照明装置（１）は、第１の電磁スペクトル（３）を有する電磁放射を放出する第１の光源（２）と、第２の電磁スペクトル（５）を有する電磁放射を放出する第２の光源（４）とを備えている。第１の電磁スペクトル及び第２の電磁スペクトルは相互に異なるものである。第１の電磁スペクトルの輝度最大値は人間の眼のスペクトル感度（２１）の範囲にあり、且つ、第２の電磁スペクトルの輝度最大値は夜行性の昆虫の視覚器官のスペクトル感度（２２）の範囲にある。本発明による方法は、第１の光源（２）を有している既存の照明装置（１）の改良に使用される。改良は、第２の光源（４）が照明装置（１）に固定されることによって実現される。
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オプトエレクトロニクス半導体コンポーネントは、１次放射を送出する活性面（２０４）と、この活性面（２０４）に配置されたコンタクト端子（１０８）とを備えた半導体チップ（２０２，２０４）を有している。活性面（２０４）にはルミネセンス変換素子（２１０）が形成されている。活性面（２０４）とルミネセンス変換素子（２１０）との間に、結合部材（２０８）が設けられている。本発明では、このようなオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントの製造方法について説明する。
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前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、第１の端子（２１１）および第２の端子（２１２）を有する第１の半導体機能領域（２１）と、該オプトエレクトロニクス半導体チップのコンタクトを行うためのコンタクトパターン（４）とを有し、該コンタクトパターンは該第１の半導体機能領域（２１）に導電接続されている。前記コンタクトパターン部（４）は、断路可能な導体パターン部（４１，７１，４２）を有し、該導体パターン部が断路されていない場合、前記第１の半導体機能領域の第１の端子と前記第２の端子とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部が断路された場合には該動作電流路は遮断されるか、または、該導体パターン部（４１，７１，４２）が断路された場合、該第１の半導体機能領域（２１）の第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部（４１，７１，４２）が断路されていない場合に該導体パターン部（４１，７１，４２）が該第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを接続して該第１の半導体機能領域（２１）を短絡させる。
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基板（１）と、第１の電極（２）と、第２の電極（４）と、第１の電極（２）および第２の電極（４）の間に設けられた電子伝導領域（３Ａ、３Ｂ）と、を有し、電子伝導領域（３Ａ，３Ｂ）は、有機マトリクス材料（３Ｂ）と、塩（３Ａ）とを含み、塩（３Ａ）は、金属カチオンと、少なくとも３価のアニオンとを含む有機電子装置に関する。電子輸送は該有機電子装置により改善される。
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本発明は、電子デバイスたとえば光学デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスに関する。このデバイスには熱可塑性樹脂を含む部材が設けられており、熱可塑性樹脂は、コアとシェルを有する粒子を含んでいる。シェルはコアの表面上に設けられており、コアはアルミニウムを含んでいる。
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有機光電構成素子であって、第１の電極と、該第１の電極の上に配置された第１の平坦化層と、該第１の平坦化層の上に配置された第１の注入層と、該第１の注入層の上に配置された有機機能層と、該有機機能層の上に配置された第２の電極とを有し、第１の電極がアノードである場合には、エネルギーレベルに対して：Ｅ_Ｆ−Ｅ_{ＨＯＭＯ、Ｉｎｊ．}＜Ｅ_Ｆ−Ｅ_{ＨＯＭＯ、Ｐｌａｎ．}かつＥ_Ｆ−Ｅ_{ＨＯＭＯ、Ｉｎｊ．}＜Ｅ_Ｆ−Ｅ_{ＨＯＭＯ、Ｆｕｎｋ．}が成り立ち、または第１の電極がカソードである場合には、エネルギーレベルに対して：ここでＥ_Ｆはフェルミエネルギー、Ｅ_ＨＯＭＯはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥ_ＬＵＭＯはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーである有機光電構成素子。
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発光ダイオードの製造方法であって、シリコン表面（１ａ）を有するキャリア基板（１）を形成するステップと、シリコン表面（１ａ）上に、成長方向（Ｒ）に一連の層（１００）を堆積させるステップと、一連の層（１００）上に発光ダイオード構造（１６）を堆積させるステップと、を含んでおり、一連の層（１００）が、窒化ガリウムを使用して形成されるＧａＮ層（５）を含んでおり、一連の層が、窒化珪素を使用して形成されるマスキング層（１２）を含んでおり、成長方向（Ｒ）においてＧａＮ層（５）の少なくとも一部分の後ろにマスキング層（１２）が続いている、方法、を提供する。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス部品であって、第１の主面（１ａ）を有するキャリア（１）と、基板を有さない少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、コンタクトメタライゼーション（３ａ，３ｂ）とを備えており、キャリア（１）が電気絶縁性であり、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が、キャリア（１）の第１の主面（１ａ）に、結合材料（４）、特にはんだ材料によって固定されており、コンタクトメタライゼーション（３ａ，３ｂ）が、第１の主面（１ａ）のうちオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）が存在していない少なくとも１つの領域、を覆っており、コンタクトメタライゼーション（３ａ，３ｂ）が、オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）に導電接続されている、オプトエレクトロニクス部品、に関する。 （もっと読む）

支持部材と、支持部材上にマウントされた、紫外光または可視光を放射する光電子半導体チップと、主放射方向において半導体チップを覆っていない照明ケーシングと、主放射方向において半導体チップの下流に設けられた光学カバーと、半導体チップと光学カバーとの間に設けられた屈折率整合層と、を備える半導体照明装置であって、光学カバーは照明装置の出射面を構成し、半導体チップから出射面まで、主放射方向に向かう光は、固体材料中または液体材料中のみを伝播する。
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【課題】結晶主方向７を有する結晶構造、ビーム出射面４、半導体基体１をラテラル方向に形成している側面７を有している半導体基体を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、エージング特性が改善されたもしくは寿命が高められた面発光半導体レーザチップ。
【解決手段】少なくとも１つの側面５が結晶主方向７に対して斜めに配置されている。 （もっと読む）