ここに記載されているのは、発光ダイオードであり、この発光ダイオードには、− 動作時に青色光のスペクトル領域において１次ビームを放射する発光ダイオードチップ（１）と、− この１次ビームの一部を吸収して２次ビームを再放射する変換素子（３４）とを有しており、ただし
− この変換素子（３４）には第１の発光材料（３）および第２の発光材料（４）が含まれており、− 第１の発光材料（３）は、吸収波長領域（Δλ_ab）において、波長が長くなるのに伴って吸収率が小さくなり、第２の発光材料（４）は、同じ吸収波長領域（Δλ_ab）において、波長が長くなるのに伴って吸収率が大きくなり、
− 上記の１次ビームには、上記の吸収波長領域（Δλ_ab）にある波長が含まれており、また − 上記の発光ダイオードは、１次ビームおよび２次ビームからなりかつ少なくとも4000Kの色温度を有する白色混合光を放射する。
（もっと読む）

本発明は、電子構成素子（１００）に関しており、この電子構成素子は、基板（１）と、この基板（１）上に配置された第１電極（３）と、この基板側を向いた電極（３）の面の成長層（７）とを有しており、成長層（７）上に配置された電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、また上記の成長層（７）は、10nm以下の厚さを有する。本発明はまた電子コンタクトに関する。
（もっと読む）

本発明は、発光ダイオードチップであって、第１の区域（１Ａ）および第２の区域（１Ｂ）を有する半導体ボディ（１）と、半導体ボディ（１）の中の活性ゾーン（２）であって、発光ダイオードチップ（１００）の動作時、少なくとも一部分が半導体ボディ（１）の第１の主面（１１１）によって形成されている放射出力面（１１）、によって電磁放射を放出する、活性ゾーン（２）と、半導体ボディ（１）における少なくとも１つの溝（３）であって、半導体ボディ（１）の一部分が溝（３）の領域において除去されている、少なくとも１つの溝（３）と、を備えており、少なくとも１つの溝が少なくとも活性ゾーン（２）に達しており、少なくとも１つの溝が第１の区域（１Ａ）を横方向に完全に囲んでおり、第２の区域（１Ｂ）が少なくとも１つの溝（３）と第１の区域（１Ａ）とを横方向に完全に囲んでいる、発光ダイオードチップ、に関する。 （もっと読む）

本発明は、上面（２２）及び下面（２３）を有しているエピタキシャル積層体（２）を備えているブロードエリアレーザ（１）に関する。積層体（２）はビーム生成活性層（２１）を含んでいる。更に積層体（２）は、上面（２２）から下面（２３）の方向に案内されている複数の溝（３）を有しており、この溝（３）においては積層体（２）の少なくとも一つの層が少なくとも部分的に除去されている。積層体（２）の上面は複数のウェブ（４）を有しており、それらウェブ（４）はそれぞれ溝（３）と接しているので、積層体（２）の上面側はストライプ状に構成されている。ウェブ（４）及び溝（３）はそれぞれ最大で２０μｍの幅（ｄ₁，ｄ₂）を有している。更に本発明は、その種のブロードエリアレーザ（１）の製造方法に関する。
（もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、第１の成分と、第１の成分とは異なる第２の成分とからなる半導体材料、を含んでいる、オプトエレクトロニクス半導体ボディ、を開示する。この半導体ボディは、ｎ型導電層（１）とｐ型導電層（５）との間に配置されている量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、１層の量子井戸層（３１）または積層体（３）（積層体（３）は複数の量子井戸層（３１）と少なくとも１層のバリア層（３２）とを備えており、バリア層（３２）が２層の連続する量子井戸層（３１）の間に配置されており、これら２層の量子井戸層（３１）に隣接している）と、ｎ型導電層（１）と１層の量子井戸層（３１）または積層体（３）とに隣接しているｎ側終端層（２）と、ｐ型導電層（５）と１層の量子井戸層（３１）または積層体（３）との間に配置されており、かつ積層体（３）または１層の量子井戸層（３１）に隣接しているｐ側終端層（４）と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は、光透過キャリア（４４）と互いに離間した少なくとも２つの半導体ボディ（４１，４２，４３）とを有し、各前記半導体ボディ（４１，４２，４３）は電磁放射を発生させるために設けられ、前記半導体ボディ（４１，４２，４３）は個別に駆動可能であり、且つ、前記光透過キャリア（４４）の上面（４４ａ）に配設されている、複数の発光ダイオード（４）を設けるステップと、少なくとも２つの接続部（２）を上面（１０ａ）に有するＣＭＯＳチップ（１０）から構成される複数のチップ集合体（１）を設けるステップと、前記発光ダイオード（４）の少なくとも１つを前記ＣＭＯＳチップ（１０）の少なくとも１つに接続するステップであって、前記発光ダイオード（４）は、前記光透過キャリア（４４）の前記上面（４４ａ）において、前記ＣＭＯＳチップ（１０）の前記上面（１０ａ）に配設され、前記発光ダイオードの各半導体ボディ（４１，４２，４３）は前記ＣＭＯＳチップ（１０）の接続部（２）に接続される、ステップとを含む、発光手段の製造方法を特定する。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）の少なくとも一実施形態に関し、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント（１）は、キャリア（２）および少なくとも１つ半導体積層体（３）を備えている。半導体積層体（３）は、少なくとも１層の活性層（３０）を備えている。さらに、半導体積層体（３）はキャリア（２）に結合されている。半導体コンポーネント（１）は、キャリア（２）と半導体積層体（３）との間の金属ミラー（４）をさらに備えている。キャリア（２）および半導体積層体（３）は、横方向において金属ミラー（４）よりも突き出している。さらに、金属ミラー（４）は、放射に対して透過性の封止層（５）によって、横方向において直接囲まれている。
（もっと読む）

本発明は、発光ダイオードであって、実装面（１ａ）を有するキャリア（１）と、実装面（１ａ）に取り付けられている少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と、電磁放射（４）を反射するように設けられている反射要素（３）と、を備えており、反射要素（３）がキャリア（１）に取り付けられており、反射要素（３）が多孔質ポリテトラフルオロエチレンを備えている、発光ダイオード、に関する。
（もっと読む）

【課題】放射効率が高められたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子およびその種の半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が第１の主面及び第２の主面を有し、且つ、半導体素子の半導体基体が種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており、生成される放射の少なくとも一部が前記第１の主面を通過して出力結合され、第２の主面上にリフレクタが被着されている。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を、基板基体及び中間層を有する接合基板上に被着し、基板基体の熱膨張係数はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の熱膨張係数よりも大きく、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を中間層上に析出する。 （もっと読む）

本発明は、電子素子（２）を有する上面（１Ａ）と、該上面とは反対側の、複数の端子部（Ａ１，Ａ２）を有する下面（１Ｂ）と、少なくとも１つの側面（３）とを有するベースボディ（１００）を備えた電子モジュールに関する。本発明によれば、前記少なくとも１つの側面は第１の領域（４Ａ）および第２の領域（４Ｂ）を含む少なくとも１つの制御位置（４）を有しており、前記第２の領域は前記第１の領域内の凹部（５）として構成されており、前記第１の領域と前記第２の領域とは異なる材料を含む。
（もっと読む）