電子モジュール
本発明は、電子素子（２）を有する上面（１Ａ）と、該上面とは反対側の、複数の端子部（Ａ１，Ａ２）を有する下面（１Ｂ）と、少なくとも１つの側面（３）とを有するベースボディ（１００）を備えた電子モジュールに関する。本発明によれば、前記少なくとも１つの側面は第１の領域（４Ａ）および第２の領域（４Ｂ）を含む少なくとも１つの制御位置（４）を有しており、前記第２の領域は前記第１の領域内の凹部（５）として構成されており、前記第１の領域と前記第２の領域とは異なる材料を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子モジュール、ならびに、電子モジュールを備えた光電デバイスに関する。本願は、独国出願第１０２００９０３２２５３．１号の優先権を主張するものであり、当該の独国出願の開示内容は引用により本願に含まれるものとする。
【０００２】
本発明の解決すべき課題は、電子素子の端子のはんだコンタクトを光学的に制御できる電子モジュールを提供することである。
【０００３】
本発明によれば、電子モジュールはベースボディを有する。例えば、当該のベースボディは表面実装デバイス用ケーシング（ＳＭＤケーシング）である。また、当該のベースボディは、上面とこの上面の反対側の下面とを有する。
【０００４】
上面および下面には、ベースボディの外表面の一部によって、それぞれ１つずつの面領域が形成されている。下面の面領域とは、ベースボディの外表面のうち、実装状態でコンタクト支持体（例えば配線板）に面する領域を云う。
【０００５】
本発明では、ベースボディの下面に複数の端子部が配置されている。各端子部はここでは電子モジュールの電気的コンタクトのために設けられている。有利には、電子モジュールの下面は同時にベースボディの下面をなしており、下面の端子部には外部からアクセス可能である。つまり、ベースボディの下面で電子モジュールへの電気的接続が行われるのである。
【０００６】
本発明では、ベースボディの上面に電子素子が配置されている。電子素子は例えばベースボディの上面の面領域に電気的に接続されている。このために、電子素子は、当該の面領域に、ボンディングされているか、はんだ付けされているか、または、導電性接着剤によって接着されている。ここでの電子素子は、光感応性半導体チップまたは発光半導体チップである。例えば、当該の半導体チップは、ルミネセンスダイオードチップ、ＬＥＤチップ、レーザーダイオードチップなどである。
【０００７】
本発明では、ベースボディは、第１の領域および第２の領域を含む少なくとも１つの制御位置を有する少なくとも１つの側面を有する。当該の側面は、下面に対して垂直に延在し、ベースボディの側方を包囲する面である。当該の側面は下面から上面へ向かって延在し、この２つの面を接続している。少なくとも１つの制御位置は有利には外部からアクセス可能であり、例えば外部の観察者にとって任意に見通し可能である。"任意に見通し可能である"とは、電子素子がコンタクト支持体上に実装されても、制御位置の所定の部分が覆われておらず、外部から光学的に観察できることを意味する。"領域"とは、側面を少なくとも部分的に形成する表面を指す。有利には、制御位置の全体が第１の領域と第２の領域とによって形成されている。換言すれば、制御位置は側面の一部であり、これが２つの領域に分割されているのである。つまり、制御位置は、側面の一部であって、例えば材料の相違により、側面の他の部分から区別される領域である。
【０００８】
本発明では、第２の領域は第１の領域内の凹部として構成されている。なお、"凹部"とは、例えば第１の領域を切り欠いたりアーチ形にしたりして形成されたくぼみのことである。第２の領域の側方は少なくとも部分的に第１の領域によって包囲されている。例えば、第２の領域は第１の領域によって完全に包囲される。
【０００９】
本発明では、第１の領域と第２の領域とは異なる材料を有する。"異なる材料を有する"とは、第１の領域を形成する材料と第２の領域を形成する材料が同じでないことを意味する。例えば、第２の領域は、付加的なコーティングを設けることによって、第１の領域から区別される。
