発光ダイオードは、少なくとも１つの発光ダイオードチップと、少なくとも１つの制御装置とを備え、各発光ダイオードチップは少なくとも１つの制御装置の１つに電気的に接続され、各少なくとも１つの制御装置は、当該制御装置に接続されている各発光ダイオードについての輝度データが記憶されるデータ記憶装置を有し、制御装置は、発光ダイオードチップについて記憶された輝度データに従って選択される電流によって、接続された発光ダイオードチップを駆動する。
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光電モジュール（１００）が記載される。この光電モジュールは、少なくとも１つの接点個所（１Ａ）を備える支持体（１）と、第１の接点面（２Ａ）と第２の接点面（２Ｂ）とを有する発光半導体チップ（２）と、第１の切欠部（４Ａ）と第２の切欠部（４Ｂ）とを備える絶縁層（４）と、少なくとも１つの導電性導体路構造体（８）とを有し、前記第１の接点面（２Ａ）は、前記発光半導体チップ（２）の支持体（１）とは反対の側に配置されており、前記絶縁層（４）は少なくとも部分的に支持体（１）および半導体チップ（２）の上に取り付けられており、前記第１の切欠部（４Ａ）を前記第１の接点面（２Ａ）の領域に、前記第２の切欠部を前記第２の接点個所（１Ａ）の領域に有し、前記導電性導体路構造体（８）は前記絶縁層（４）の上に配置されており、前記第１の接点面（２Ａ）は前記支持体（１）の前記接点個所（１Ａ）と電気的に接触接続しており、前記絶縁層（４）は、主にセラミック材料から形成されている。
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本発明は、基板、当該基板上に配置された第一電極、当該第一電極上に配置された少なくとも１つの第一有機機能層、及び当該第一有機機能層上に配置された第二電極を有する、有機電子デバイスに関する。前記第一有機機能層には、マトリックス材料と、当該マトリックス材料に関するｐドーパントが含まれ、ここで当該ｐドーパントは、左式の配位子Ｌを少なくとも１個有する銅錯体を含有し、当該式中、Ｅ₁及びＥ₂は同一であっても異なっていてもよく、酸素、硫黄、セレン、又はＮＲ’であり、ここでＲは水素、又は置換若しくは非置換の分枝状、直鎖状、若しくは環状の炭化水素であり、Ｒ’は水素又は置換若しくは非置換の分枝状、直鎖状、若しくは環状の炭化水素である。本発明はさらに、銅原子を少なくとも２個有し、かつ２個の銅原子をブリッジする前記配位子Ｌを少なくとも１個有する、有機半導体マトリックス材料をドーピングするための多核銅錯体を提供する。
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本発明は端面発光半導体レーザーに関している。この半導体レーザーは、放射ビームを生成する活性領域（１）と、前記活性領域（１）にて生成された放射ビームを半導体レーザー内に誘導するのに適した全導波路（８）とを有し、前記全導波路（８）は、第１のｎ型ドープ層（４）と第２のｎ型ドープ層（５）とを含み、前記第２のｎ型ドープ層（５）は第１のｎ型ドープ層（４）と活性領域（１）との間に設けられている。また前記第２のｎ型ドープ層（５）の屈折率ｎ₂は前記第１のｎ型ドープ層（４）の屈折率ｎ₁よりも大きさｄｎだけ大きい。
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【課題】ハウジング基体との結合が機械的負荷に対し著しく抵抗力がないような被覆材を使用するにもかかわらず被覆材とハウジング基体との間の層剥離の危険が低減されるような半導体コンポーネントを提供する。
【解決手段】放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う少なくとも１つの半導体チップ１を有し、半導体チップ１はハウジング基体３の凹所２内に配置され、凹所２は、内部に半導体チップ１が固定されるチップ収容部２１と、チップ収容部２１を凹所２内において少なくとも部分的に囲む溝２２とを有し、チップ収容部２１と溝２２との間にハウジング基体３は壁部２３を有し、その頂点はチップ収容部の底面から見て、ハウジング基体３の表面であってそこからハウジング基体３中への凹所２が続くハウジング基体３の表面のレベルの下にあり、被覆材４はチップ収容部２１から壁部を越え溝２２に掛かる。 （もっと読む）

