本発明は、オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）に関する。この半導体部品（１００）は、放射取り出し面（６）を有する少なくとも１つの放射放出半導体チップ（３）であって、半導体チップ（３）において生成される電磁放射の少なくとも一部分が、この放射取り出し面（６）を通じて半導体チップ（３）から出る、放射放出半導体チップ（３）と、半導体チップ（３）の下流、放射取り出し面（６）に配置されている少なくとも１つの変換要素（４）であって、半導体チップ（３）から放出される電磁放射を変換し、放射取り出し面（６）とは反対側の第１の面（７）を有する、変換要素（４）と、反射性の被覆体（５）と、を備えており、反射性の被覆体（５）が、半導体チップ（３）と、変換要素の少なくとも一部分とを、側面（３３，４４）において密着状態に被覆しており、変換要素（４）の第１の面（７）に反射性の被覆体（５）が存在しない。
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本発明は、放射放出オプトエレクトロニクス素子（２０）のクラス分類方法に関し、放射放出オプトエレクトロニクス半導体素子（２０）を準備するステップと、放射放出オプトエレクトロニクス半導体素子（２０）から動作時に放出された光の色度座標（８）を求めるステップと、放射放出オプトエレクトロニクス半導体素子（２０）を、求められた色度座標を含む所定の色度座標領域（６）に分類するステップとを備えている。
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本発明は、オプトエレクトロニクス部品（７）のハウジング（１）に関し、このハウジングは、凹部（４）を有するハウジング本体（２）と、コーティング（３）と、を備えている。コーティング（３）は、少なくとも凹部（４）の領域において、少なくとも部分的にハウジング本体（２）に結合されており、かつハウジング本体（２）に直接接触している。ハウジング本体（２）は第１のプラスチック材料から形成されており、コーティング（３）は第２のプラスチック材料から形成されており、第１のプラスチック材料は第２のプラスチック材料と異なり、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料は、材料特性として、温度耐性、および電磁放射に対する耐性、のうちの少なくとも一方に関して、互いに異なる。
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【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体チップ１は活性層５を有しており、主放射方向６へ放射を送出する。活性層５はこの主放射方向６に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

少なくとも１つの第１のタイプの発光ダイオード（１）と、該第１のタイプの発光ダイオード（１）に後置された変換素子（３）と、少なくとも１つの第２のタイプの発光ダイオード（２）と、該第２のタイプの発光ダイオード（２）を駆動する駆動回路（５）とを含む発光デバイス（１００）を提供する。
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支持体（５）と、放射を生成するために設けられた活性領域（２０）を含む半導体層列を備える半導体本体（２）とを有する、薄膜半導体デバイス（１）が記載されている。半導体本体（２）は、第１の接触部（３１）および第２の接触部（３２）によって外部と電気的に接触可能である。支持体（５）は、半導体本体（２）と電気的に並列に配線された保護ダイオード構造（７）を有している。保護ダイオード構造（７）は第１のダイオード（７１）と第２のダイオード（７２）を有している。第１のダイオード（７１）と第２のダイオード（７２）は、それぞれの順方向に関して互いに反対向きに、電気的に直列に配線されている。さらに、薄膜半導体デバイスを製造する方法が記載される。
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【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】外部共振器を備えた面発光型の光ポンピング半導体レーザを構成する半導体チップ１は基板２、反射器３および活性層５を有している。反射鏡は外部反射器４とともに半導体レーザの共振器を成し、半導体レーザは主放射方向６へ放射を送出する。活性層はこの主放射方向に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

本発明によるオプトエレクトロニクス素子は接続領域（５）を有する支持体（３）を備えている。この支持体（３）上には半導体チップ（７）が設けられている。前記半導体チップ（７）の前記支持体（３）とは反対側のチップ表面（８）にはコンタクト領域（１０）が被着されている。ここでは前記接続領域（５）が片持形導電性構造部（１３）を介して前記コンタクト領域（１０）と導電的に接続される。さらに本発明はオプトエレクトロニクス素子の製造方法にも関している。
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本発明は、カルベン結合を介して中心金属原子に結合されたフェニルイミダゾール単位又はフェニルトリアゾール単位と、窒素−金属結合を介して中心原子に結合されているフェニルイミダゾール配位子とを含むヘテロレプティックな錯体、かかるヘテロレプティックな錯体を含むＯＬＥＤ、かかるヘテロレプティックな錯体を少なくとも１つ含む発光層、かかるＯＬＥＤを含む、照明エレメント、定置式ディスプレイ及び可搬式ディスプレイからなる群から選択される装置、かかるヘテロレプティックな錯体をＯＬＥＤにおいて、例えば発光体として、マトリクス材料として、電荷輸送材料として及び／又は電荷ブロッカーとして用いる使用に関する。
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導波路領域４を有する半導体ボディ１０を備えた端面発光型半導体レーザにおいて、導波路領域４は、第１の導波路層２Ａと、第２の導波路層２Ｂと、第１の導波路層２Ａと第２の導波路層２Ｂとの間に配置されておりレーザ放射１７を生成する活性層３と、を備える。導波路領域４は、第１のクラッド層１Ａと、半導体ボディ１０の成長方向において導波路領域４の後に続く第２のクラッド層１Ｂ、との間に配置される。活性層３により放出されるレーザ放射の横モードを選択するための位相構造６が、半導体ボディ１０に配置される。位相構造６は、半導体ボディ１０の表面５から第２のクラッド層１Ｂの中に延在する凹部７を備える。第２のクラッド層１Ｂの半導体材料とは異なる半導体材料からなる第１の中間層１１が、第２のクラッド層１Ｂに埋め込まれる。凹部７の少なくとも一部分が半導体ボディ１０の表面５から第１の中間層１１の中まで延在する。
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