【００１０】
本発明は、電子素子を有する上面と、この上面とは反対側の、複数の端子部を有する下面と、少なくとも１つの側面とを有するベースボディを備えた、電子モジュールに関する。本発明によれば、前記少なくとも１つの側面は第１の領域および第２の領域を含む少なくとも１つの制御位置を有しており、前記第２の領域は前記第１の領域内の凹部として構成されており、前記第１の領域と前記第２の領域とは異なる材料を含む。
【００１１】
ここでの電子モジュールは、特に、コンタクト支持体（例えば配線板）上に載置されている場合、電子モジュールの下面に配置された複数の端子部が外部から見通せないようになっていることが前提である。各端子部は、電子モジュールのベースボディによって覆われている。このようにすると、例えば、端子部が接続材料によって充分に濡らされているかどうか、ただちには判別できない。また、電子モジュールの端子部がコンタクト支持体に電気的および／または機械的に接続されているかどうかも確実ではない。
【００１２】
電子モジュールの端子部を接続材料によって制御可能に充分に濡らすために、本発明の電子モジュールは、少なくとも１つの制御位置を含む少なくとも１つの側面を有するベースボディを用いるというアイデアを基礎としている。当該の制御位置は第１の領域および第２の領域を有する。
【００１３】
複数の端子部および少なくとも１つの制御位置の双方が接続材料に接触し、接続材料と制御位置とのあいだに充分な濡れひいては物理的または化学的に安定な接続が生じると、複数の端子部も接続材料によって充分に濡らされ、硬化後、例えばコンタクト支持体に対して、電気的および機械的に安定な接続が達成される。よって、電子モジュールがコンタクト支持体上に被着された場合にも、制御位置での視覚的な監視によって、各端子部が接続材料によって充分に濡らされているという記述データを得ることができる。
【００１４】
本発明の有利な実施形態によれば、第２の領域は第１の領域よりも接続材料によって強く濡らすことができる。すなわち、接続材料は、第１の領域よりも第２の領域に対して物理的または化学的に強く結合し、このため、第２の領域へ塗布されると例えば滴落しなくなる。硬化後、接続材料は第２の領域にいっそう強く結合するので、例えば、接続材料と第２の領域とのあいだの接続部は、接続材料と第１の領域とのあいだの接続部に比べ、大きな外部の機械的負荷に耐えることができる。当該の接続材料は例えばはんだである。この場合、例えば、はんだは、鉛フリーはんだろうまたは鉛を含有するはんだろうによって形成される。また、接続材料を接着剤によって形成してもよい。例えば、接着剤として、銀を含む導電性接着剤が用いられる。
【００１５】
本発明の別の有利な実施形態では、ベースボディは金属支持体を有する。当該の支持体は、条片状の金属支持体（リードフレームとも称される）である。これは、例えば、２つの条片状の金属、例えば銅によって形成される。同様に、ニッケル、パラジウム、銀のうち１つまたは複数の材料あるいはこれらと銅との混合物によって、金属支持体を形成することもできる。
【００１６】
本発明の別の有利な実施形態では、金属支持体は部分ごとに不透光性のケーシングボディによって覆われている。有利には、金属支持体とケーシングボディとがベースボディを形成している。ここで、"覆われている"とは、ケーシングボディが部分ごとに金属支持体に直接に接触し、金属支持体とケーシングボディとのあいだの所定の位置には空隙も中断部も存在しない状態を意味する。"不透光性"とは、ケーシングボディが入射してくる電磁放射の少なくとも８０％、有利には９０％までを透過させないことを意味する。ケーシングボディはデュロプラスト材料またはサーモプラスト材料、例えばエポキシドによって形成されているか、あるいは、セラミック材料によって形成されているか、あるいは、その他の材料によって形成されている。当該の材料に、付加的に、光吸収性の材料、例えばカーボンブラック粒子または他の充填物質を導入してもよい。
