【課題】放射放出が作製期間中に目標領域に調整設定可能である半導体チップ構造。
【解決手段】放射放出半導体チップの明るさを、ウェハの放射放出半導体層列（３）の放射放出特性の測定後の半導体チップの作製期間に、１つまたは複数の吸収性および／または部分絶縁性の明るさ調整設定層（１２，６，９）をウェハの放射出力結合面（１０）に被着することによって調整設定する。 （もっと読む）

本発明は、光放出開口部（１２）を有しているランプケーシング（１）と、ランプケーシング（１）内に配置されている第１の種類の光源（２）と、ランプケーシング（１）に固定されている保持部（４）と、保持部（４）に固定されている、少なくとも一つの第２の種類の光源（３）とを備えており、少なくとも一つの第２の種類の光源（３）が有機発光ダイオードを含んでおり、少なくとも一つの第２の種類の光源（３）が、放射方向（Ｒ）において光放出開口部（１２）の後方に配置されているランプに関する。
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白色を形成する本発明の変換ＬＥＤは、ＬｕＡＧａＧタイプの第１の発光材料と、ニトリドシリケートタイプの第２の発光材料とを有する発光材料混合物を有する。これにより、極めて高い効率が達成される。
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高い演色評価数を有するコンバージョンＬＥＤは、ＬｕＡＧａＧ型の第１の蛍光体と、カルシン型の第２の蛍光体とを有する蛍光体混合物を有している。これによって、温白色の色温度のための非常に高い演色評価数が達成される。
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電気的にポンピングされるオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の少なくとも一つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクス半導体チップが、ＩｎＧａＮを含有しているか、又は、ＩｎＧａＮから構成されている、少なくとも二つのビーム活性量子井戸（２）と、ＡｌＧａＮを含有しているか、又は、ＡｌＧａＮから構成されている、少なくとも二つのカバー層（４）とを有している。カバー層（４）はそれぞれ、ビーム活性量子井戸（２）のうちの一つに対応付けられており、また、カバー層（４）はビーム活性量子井戸（２）のｐ側にそれぞれ設けられている。ビーム活性量子井戸（２）と、対応付けられているカバー層（４）との間隔は最大で１．５ｎｍである。
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【課題】光半導体装置の量子効率を改善する。
【解決手段】本発明では、ウェル層を成長させる際に、少なくとも１つのウェル層のインジウム含量を増大させる。また、本発明の光半導体装置は、窒化物半導体材料をベースとした第１の組成のウェル層は第１の電子エネルギを有しており、窒化物半導体材料の第２の組成のバリア層は第１の電子エネルギよりも高い第２の電子エネルギを有しており、バリア層の上にビーム活性の量子井戸層が成長されており、発光しないウェル層とバリア層とがビーム活性の量子井戸層に対して超格子を形成しており、ビーム活性の量子井戸層の層厚さは超格子のウェル層の層厚さよりも大きい。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオードチップと電気抵抗素子とを含む発光半導体モジュールに関する。本発明によれば、前記発光ダイオードチップは、相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域と、それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子とを有しており、各発光領域は、前記発光ダイオードチップの動作時に１次電磁放射を形成するために設けられており、かつ、該１次電磁放射の少なくとも一部を前記発光ダイオードチップから出力するための発光面を１つずつ有しており、前記変換素子は、前記１次電磁放射の少なくとも一部を吸収して２次電磁放射を再放出するために設けられており、かつ、それぞれ各発光面の後方に配置されており、前記電気抵抗素子は、前記少なくとも２つの発光領域のうち少なくとも１つに対して直列または並列に接続されている。
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【課題】レーザ増幅システムを可能な限り効率的に作動させる。
【解決手段】レーザ活性増幅器構造は量子構造であり、レーザ活性容積領域は、互いに離隔して配置されるが、積層方向に、互いに上下に配置された表面内に位置する複数の量子構造を具備し、量子構造は、該量子構造の間に位置している中間層によって互いに分離されており、ここで、中間層は専ら包囲構造によって構成されており、量子構造内におけるポンピング放射場からのポンピング放射の吸収が、量子構造に隣接する包囲構造によるポンピング放射の吸収と同じであるか或いはこれを上回っており、これによりポンピング放射の大部分が量子構造そのものにおいて吸収され、ポンピング放射場は量子構造を複数回通過するように進行する。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法に関し、本方法は、キャリア（１）を形成するステップと、キャリア（１）の上面（１ａ）に少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を配置するステップと、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を成形体（３）によって成形するステップであって、成形体（３）が、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）の側面（２ｃ）すべてを覆っており、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）の上面（２ａ）における、キャリア（１）とは反対側の面、または、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）の下面（２ｂ）における、キャリアの側の面に、成形体（３）が存在しない、またはこれらの面が露出している、ステップと、キャリア（１）を除去するステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基体、その切り欠き内のオプトエレクトロニクスの送信器及び又は受信器、切り欠きの傾斜した内壁面、切り欠き内の流し込み物質、切り欠きを閉じる光学的な装置を有するオプトエレクトロニクスのＳＭＴ素子の放射特性を改善して、良好に規定可能な放射特性を有し、素子経費が安価であるようにする。
【解決手段】光学的な装置１６は中央範囲に基面１７を有し、基面は移行斜面１８を介して、基面から後退させられかつ半径方向外方に位置するリング形の支持面１９に続いており、基面は移行斜面に基づき切り欠き内に位置し、光学的な装置をまだ硬化していない流し込み物質１４上に載せることにより、基面が流し込み物質と全面で接触し、かつ流し込み物質は、反射器を形成する傾斜した内壁面と移行傾斜との間に配置されている。 （もっと読む）