少なくとも１つのデバイス（１）の少なくとも１つの表面（１１）上にパリレンコーティング（２）を施す方法を提供する。ここでは、パリレンモノマーを有する第１のガス（４）を供給し、前記パリレンモノマーを有する第１のガス（４）を第１のノズル（３）によって、少なくとも１つの表面（１１）に供給することによって、前記デバイス（１）の少なくとも１つの表面（１１）上にパリレンモノマーを析出する。ここで前記デバイス（１）は大気圧を有する環境内に配置されている。さらに、パリレンコーティングを施す装置を提供する。 （もっと読む）

半導体積層体（２）を備えた発光ダイオードチップを開示する。半導体積層体は、電磁放射を生成するのに適している活性層（３）を有し、発光ダイオードチップ（１）は、表側に放射出口領域（４）を有する。発光ダイオードチップ（１）は、放射出口領域（４）とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層（５）を有する。ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは、ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である機能層（６）が、ミラー層（５）の上に配置されており、機能層（６）を形成している材料がミラー層（５）全体に分布している。機能層（６）の材料は、ミラー層（５）の中で濃度勾配を有し、ミラー層（５）内の機能層（６）の材料の濃度が、機能層（６）から、半導体積層体（２）に向かう方向に減少していく。 （もっと読む）

本発明は、半導体チップ（１）および変換要素（２）を備えた放射線放出装置（１０）であって、半導体チップ（１）が、電磁放射線を生成するのに適している活性層と、放射線出口領域（１１）と、を備えている、放射線放出装置（１０）に関する。変換要素（２）は、マトリックス材料（２ａ）および蛍光体（２ｂ）を備えており、変換要素（２）は、半導体チップ（１）の放射線出口領域（１１）の下流に配置されている。マトリックス材料は、少なくとも４０重量％の酸化テルルを含んでおり、三酸化ホウ素もしくは酸化ゲルマニウムまたはその両方を含んでいない。さらには、このタイプの放射線放出装置（１０）の製造方法を開示する。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクス半導体チップは、基板と、基板の上にエピタキシャル成長した半導体積層体と、を備えている。半導体積層体は、窒化物化合物半導体材料をベースとしており、電磁放射を生成する少なくとも１つの活性ゾーンと、活性ゾーンに間接的または直接的に隣接しており、これにより導波路が形成されている、少なくとも１層の導波路層と、を含んでいる。さらに、半導体積層体は、活性ゾーンのｐ型ドープ側において導波路層に隣接しているｐ型クラッド層、もしくは、活性ゾーンのｎ型ドープ側におけるｎ型クラッド層、またはその両方を備えている。導波路層は、クラッド層に間接的または直接的に隣接している。導波路を通るモードの有効屈折率が、基板の有効屈折率よりも高い。
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本発明は電気的な抵抗素子に関している。この抵抗素子は、半導体材料によって形成された基体（２）と、この基体（２）と導電的に接続されている第１のコンタクト素子（５）と第２のコンタクト素子（６）とを有している。さらに前記基体（２）は第１の主要面（２ａ）を有しており、該第１の主要面（２ａ）内には凹部（３）が設けられており、前記第１のコンタクト素子（５）は前記凹部（３）内で少なくとも部分的に前記基体（２）と導電的に接続されており、前記基体（２）は、第２の主要面（２ｂ）を有しており、該第２の主要面（２ｂ）は前記第１の主要面（２ａ）と対向的に設けられており、前記第２のコンタクト要素（６）は第２の主要面（２ｂ）に少なくとも部分的に前記基体（２）と導電的に接続されている。
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半導体ダイオードは、第１の導電型の第１の半導体層（１０２）と、ドーピングされた第２の導電型の第２の半導体層とを有する。前記第２の半導体層は、第１の半導体層に結合された垂直なスルーコンタクト領域（１０６）を有し、該スルーコンタクト領域（１０６）が第１の導電型を有するように、該スルーコンタクト領域（１０６）内のドーピングは改質されている。さらに、本発明は前記半導体ダイオードの製造方法にも関する。
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オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１０）の少なくとも１つの実施形態によれば、このデバイスは支持体（１２）と少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１３）を有している。半導体チップ（１３）は支持体（１２）に取り付けられており、支持体とは反対側に、平面（Ｐ）を規定する放射貫通面（１４）を有している。さらに半導体デバイス（１０）には、放射出射面（２）を備えたレンズ（１）が設けられている。平面（Ｐ）よりも上の高さ（ｈ）に関して、レンズ（１）は極小点（５）と少なくとも２つの極大点（７）と少なくとも２つの結合壁（８）を有している。結合壁（８）はそれぞれ、１つの極大点（７）から別の極大点（７）まで続いており、それぞれ１つの鞍点（６）を有し、この鞍点（６）は極小点（５）よりも高く、かつ結合壁（８）に接する極大点（７）よりも低い。
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【課題】本発明は、照明装置に関する。少なくとも一態様によると、本照明装置は、表側キャリア（１）と、裏側キャリア（２）と、複数の発光ダイオードチップ（３）と、を備えており、発光ダイオードチップ（３）は、照明装置の動作時に光を放出し、かつ熱損失を放散させる。裏側キャリア（２）は、少なくとも部分的に表側キャリア（１）によって覆われている。発光ダイオードチップ（３）は、裏側キャリア（２）と表側キャリア（１）との間に配置されており、これらのキャリアによって機械的に固定されている。発光ダイオードチップ（３）には、裏側キャリア（２）もしくは表側キャリア（１）またはその両方によって電気的に接触している。表側キャリア（１）は、熱が伝わるように発光ダイオードチップ（３）に結合されており、発光ダイオードチップ（３）とは反対側に光出力面（１０１）を備えており、発光ダイオードチップ（３）によって生成される熱損失の一部を周囲に出力するように実施されている。 （もっと読む）

本発明は、第１の導電部（２０６）と第２の導電部（２１２）とを備えているオプトエレクトロニクス装置に関する。第２の導電部（２１２）は第１の電気的な端子（１０４）に接続されている。放射を放出するために、第１の導電部（２０６）と第２の導電部（２１２）との間に機能層（２０８）が配置されている。第２の導電部（２１２）は横方向の第１の導電率を有しており、この第１の導電率は第２の導電部（２１２）の長さにわたり、第１の電気的な端子（１０４）から離れる方向において単調に変化する。
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