【００１７】
本発明の別の有利な実施形態によれば、ケーシングボディは金属支持体と制御位置とを機械的に接続している。有利には、外部の機械的作用に対して特に安定な電子モジュールが形成される。また、ケーシングボディにより、金属支持体と制御位置との相対位置が安定化される。さらに、ケーシングボディが電気的に絶縁され、金属支持体と制御位置とのあいだに配置される。
【００１８】
本発明の別の有利な実施形態によれば、金属支持体および／または制御位置はケーシングボディ内に少なくとも部分的に埋め込まれている。これは、金属支持体が、各端子部および電子素子の実装領域を除いて、ケーシングボディによって包囲されていることを意味する。つまり、有利には、ケーシングボディと電子モジュールの各端子部とはかみ合っており、少なくとも部分的に形状による接合が達成されている。有利には、各端子部の面は、垂直方向で、ケーシングボディの面と整合する。ここで、"垂直方向"とは、ベースボディの下面に対して垂直またはほぼ垂直な平面を延在する方向を云う。すなわち、各端子部はベースボディの下面に位置し、ケーシングボディを超えて突出してはいない。有利には、各端子部は、電子モジュールの外部から電気的にコンタクト可能な面を有する。少なくともこの面では、各端子部はケーシングボディによって包囲されてはいない。
【００１９】
本発明の別の有利な実施形態によれば、各端子部および制御位置は同じ材料によって形成されている。例えば、各端子部および制御位置は銅によって形成されており、各端子部および第２の領域に付加的に、金属コーティング、例えば、金コーティングまたは銀コーティングが設けられる。制御位置の第２の領域が接続材料によって充分に濡らされている場合、各端子部に付加的なインジウムコンタクトを設けた後、各端子部も接続材料によって充分に濡らされていることの確認を得ることができる。
【００２０】
本発明の別の有利な実施形態によれば、ベースボディはセラミック材料によって形成されている。ベースボディが完全にセラミック材料によって形成されている場合、下面の少なくとも一部の箇所が電気的コンタクトを形成しうる材料、例えば、金属によってコーティングされ、当該のコーティング箇所が端子部となる。また、ベースボディがチップ端子部と電子モジュールのコンタクトを形成するための導体路とを有してもよい。
【００２１】
本発明の別の有利な実施形態によれば、ベースボディの少なくとも１つの側面は位置ごとのダイシングによって形成されている。特に、側面の輪郭形状は射出成形またはプレス成形によってではなく、成形体のダイシングプロセスによって定められる。ダイシングは、例えば、ソーダイシング、切削、フライシング、破断エッジ形成およびこれに続く破断や、その他の手法によって行われる。ケーシングボディの側面は材料の除去によって形成される。この場合、有利には、側面が材料除去の痕跡を有する。ベースボディが金属支持体によって形成されており、ケーシングボディおよび金属支持体を通る位置で電子モジュールがダイシングされる（切削ないし破断される）場合、金属支持体の側面は横方向でケーシングボディの面に一致する。
【００２２】
ここで、"横方向"とは、下面に対して平行あるいはほぼ平行に延在する平面の方向である。つまり、この場合、側面は、部分ごとに、ケーシングボディと金属支持体とによって形成されている。金属支持体の所定の位置でダイシングを行って制御位置を形成することもできる。この場合、有利には、制御位置の第２の領域を通るダイシングは行われないので、第２の領域はダイシングの痕跡、例えば材料の除去の痕跡を有さない。
【００２３】
本発明の別の有利な実施形態によれば、制御位置の第１の領域は金属によって形成されている。また、これに関連して、ベースボディが金属支持体を有してもよい。
【００２４】
本発明の別の有利な実施形態によれば、制御位置の第１の領域はセラミック材料によって形成される。有利には、ベースボディも完全にセラミック材料によって形成される。
【００２５】
