本発明は、放射放出半導体部品に関し、動作時に第１の波長λ_１の電磁放射を主放射方向（１３）に放出する活性層（３）を備えた半導体ボディ（１）と、放出される放射の少なくとも一部分を、第１の波長λ_１よりも長い第２の波長λ_２の放射に変換するルミネセンス変換層（５）と、を備えている。主放射方向（１３）において活性層（３）の後ろに機能層（６）が存在しており、この機能層（６）は、放射の取り出し、色の混合、放出される放射の角度依存性、の少なくとも１つを改善し、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、またはサファイアを含んでいる。
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第１の発光ダイオードチップ（２）と、第２の発光ダイオードチップ（３）と、発光変換素子（４、４Ａ、４Ｂ）とを有する発光ダイオードアセンブリ（１）が記載される。前記第１の発光ダイオードチップ（２）は青色光を放射するように構成されている。前記第２の発光ダイオードチップ（３）は、緑色光を放射するように構成された半導体層列を含む。前記発光変換素子（４、４Ａ、４Ｂ）は、前記第１の発光ダイオードチップ（２）から放射された青色光の一部を赤色光に変換するように構成されている。前記発光ダイオードアセンブリ（１）は、混合光を放射するように構成されており、該混合光は、前記第１の発光ダイオードチップ（２）の青色光と、前記第２の発光ダイオードチップ（３）の緑色光と、前記発光変換素子（４）の赤色光とを含む。さらにバックライト装置（１０）と表示装置が記載される。
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本発明は、オプトエレクトロニクス半導体部品（３）のハウジング（１００）の製造方法に関し、あらかじめ作製される反射体（１）が、部分的にハウジング材（２）によって包囲されている。本発明は、さらに、ハウジング（１００）およびオプトエレクトロニクス半導体部品に関する。
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本発明は、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）を備えた半導体チップ（１）に関する。放射を生成するために使用される活性領域（２０）が、ｎ型導電多層構造（２１）とｐ型導電半導体層（２２）との間に配置されている。ｎ型導電多層構造（２１）には、少なくとも１つのドーピングピーク（４）を有するドーピングプロファイルが形成されている。
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オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）の少なくとも一実施形態において、このチップは、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮのうちの少なくとも１種類をベースとする半導体積層体（１）、を備えている。半導体積層体（１）は、ｐ型にドープされた積層体（２）と、ｎ型にドープされた積層体（４）と、これらｐ型にドープされた積層体（２）とｎ型にドープされた積層体（４）との間の活性ゾーン（３）と、を含んでいる。半導体積層体（１）は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１））をベースとする少なくとも１層の中間層（５）を備えている。中間層（５）は、活性ゾーン（３）を基準としてｎ型にドープされた積層体（４）と同じ側にあり、低い粘性の液体に関する中間層（５）の固有の薬液浸透性が、中間層（５）に隣接する半導体積層体（１）の領域の固有の薬液浸透性よりも低い。
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本発明は、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）に関する。このオプトエレクトロニクス半導体チップは、多数のマイクロダイオード（１１）を有する第１の半導体積層体（１）と、活性領域（１２）を有する第２の半導体積層体（２）とを備えており、第１の半導体積層体（１）および第２の半導体積層体（２）が窒化物化合物半導体材料をベースとしており、第１の半導体積層体（１）が成長方向において第２の半導体積層体（２）の前に位置しており、マイクロダイオード（１１）が活性領域（１２）のためのＥＳＤ保護部を形成している。
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本発明は、放射を生成するために設けられている活性領域（２０）を備えている半導体基体（２）とウェブ状の領域（３）とを有している半導体レーザ（１）に関する。ウェブ状の領域は放射方向に沿って延在する長手軸（３０）を有しており、この長手軸は、放射方向に延在する半導体基体の中心軸（２５）に関して、横断方向にずらされて配置されている。更に本発明は、半導体レーザを製造する方法に関する。
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本発明で提供されるのは、動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、少なくとも１つの表面領域（７）に原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有する素子であり、このシーリング材料により、上記表面領域（７）が気密に覆われる。さらに本発明ではオプトエレクトロニクス素子を製造する方法が提供される。
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有機発光装置（１００）はエレクトロルミネセンスビームを形成するための活性層と、エレクトロルミネセンスプロセス中に生じた熱を導出するための熱伝導層（２０６）とを有している。当該熱伝導層（２０６）は、２００Ｗ／ｍＫを越え、殊に５００Ｗ／ｍＫを越える熱伝導率を有している。
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本発明は、少なくとも１つの層（２）を支持体（３）から分離するレーザリフトオフ法のための装置（１００）に関する。装置（１００）には、たとえばパルス化されたレーザビーム（Ｌ）を発生させるレーザと、少なくとも１つのビームスプリッタ（４ａ，４ｂ）が含まれている。少なくとも１つのビームスプリッタ（４ａ，４ｂ）によって、レーザビーム（Ｌ）が少なくとも２つの部分ビーム（Ｐ）に分割される。層（２）とは反対側に位置する支持体（３）の主面（３０）が配置されている照射面（１０）において、部分ビーム（Ｐ１，Ｐ２）が重畳される。照射面（１０）において少なくとも２つの部分ビーム（Ｐ１，Ｐ２）が成す角度（α）は、少なくとも１．０゜である。
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