【課題】結晶シリコンの引き上げに用いる３０インチ〜４０インチといった大口径の石英ガラスルツボのアーク溶融法による製造において、電極振動の発生を防止し、大出力アーク溶融に対応可能なアーク放電方法および装置を提供する。
【解決手段】３００ｋＶＡ〜１２，０００ｋＶＡの出力範囲で、複数の炭素電極１３によりアーク放電によって非導電性対象物を加熱溶融する方法であって、アーク放電開始時に前記炭素電極どうしを接触させる接触位置と先端との距離が前記炭素電極径に対する比率として０．００１〜０．９の範囲となるよう設定する。また、前記炭素電極１３における電力密度を４０ｋＶＡ／ｃｍ２〜１，７００ｋＶＡ／ｃｍ２に設定する。 （もっと読む）

【課題】特に、結晶化率の高いシリコン単結晶の引き上げを可能にする石英ガラスルツボ、および石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボ10であって、該ルツボの同一高さ位置Ｈの全周にわたって測定した、気泡含有率、肉厚および透過率の円周最大公差が何れも６％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水冷モールド構造の適正化を図ることによって、十分な耐熱性を有すると共に原料石英粉の未溶融部分を大幅に低減した水冷モールドを提供する。
【解決手段】石英ルツボ製造用水冷モールド10であって、内部に冷却水が導入される空間をもち、金属または合金の熱伝導性材料からなる外側モールド部分11と、該外側モールド部分11の内面に密着して配設され、耐熱材料からなる内側モールド部分12とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料のシリコン単結晶や太陽電池材料のシリコン多結晶などの引上げに用いる円形度の高い石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボであって、少なくともルツボの壁部において、ルツボ内表面１１の真円度Ｓｘとルツボ外表面１２の真円度Ｓｙが、真円度と同一測定高さにおける最大肉厚Ｍに対して、何れも０.４以下（Ｓｘ/Ｍ≦０.４、Ｓｙ/Ｍ≦０.４）とし、また、少なくともルツボの壁部において、ルツボ内表面１１の中心とルツボ外表面１２の中心との距離Ｌが、ルツボ外表面１２中心を通る最長直径Ｄの０.０１以下（Ｌ≦０.０１Ｄ）とする。 （もっと読む）

【課題】石英ガラスルツボなどをモールドから容易に取り出すことができるルツボリフト装置とその取り出し方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２０が設置されたモールド３０の上側にリフト装置１０が設置される。上記ルツボ２０の開口部に向かって蓋材５が下降し、緩衝材を介して蓋材５がルツボ２０の開口部に密着し、ルツボ２０の内部空間２１を密封する。次いで、吸引ダクト６を通じて上記内部空間２１が減圧されると、蓋材５は開口部に吸着されてルツボ２０と一体になる。減圧後、昇降モータ７によってシャフト３が回転し、蓋材５と一体にルツボ２０が持ち上げられる。このとき、好ましくは、モールド３０の通気孔３１を通じて、モールド内表面とルツボ２０の間に圧縮空気を導入し、ルツボ２０がモールド３０から離れ易くする。こうして、モールドから石英ガラスルツボが自動的に取り出される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げ用ルツボであって、ルツボ内表面のＳｉＯガスの発生を抑制し、シリコン単結晶のエアポケットを防止した石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の投影面を含むルツボ底面中央部の高温溶解速度が、中央部の周囲１４よりも高いことを特徴とし、好ましくは、シリコン単結晶の投影面を含む中央部の内表面層１３にアルミニウムを含有させることによって中央部の高温溶解速度をその周囲よりも高くした石英ガラスルツボ１０。 （もっと読む）

【課題】引上げ時のルツボ内表面の溶損が抑制され、ブラウンリング等が剥離し難く、マルチ引上げに適するようにした石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ内表面の溶損厚さ部分に含まれるＯＨ基濃度について、シリコン単結晶引上げ開始時のシリコン融液面から引上げ終了時のシリコン融液面に至る範囲のＯＨ基濃度が、該範囲より下側部分のＯＨ基濃度より高いことを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボであって、好ましくは、ルツボ内表面から１mm厚の透明層部分に含まれるＯＨ基濃度について、底部のＯＨ基濃度よりも湾曲部のＯＨ濃度が高く、湾曲部のＯＨ濃度よりも壁部のＯＨ基濃度が高い石英ガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】引上げ時にルツボ内表面に発生するブラウンリングの密度が高く、従ってルツボの強度が大きく、かつブラウンリングが剥離し難いのでシリコン単結晶の歩留りが高い石英ガラスルツボおよび該ルツボを用いた引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内表面から１００μm厚までの表面ガラス層のＯＨ基濃度が９０ppm以下であり、その下側部分であってルツボ内表面から１mm厚までのガラス層のＯＨ基濃度が９０〜２００ppmであることを特徴とし、好ましくは、一般的な引き上げにおいて、発生するブラウンリングの密度が２個/cm²以上であり、ブラウンリングの見かけ成長速度が１μm/時以上、ブラウンリングの剥離率が１０％以下である石英ガラスルツボ、および該ルツボを用いたシリコン単結晶の引上げ方法。 （もっと読む）

【課題】回転モールド内表面に堆積した石英粉層をアーク溶融してガラス化し、石英ガラスルツボを製造するときに、石英粉層に対して電極を横方向および縦方向に移動してルツボ内表面の透明層を均一に形成することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極、電極の横移動手段、電極の縦移動手段、これらが載置される基台を備え、棒状の電極が横方向および縦方向に移動自在であることを特徴とする電極構造であって、例えば、横方向に摺動自在な支持台によって横移動手段が形成されており、支持台に昇降自在に設けた装着部によって縦移動手段が形成されており、装着部および支持台の移動によって電極が縦横移動自在である電極構造。 （もっと読む）

【課題】大径のシリコン単結晶インゴット中のピンホール欠陥の低減を可能とする大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】気泡含有率：１〜１０％にして、純度：９９．９９％以上の高純度非晶質石英ガラスの外側層と、気泡含有率：０．６％以下にして、純度：９９．９９％以上の高純度非晶質石英ガラスの内側層の２重積層構造を有する大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボにおける少なくともシリコン融液面のインゴット引上げ開始ラインと引上げ終了ライン間の内面を、縦断面内面形状が波形にして、深さ：０．５〜２ｍｍ、幅：１０〜１００ｍｍのリング溝で構成された多段リング溝模様面とする。 （もっと読む）