本発明の別の有利な実施形態によれば、制御位置の第２の領域は金属コーティングを有する。有利には、各端子部と制御位置の第２の領域との双方に金属コーティングが設けられる。有利には、各端子部の金属コーティングと制御位置の第２の領域の金属コーティングとは同じ材料で形成される。金属コーティングを設けると、有利には、接続材料の濡れ性を調整する（例えば高める）ことができる。ここでの金属コーティングは例えば金または銀によって形成される層である。
【００２６】
さらに、本発明は、前述した電子モジュールを含む光電デバイスに関する。つまり、本発明は、前述したそれぞれの実施形態による電子モジュールを含む光電デバイスに関する。
【００２７】
少なくとも１つの実施形態によれば、光電デバイスは、電子モジュールと、この電子モジュールの電気的コンタクトを形成するためのコンタクト支持体とを有し、コンタクト支持体の表面に少なくとも１つの実装領域が形成されている。コンタクト支持体は例えば配線板であり、実装領域は電子モジュールの実装される領域である。つまり、実装領域は、コンタクト支持体の表面のうち電子モジュールが載置される面である。このために、実装領域は少なくとも部分ごとに電子モジュールに機械的に接触する。有利には、実装領域は電子モジュールの電気的コンタクトを形成するための接続材料に接触する。接続材料は、電子モジュールの少なくとも１つの位置、ひいては、電子モジュールの実装領域の少なくとも一部を濡らす。
【００２８】
別の有利な実施形態によれば、制御位置の第２の領域が、接続材料によって実装領域へ結合されている。"結合されている"とは、接続材料を硬化した後、接続材料と第２の領域とが、例えば外部からの機械的負荷に対して耐性を有して安定にかつ固定に接合されることを意味する。有利には、接続材料は第２の領域に物理的および／または化学的に結合するので、これらのあいだには空隙も中断部も生じない。特に、接続材料は第２の領域に対して、破断耐性を有するように結合される。
【００２９】
本発明の別の有利な実施形態によれば、接続箇所はコンタクト支持体の上面から任意に見通し可能である。"任意に見通し可能である"とは、当該の制御位置がコンタクト支持体のうち電子モジュールに近い側から視覚的に監視可能であることを意味する。例えば、外部の観察者は、当該の制御位置につき、接続材料が第２の領域に結合しているかどうか監視することができる。第２の領域が接続材料と結合していれば、電子モジュールの各端子部が接続材料と結合していることになる。
【００３０】
本発明の別の有利な実施形態によれば、接続材料ははんだである。また、接続材料がはんだろうであり、制御位置の第２の領域が銀または金のコーティングを有するようにしてもよい。有利には、金コーティングの場合、銅によって形成される金属支持体上で、析出プロセス、例えば無電流めっきによって、制御位置の第２の領域に複数の層から成る積層体が形成される。有利には、当該の積層体は、最下層が金属支持体であり、接続材料へ向かってニッケル・パラジウム・金が層をなすものである。なお、各層が他の材料によって形成されていたり、異なる順序で層をなしていたりしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の電子モジュールの第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の電子モジュールの第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の電子モジュールを製造するための基体の第１の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明の電子モジュールの第３の実施例を示す図である。
【図５】本発明の電子モジュールを製造するための基体の第２の実施例を示す平面図である。
【図６】本発明の光電デバイスの側面図である。
【００３２】
以下に、本発明の電子モジュールおよび光電デバイスを図示の実施例に則して詳細に説明する。
【００３３】
