有機発光ダイオード１０は、金属によって形成されている第１の電極１と、第２の電極と、少なくとも１つの活性層３３を備えた有機層列３と、放射を透過させるインデクス層４と、前面６と、背面５とを有する。有機層列３は第１の電極１と第２の電極２との間に設けられている。インデクス層４は、第１の電極１の有機層列３側とは反対側の外面１１に設けられている。インデクス層４の平均屈折率は有機層列３の平均屈折率よりも大きいか、又は、有機層列３の平均屈折率と等しい。背面５はインデクス層４と対向しており、前面６は有機層列３と対向している。発光ダイオード１０において生成される放射Ｐ，Ｒ，Ｓは前面６及び背面５の内の少なくとも一方において放出される。有機発光ダイオード１０によって生成される電磁的なプラズモン放射Ｐの少なくとも一部はインデクス層４を通過する。
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少なくとも一実施形態において、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、半導体積層体（２）を備えている。半導体積層体（２）は、一次放射（Ｐ）を発生させる少なくとも１層の活性層（３）を含んでいる。半導体積層体（２）は、複数の変換層（４）をさらに備えており、これらの変換層（４）は、一次放射（Ｐ）の少なくとも一部分を吸収し、それを、一次放射（Ｐ）よりも長い波長を有する二次放射（Ｓ）に変換するように構成されている。半導体積層体（２）は、少なくとも一部分が変換層（４）の中まで延びている粗面化領域（５）をさらに備えている。 （もっと読む）

１つの封止部、少なくとも２つの二重層を有する電子素子が記載されている。更に、層列が封止された電子素子の製造方法が記載されている。
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本発明は、基板（１）と、アノード（２）およびカソード（１０）と、該アノードとカソードの間に配置された少なくとも１つの活性層（６）とを有する光電構成素子に関する。アノード（２）のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層（３）が直接配置されている。酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の１つまたは複数の金属から選択されている。
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本発明は、第１の基板（１）と第２の基板（２）を有する素子に関している。この素子では、第１の基板（１）に少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子（４）が配設され、該オプトエレクトロニクス素子（４）は少なくとも１つの有機材料を含み、前記第１の基板（１）と第２の基板（２）は、それらの間にオプトエレクトロニクス素子（４）が設けられるように互いに相対的に配設されており、前記接続材料（３）は、第１の基板（１）と第２の基板（２）の間に設けられ、前記接続材料（３）は、オプトエレクトロニクス素子（４）を取り囲んで、前記第１の基板（１）と第２の基板（２）を相互に機械的に接続し、前記接続材料（３）は専ら２０ｗｔ％乃至７０ｗｔ％の割合の酸化銀を含み、前記接続材料（３）は当該接続材料の熱膨張係数を有利には低減させる、少なくとも１つの充填材（５）を含んでいる。
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本発明によるオプトエレクトロニクス半導体は、活性半導体積層部（１０）と反射性層系（２０）とを有し、前記反射性層系（２０）は、前記活性半導体積層部（１０）に当接する第１の誘電材料を含んだ第１のビーム透過性層（２１）と金属層（２３）とを有し、前記金属層（２３）は前記第１のビーム透過性層（２１）の、前記活性半導体積層部（１０）とは反対側に配設され、前記第１のビーム透過性層（２１）と金属層（２３）との間に、第２のビーム透過性層（２２）が設けられ、前記第２のビーム透過性層（２２）は付着性の改善された材料を含み、そこには金属層（２３）が直接被着され、第１の誘電材料とは異なる付着性の改善された材料に対する前記金属層（２３）の付着性が、第１の誘電材料に対する付着性に比べて向上するように選定されている。
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発光ダイオードを提供する。この発光ダイオードは・半導体ボディ（１）を有しており、当該半導体ボディ（１）は、ビームを生成するために設けられている活性領域（１１）を含んでおり、・担体（２）を有しており、当該担体（２）は、前記半導体ボディ（１）の上面（１ａ）で半導体ボディ（１）に固定されており、当該担体（２）はルミネセンス変換材料を含んでおり、・ミラー層（３）を有しており、当該ミラー層（３）は、前記上面（１ａ）に反している、前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）で当該半導体ボディ（１）に被着されており、・２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）を有しており、当該２つのコンタクト層のうちの第１のコンタクト層（４ａ）は前記半導体ボディ（１）のｎ型にドーピングされている領域（１３）と導電性接続されており、当該２つのコンタクト層のうちの第２のコンタクト層（４ｂ）は前記半導体ボディ（１）のｐ型にドーピングされている領域（１２）と導電性接続されている。
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本発明は、基板と、第１電極および第２電極と、エミッタ層とを有しており、ここでこのエミッタ層は、第１電極と第２電極との間に配置されかつ紫色または青色のスペクトル領域における光を放射する。このエミッタ層には、マトリクス材料と、（このマトリクス材料を基準にして）０.１ないし５重量％の蛍光発生ビーム放射エミッタと、１ないし３０重量％のりん光発生エキシトントラップとが含まれている。上記の蛍光発生エミッタの放射最大値およびりん光発生エキシトントラップの放射最大値は、青色、紫色または紫外線のスペクトル領域にある。
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レンズ（１）が設けられており、これにはベースボディ（２３）と注封材料（４）が含まれている。ベースボディ（２３）は、第１の主表面（２１）と、第２の主表面（２２）と、第１の主表面（２１）に配置された少なくとも１つのキャビティ（３）を有している。注封材料（４）は、キャビティ（３）内に配置されていて、少なくとも１つのディフューザを有しており、このディフューザは、少なくとも１つの波長領域の放射を散乱させる。
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オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態では、該オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は窒化物材料系をベースとし、少なくとも１つの活性量子井戸（２）を含む。前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は、動作中に電磁波を生成するように形成されている。さらに、前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は、半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向にＮ個の相互に重なったゾーン（Ａ）を含む。ここで、Ｎは２以上の自然数である。前記活性量子井戸（２）のゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンの各平均インジウム含有率ｃは相互に異なる。
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