【課題】大径のシリコン単結晶インゴット中のピンホール欠陥の低減を可能とする大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】気泡含有率：１〜１０％にして、純度：９９．９９％以上の高純度非晶質石英ガラスの外側層と、気泡含有率：０．６％以下にして、純度：９９．９９％以上の高純度非晶質石英ガラスの内側層の２重積層構造を有する大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボにおける少なくともシリコン融液面のインゴット引上げ開始ラインと引上げ終了ライン間の内面を、縦断面内面形状が波形にして、深さ：０．５〜２ｍｍ、幅：１０〜１００ｍｍのリング溝で構成された多段リング溝模様面とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の酸素濃度が低く、かつ単結晶化率の高い石英ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引き上げる方法において、多結晶シリコンを溶融するための石英ガラスルツボが、ルツボ外周部に天然石英を用いルツボ内周部に合成石英粉を用いた石英ルツボとされ、ルツボ内周面の底部およびコーナー部が天然石英ガラスからなり、ルツボ内周面のコーナー部より上側部分が１ｍｍ以上の層厚に形成された合成石英ガラス層からなるとともに、引き上げ開始時のシリコン融液の液面レベルから液面下１０〜１５ｃｍまでの範囲に相当する内周面部分が層厚０．１ｍｍ以上１ｍｍ未満の透明な合成石英ガラスからなる接触角調整層によって形成されており、該接触角調整層表面に対する上記シリコン融液液面の接触角が８０°以上として引き上げる。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液からの引き上げによるシリコン単結晶の製造において、単結晶引上げ時におけるルツボ気泡の膨張による影響を極力抑制し、高い単結晶化率を達成することができる石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】引上げ相当温度下において、内表面側気泡の膨張率Ｘが、初期段階の膨張率Ｘ１に対し、初期段階経過後の膨張率Ｘ２が１／３以下であり、または、外表面側気泡の膨張率Ｙが、初期段階の膨張率Ｙ１に対して、初期段階経過後の膨張率Ｙ２が１／２以下である石英ガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】引き上げ初期の湯面振動が抑制され、シリコン単結晶の肩部を安定に形成することができ、高い単結晶化率を達成することができる石英ガラスルツボとその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボであって、ルツボ内面層の上端部分と該上端部分よりも下側部分の気泡含有率が異なり、該下側部分の気泡含有率が０.１％未満であり、一方、上端部分がリム部からシリコン単結晶の引き上げ初期の湯面下降位置までの範囲であり、該上端部分が微小気泡を含み、気泡含有率が０.１％以上であって、リム部に近いほど気泡含有率が大きく、気泡含有率の増加割合が高さ１mmあたり０.００２％以上であることを特徴とする石英ガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】結晶化促進剤を用いずに、使用時の高温下でもルツボの変形を生じ難く、かつ製造が容易な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボであって、外面層が気泡含有石英ガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されない石英ガラス層によって形成されており、外面層の表面に未溶融ないし半溶融の石英層（半溶融石英層と略称する）を有し、該半溶融石英層の中心線平均粗さ(Ｒａ)が５０μm〜２００μmであることを特徴とし、好ましくは、半溶融石英層の層厚が０.５〜２.０mmである石英ガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】外部輻射の熱を十分に分散でき、シリコン融液の温度ムラを防止すると共に、良好な熱伝導性を有し、シリコン融液を形成するための昇温時間が長くかからず、ルツボ全体の広い範囲で均熱状態を形成することができるシリカガラスルツボとその製造方法を提供する。
【課題の解決手段】外面層が気泡含有シリカガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されないシリカガラス層によって形成されているシリカガラスルツボにおいて、外面層と内面層の間に、直径１００μm以下の気泡を体積気泡含有率で０.１％以上含む気泡含有シリカガラス層（気泡含有層）と、体積気泡含有率０.０５％以下のシリカガラス層（透明ガラス層）が積層した中間層が介在されていることを特徴とするシリカガラスルツボと、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のピンホールが少ない石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上げ用の石英ガラスルツボであって、非晶質シリカが結晶化した結晶質シリカの面積をルツボ内面積の１０％以下に抑制し、または、ルツボ内表面の開気泡による凹部の密度を０.０１〜０.２個/ｍｍ²に制限した石英ガラスルツボ、または、該石英ルツボを使用し、ルツボ内表面の溶損速度を２０μｍ/ｈｒ以下に抑制してシリコン単結晶の引き上げことにより、ピンホールを防止する方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボについて、内部気泡の少ない均一なガラス層を有する石英ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】モールド内面に充填した石英粉成形体を真空引きしながらアーク溶融するルツボの製造方法において、石英粉成形体のリム端から石英粉の溶融を開始し、その後にアーク電極を下げまたはモールドを上げて、リム端から下側部分を加熱し溶融することを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法であり、好ましくは、アーク溶融開始からアーク総時間の１０％以内の時間内にルツボ内表面をシールし、またシール厚が３mm以下である石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】湾曲部および底部が過剰加熱されず、形状の成形性に優れると共に内部気泡の少ない石英ガラスルツボを製造する方法等を提供する。
【解決手段】回転モールドに充填した石英粉成形体を真空引きしながらアーク溶融して石英ガラスルツボを製造する方法において、アーク溶融開始ないしアーク溶融中に電極をモールド中心線に対して相対的に側方に移動し、偏芯位置でアーク溶融することを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法であり、好ましくは、全体加熱の時間がアーク溶融全時間の６０％以下である石英ガラスルツボの製造方法、およびこの製法によって製造した石英ガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】アーク放電時に安定なアークを形成することができ、電極の局部的な欠落などを生じることがなく、ルツボ内表面に黒異物や凹部を生じない性状に優れた石英ガラスルツボを製造することができるアーク溶融用高純度炭素電極とその用途を提供する。
【解決手段】アーク放電によって石英粉を加熱溶融するために用いる炭素電極であり、炭素電極の密度が１.６０g/cm³〜１.８０g/cm³であって、粒子径０.０５mm以下の高純度炭素粒子からなることを特徴とするアーク溶融用高純度炭素電極およびその用途。 （もっと読む）