図中、同じ要素および同様の機能を有する要素には同じ参照番号を付してある。ただし、各要素は縮尺通りには描かれておらず、むしろわかりやすくするために部分的に拡大して描かれていることもある点に注意されたい。
【００３４】
図１のａには電子モジュールＥＢＴを図２のＡ−Ａ線で切断した断面図が示されている。ベースボディ１００は上面１Ａとその反対側の下面１Ｂとを有する。
【００３５】
また、ベースボディ１００は金属支持体１０１を有する。金属支持体１０１は例えば銅によって形成されている。なお、金属支持体１０１は部分ごとに不透光性のケーシングボディ６によって覆われている。金属支持体１０１はケーシングボディ６とともにベースボディ１００を形成している。図１のａの実施例では、ケーシングボディ６はベースボディ１００の上面１Ａのうち、チップ実装領域を除き、面領域１ＡＦを完全に覆っている。ベースボディ１００の下面１Ｂではケーシングボディ６の面が横方向で金属支持体１０１の端子部Ａ１，Ａ２の面と整合している。つまり、ベースボディ１００の下面１Ｂ（面領域１ＢＦ）は平坦であって隆起部も凹部または中断部も存在せず、ベースボディ１００の形状のみによって定められている。
【００３６】
端子部Ａ１，Ａ２は電子モジュールＥＢＴの電気的コンタクトのために用いられる。端子部Ａ１，Ａ２にはベースボディ１００の下面１Ｂから任意にアクセスできるようになっており、ここでは、電気的コンタクト材料、例えば、金コーティングまたは銀コーティングによってコーティングされている。
【００３７】
金属支持体１０１によって部分的に構成されている面領域１ＡＦの上に、電子素子２が配置されている。電子素子２は、ボンディングワイヤ２１によって金属支持体１０１に電気的に接続されている。電子素子２は光感応性半導体チップであるかあるいは発光半導体チップである。例えば、当該の半導体チップは、ＬＥＤチップまたはレーザーダイオードチップなどのルミネセンスダイオードチップである。
【００３８】
さらに、ベースボディ１００はダイシングによって形成される側面３を有している。ダイシングは例えばソーダイシング、切削、フライシング、破断エッジ形成およびこれに続く破断や、その他の形式の材料除去などによって行うことができる。ベースボディ１００の側面３が材料除去により形成される場合、当該の側面３は有利には材料除去の痕跡を有する。この場合、ケーシングボディ６および金属支持体１０１の双方を通るダイシングが行われ、側面３はケーシングボディ６と金属支持体１０１とによって形成される。
【００３９】
全ての側面３が第１の領域４Ａおよび第２の領域４Ｂを含む制御位置４を有しており、ここで、第２の領域４Ｂは第１の領域４Ａ内の凹部５として形成されている。
【００４０】
第２の領域４Ｂを接続材料によって濡らすために、第２の領域４Ｂに金属コーティングが設けられる。例えば、当該の金属コーティングは、銀または金によって形成されたコーティングである。第２の領域４Ｂの金属コーティングは端子部Ａ１，Ａ２のコーティングと同じ材料から形成される。特に、第２の領域４Ｂを通るダイシングは行われないので、制御位置４の第２の領域４Ｂはダイシングの痕跡を有さない。
【００４１】
図１のｂには、本発明の電子モジュールＥＢＴの別の実施例の断面図が示されている。ここでは、金属支持体１０１が相互に分離された２つの部分支持体１５０，１６０によって形成されている。部分支持体１５０は制御位置４を有する。部分支持体１５０，１６０間にはケーシングボディ６が存在している。ケーシングボディ６は電気的絶縁性を有しており、２つの部分支持体１５０，１６０を相互に機械的に接続している。有利には、この実施例では、制御位置４を有する部分支持体１５０が他の電子素子、例えば外部の電子素子へのコンタクトのために用いられる。特に有利な実施例として、２つの部分支持体１５０，１６０をそれぞれ異なる電位に置き、２つの部分支持体１５０，１６０間に所定の電圧がかかるようにしてもよい。
【００４２】