本発明は、放射出口面（２ａ）を有する第１の半導体ボディ（２）、を備えたオプトエレクトロニクスモジュールであって、放射出口面に電気接続領域（２１，２２）が配置されている、オプトエレクトロニクスモジュール、に関する。第１の半導体ボディ（２）は、放射出口面（２ａ）とは反対に位置する面がキャリア（１）側であるように配置されている。キャリア（１）上、第１の半導体ボディ（２）の横隣に、絶縁材料（３）が配置されている。この絶縁材料はフィレットを形成しており、半導体ボディ（２）に密着状に隣接している。第１の半導体ボディ（２）および絶縁材料（３）の上に、少なくとも部分的に絶縁層（４）が配置されている。第１の半導体ボディ（２）を平面的に接触接続するための平面状導電性構造が、絶縁層上に配置されている。平面状導電性構造は、電気接続領域（２１，２２）に導電接続されている。本発明は、さらに、このようなオプトエレクトロニクスモジュールの製造方法に関する。
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本発明は、凹陥部（１０２）を有するベースボディ（１００）を備えた光電半導体素子に関する。本発明の光電半導体素子は第１の光電素子（１０４）と第２の光電素子（１０６）と表面パターニング素子（１１０）とを備えている。前記第１の光電素子および前記第２の光電素子は充填材によって前記凹陥部内に埋め込まれている。前記表面パターニング素子によって前記充填材の表面に少なくとも２つの湾曲領域（１１４，１１６，１１８）が形成されている。また、本発明は、光電半導体素子の製造方法にも関する。
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本発明は、オプトエレクトロニクス素子１０に関する。この素子には、放射出射側２０を備えた少なくとも１つの半導体ボディ２が設けられている。半導体ボディ２０は、放射出射側２０とは反対側で基板１上に配置されており、放射出射側２０に、少なくとも１つの電気的な接続領域２２が配置されている。この接続領域２２の上に金属化隆起部３が配置されている。さらに半導体ボディ２には、少なくとも部分的にアイソレーション層４が設けられており、金属化隆起部３はこのアイソレーション層４よりも上に突き出ている。半導体ボディ２との平面的な接触接続のためアイソレーション層４の上に、少なくとも１つの平面導体構造５が配置されており、この平面導体構造５は、金属化隆起部３を介して電気的な接続領域２２と導電接続されている。さらに本発明は、この種のオプトエレクトロニクス素子の製造方法にも関する。
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【課題】光電素子および、容易かつ低コストで製造可能な、多数の光電素子を有する装置並びに、光電素子に対する容易な製造方法を提供すること
【解決手段】アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでいる形式のものにおいて、当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、ことを特徴とする光電素子。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関する。この製造方法の少なくとも一つの実施の形態においては、方法が、少なくとも一つの活性層を備えている半導体積層体（３）を準備するステップと、変換手段粒子（５５）が埋め込まれているマトリクス材料（５０）を有しているワンピースの変換手段体（５）を準備するステップであって、マトリクス材料は不完全に架橋されており、及び／又は、硬化されており、且つ、変換手段体は室温においてショアＡ０を上回り且つショアＡ３５以下の硬度、及び／又は、１０Ｐａ・ｓ以上１５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有するステップと、半導体積層体の上に変換手段体を取り付け、半導体積層体と変換手段体とを相互に直接的に接触させるステップと、変換手段体を硬化させるステップであって、硬化後に変換手段体の硬度は少なくともショアＡ３０且つ最大でショアＤ８０であるステップとを備えている。
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