとも深さ４０μｍまでの領域に含まれるＡｌの濃度の平均値は３０ｐｐｍ以上１５０ｐｐｍ以下であり、透明石英ガラス層１２の内表面から少なくとも深さ４０μｍまでの領域に含まれるＮａ，Ｋ，及びＬｉの３元素の濃度の合計は０．５ｐｐｍ以下である。ルツボ底部１０Ｂの内層をこのように構成した場合には、内表面の凹みが防止され、気泡の発生が抑制される。 （もっと読む）