図２のａ−ｃには、上面図・側面図・下面図として、図１のａの実施例の装置が示されている。図２からわかるように、いずれの場合にも、制御位置４は第１の領域４Ａおよび第２の領域４Ｂによって形成されている。第２の領域４Ｂは第１の領域４Ａ内の凹部５として形成されており、ここで、凹部５は、２つの側面によって形成される稜辺３１を切り欠くことによって"部分円筒状"の凹部として形成されている。"部分円筒状"とは、ここでは、凹部５が連続的に湾曲した内壁面と当該の内壁面に対して垂直に延在する内上面とによって形成されていることを意味する。
【００４３】
図３には、金属の基体１０００の平面図が示されている。ベースボディ１００を製造するために、ケーシングボディ材料が基体１０００の領域Ｇ２に塗布される。有利には、材料の硬化後、ケーシングボディが、垂直方向で、後のベースボディ１００の端子部Ａ１，Ａ２の面にも、基体１０００に形成されているリング状の円筒環Ｍの面にも整合するように、多量のケーシングボディ材料が領域Ｇ２に塗布される。基体１０００では、端子部Ａ１，Ａ２および円筒環Ｍが領域Ｇ２の表面に対する隆起部を形成している。円筒環Ｍの外径Ｒ１は１８０μｍから２２０μｍ、有利には２００μｍであり、内径Ｒ２は８０μｍから１２０μｍ、有利には１００μｍである。
【００４４】
有利には、注入成形の後、円筒環Ｍによって円形に包囲されている領域Ｇ１は、ケーシングボディ材料を有さず、露出される。次のステップで、ケーシングボディ材料が硬化されて、ケーシングボディ６が形成されると、基体１０００は切断線Ｓに沿ってダイシングされ、個々のベースボディ１００が形成される。切断線Ｓに沿ったダイシングの後、領域Ｇ２の所定の位置に個々の金属支持体１０１の制御位置４の第２の領域４Ｂが生じる。換言すれば、円筒環Ｍがダイシングプロセスによって分割され、ダイシング後には全ての金属支持体１０１が"部分円筒状"の凹部５を有することになる。
【００４５】
図４には、下面図として、電子モジュールＥＢＴの別の実施例が示されている。ここでは、ベースボディ１００がセラミック材料によって形成されており、この場合、ベースボディ１００が端子部Ａ１，Ａ２を有する。端子部Ａ１，Ａ２は、金属材料、例えば、銀または金によって形成された金属コーティングによって形成することもできる。ベースボディ１００には、下面１Ｂから上面１Ａへ通じる導体路およびスルーコンタクトが設けられており、これにより、電子素子２が端子部Ａ１，Ａ２へ電気的にコンタクトされる。
【００４６】
前述した実施例と同様に、この実施例においても、電子モジュールＥＢＴは側面３を有し、各側面３は第１の領域４Ａおよび第２の領域４Ｂを含む制御位置４を有し、第２の領域４Ｂは第１の領域４Ａ内の凹部５として形成されている。
【００４７】
なお、この場合、凹部５として形成されている第２の領域４Ｂは金属材料によってコーティングされている。当該のコーティング材料は端子部Ａ１，Ａ２のコーティング材料と同じである。
【００４８】
図５には、平面図で、セラミック製の基体１００１が示されている。当該の基体１００１は切欠２０００を有しており、この切欠２０００は、材料などを有さず、空気が充填されている。なお、切欠２０００の内壁２００１には金属コーティングが設けられている。この金属コーティングは例えば金または銀によって形成することができる。基体１００１は切断線Ｓに沿って個々のベースボディ１００へとダイシングされる。ダイシングの後、内壁２００１は外部から見通し可能かつアクセス可能となる。つまり、切欠２００１を分割する位置でのダイシングによって、それぞれの制御位置４の第２の領域４Ｂが凹部５の形状で形成されるのである。
【００４９】
