【課題】従来技術の欠点を低減させるまたは回避することができる光学素子および光学素子を有する照明装置を提供する。
【解決手段】第１の主表面２と、第２の主表面３とを有している支持プレート１と、第１の主表面２上の第１のレンズ構造４とを有しており、第１のレンズ構造４は、第１の多角形形状を備えた少なくとも１つの第１のレンズ素子４１と、第２の多角形形状を備えた第２のレンズ素子４２とを有しており、第１のレンズ構造４は第１の主表面２を完全に覆っており、第１のレンズ素子４１と前記第２のレンズ素子４２は相互に合同ではない、および／または第１の主表面２上の配向において異なっており、第１のレンズ構造４は、それぞれ多角形形状を備えた多数のレンズ素子を有しており、第１の主表面２は中央点を有しており、多数のレンズ素子の各々は、中央点からの距離が増大するほど小さくなる第１の主表面２上の面積を占めている光学素子。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する発光変換型ＬＥＤを提供する。
【解決手段】放射線を発するチップ（２）を有し、チップは電気的端子（３，４）と接続されていてかつ、少なくとも１つの基体（６）とキャップ（８）とを有するケーシングにより取り囲まれていて、チップ（２）は基体（６）上に、特に基体の凹設部（５）内に設置され、かつチップの一次放射線が変換エレメントによって少なくとも部分的に長波長放射線に変換される発光変換型ＬＥＤにおいて、キャップ（８）はガラス状の物体によって形成されていて、変換材料はガラス状の物体中に含まれていて、前記ガラス状の物体の屈折率は１．６より高く、有利に少なくともｎ＝１．７である。 （もっと読む）

【課題】付加的な製造費用が僅かなままである、改善された電流拡大を伴うＧａＮを基礎とする発光ダイオードチップを開発し、この種のチップを有する発光ダイオード構造素子の製造法を提供する。
【解決手段】ｐ型接触層がｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有している。次の処理工程：エピタクシャル成長させる工程、ｐ型接触層をエピタクシー連続層のｐ側に施す工程、基板をエピタクシー連続層から取り除く工程、接触金属化部をエピタクシー連続層の主要面の部分領域に施す工程、発光ダイオードチップをＬＥＤケーシングのチップ取付け面、ＬＥＤケーシング内の導体路または電気接続フレームの上にチップ取付け面に向かって結合能力を有するｐ型接触層と一緒に施す工程を有する。 （もっと読む）

【課題】必要スペースの少ない、表面に取り付け可能な発光ダイオード光源を提供する。また、少ない数の製造工程で製造でき、使用する温度安定性に関して改良された特性を有する、半導体ＬＥＤを基礎とする光源の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に取り付け可能な発光ダイオード光源が、それぞれのリードフレーム接続部分の透明なプラスチック成形体の内部にチップ取り付け領域から発光ダイオード光源の取り付け面に向かってＳ型の湾曲部を有する。 （もっと読む）

【課題】均質な混色光を放射するように改良された光放出半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基体（３）が基体（１）の凹所に配置されている、ルミネセンス変換エレメント（７）を備えている光放出半導体素子に関する。凹所内で半導体基体の周りに小鉢形状の領域が成形されており、該領域はルミネセンス変換エレメント（７）を含んでおりかつ該ルミネセンス変換エレメントが半導体基体を被覆している。小鉢形状の領域は凹所内のくぼみとしてまたはリング形状の囲いとして凹所の基部に成形されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と光学的な装置との間の光学的な接続が一層改善された冒頭に述べた形式の光電モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】放射結合面と光学的な装置との間のギャップに、放射透過性の、変形可能な材料から成っている接続層が配置されており、ここで光学的な装置および半導体素子は、これらが互いの方に向かって圧縮されるように相対的に相互に固定されておりかつこれにより接続層は、該接続層が光学的な装置および放射出力結合面を離れる方向に押そうとする力を生成するように押し潰されている。 （もっと読む）