図６には、側面図として、光電デバイス１３０の実施例が示されている。コンタクト支持体１１０の上面１２０に実装領域１４０が存在しており、そこに電子モジュールＥＢＴが被着されている。コンタクト支持体１１０は例えば電子モジュールＥＢＴを実装するための配線板である。実装領域１４０は、コンタクト支持体１３０の上面１２０のうち、少なくとも部分的に電子モジュールＥＢＴに機械的に接触する領域である。電子モジュールＥＢＴは、接続材料Ａ、例えばはんだまたは接着剤によって、端子部Ａ１，Ａ２を介して、コンタクト支持体１１０に電気的かつ機械的に接続されている。有利には、制御位置４の第２の領域４Ｂは接続材料Ａによって実装領域１４０に結合している。ここでは、接続材料Ａと第２の領域４Ｂとの界面にも、接続材料Ａと実装領域１４０との界面にも、空隙や中断部（例えば空気の混入箇所）が存在しない。制御位置４はコンタクト支持体１１０の上面１２０から任意に見通し可能である。
【００５０】
コンタクト支持体１１０に被着されている電子モジュールＥＢＴの端子部Ａ１，Ａ２はベースボディ１００によって覆われているので、この実施例では、側方から任意に見通し可能な制御位置４により、端子部Ａ１，Ａ２が接続材料Ａと結合しているかどうか、ひいては、電子モジュールＥＢＴがコンタクト支持体１１０に充分に電気的に接続されているかどうかを確認することができる。制御位置４に接続材料Ａが結合していれば、端子部Ａ１，Ａ２の接続も確実に形成されていることになる。
【００５１】
本発明は前述した実施例のみに限定されない。本発明の特徴は、いずれも、特許請求の範囲あるいは発明の詳細な説明に明示されていなくても、単独でまたは任意に組み合わせて、本発明の対象となりうる。
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図２ａ−２ｂ】
【図２ｃ】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子モジュール、ならびに、電子モジュールを備えた光電デバイスに関する。本願は、独国出願第１０２００９０３２２５３．１号の優先権を主張するものであり、当該の独国出願の開示内容は引用により本願に含まれるものとする。
【０００２】
本発明の解決すべき課題は、電子素子の端子のはんだコンタクトを光学的に制御できる電子モジュールを提供することである。
【０００３】
本発明によれば、電子モジュールはベースボディを有する。例えば、当該のベースボディは表面実装デバイス用ケーシング（ＳＭＤケーシング）である。また、当該のベースボディは、上面とこの上面の反対側の下面とを有する。
【０００４】
上面および下面には、ベースボディの外表面の一部によって、それぞれ１つずつの面領域が形成されている。下面の面領域とは、ベースボディの外表面のうち、実装状態でコンタクト支持体（例えば配線板）に面する領域を云う。
【０００５】
本発明では、ベースボディの下面に複数の端子部が配置されている。各端子部はここでは電子モジュールの電気的コンタクトのために設けられている。有利には、電子モジュールの下面は同時にベースボディの下面をなしており、下面の端子部には外部からアクセス可能である。つまり、ベースボディの下面で電子モジュールへの電気的接続が行われるのである。
【０００６】
本発明では、ベースボディの上面に電子素子が配置されている。電子素子は例えばベースボディの上面の面領域に電気的に接続されている。このために、電子素子は、当該の面領域に、ボンディングされているか、はんだ付けされているか、または、導電性接着剤によって接着されている。ここでの電子素子は、光感応性半導体チップまたは発光半導体チップである。例えば、当該の半導体チップは、ルミネセンスダイオードチップ、ＬＥＤチップ、レーザーダイオードチップなどである。
【０００７】
本発明では、ベースボディは、第１の領域および第２の領域を含む少なくとも１つの制御位置を有する少なくとも１つの側面を有する。当該の側面は、下面に対して垂直に延在し、ベースボディの側方を包囲する面である。当該の側面は下面から上面へ向かって延在し、この２つの面を接続している。少なくとも１つの制御位置は有利には外部からアクセス可能であり、例えば外部の観察者にとって任意に見通し可能である。"任意に見通し可能である"とは、電子素子がコンタクト支持体上に実装されても、制御位置の所定の部分が覆われておらず、外部から光学的に観察できることを意味する。"領域"とは、側面を少なくとも部分的に形成する表面を指す。有利には、制御位置の全体が第１の領域と第２の領域とによって形成されている。換言すれば、制御位置は側面の一部であり、これが２つの領域に分割されているのである。つまり、制御位置は、側面の一部であって、例えば材料の相違により、側面の他の部分から区別される領域である。
【０００８】
本発明では、第２の領域は第１の領域内の凹部として構成されている。なお、"凹部"とは、例えば第１の領域を切り欠いたりアーチ形にしたりして形成されたくぼみのことである。第２の領域の側方は少なくとも部分的に第１の領域によって包囲されている。例えば、第２の領域は第１の領域によって完全に包囲される。
【０００９】
本発明では、第１の領域と第２の領域とは異なる材料を有する。"異なる材料を有する"とは、第１の領域を形成する材料と第２の領域を形成する材料が同じでないことを意味する。例えば、第２の領域は、付加的なコーティングを設けることによって、第１の領域から区別される。
【００１０】
本発明は、電子素子を有する上面と、この上面とは反対側の、複数の端子部を有する下面と、少なくとも１つの側面とを有するベースボディを備えた、電子モジュールに関する。本発明によれば、前記少なくとも１つの側面は第１の領域および第２の領域を含む少なくとも１つの制御位置を有しており、前記第２の領域は前記第１の領域内の凹部として構成されており、前記第１の領域と前記第２の領域とは異なる材料を含む。
【００１１】
ここでの電子モジュールは、特に、コンタクト支持体（例えば配線板）上に載置されている場合、電子モジュールの下面に配置された複数の端子部が外部から見通せないようになっていることが前提である。各端子部は、電子モジュールのベースボディによって覆われている。このようにすると、例えば、端子部が接続材料によって充分に濡らされているかどうか、ただちには判別できない。また、電子モジュールの端子部がコンタクト支持体に電気的および／または機械的に接続されているかどうかも確実ではない。
【００１２】
電子モジュールの端子部を接続材料によって制御可能に充分に濡らすために、本発明の電子モジュールは、少なくとも１つの制御位置を含む少なくとも１つの側面を有するベースボディを用いるというアイデアを基礎としている。当該の制御位置は第１の領域および第２の領域を有する。
【００１３】
複数の端子部および少なくとも１つの制御位置の双方が接続材料に接触し、接続材料と制御位置とのあいだに充分な濡れひいては物理的または化学的に安定な接続が生じると、複数の端子部も接続材料によって充分に濡らされ、硬化後、例えばコンタクト支持体に対して、電気的および機械的に安定な接続が達成される。よって、電子モジュールがコンタクト支持体上に被着された場合にも、制御位置での視覚的な監視によって、各端子部が接続材料によって充分に濡らされているという記述データを得ることができる。
【００１４】
本発明の有利な実施形態によれば、第２の領域は第１の領域よりも接続材料によって強く濡らすことができる。すなわち、接続材料は、第１の領域よりも第２の領域に対して物理的または化学的に強く結合し、このため、第２の領域へ塗布されると例えば滴落しなくなる。硬化後、接続材料は第２の領域にいっそう強く結合するので、例えば、接続材料と第２の領域とのあいだの接続部は、接続材料と第１の領域とのあいだの接続部に比べ、大きな外部の機械的負荷に耐えることができる。当該の接続材料は例えばはんだである。この場合、例えば、はんだは、鉛フリーはんだろうまたは鉛を含有するはんだろうによって形成される。また、接続材料を接着剤によって形成してもよい。例えば、接着剤として、銀を含む導電性接着剤が用いられる。
【００１５】
本発明の別の有利な実施形態では、ベースボディは金属支持体を有する。当該の支持体は、条片状の金属支持体（リードフレームとも称される）である。これは、例えば、２つの条片状の金属、例えば銅によって形成される。同様に、ニッケル、パラジウム、銀のうち１つまたは複数の材料あるいはこれらと銅との混合物によって、金属支持体を形成することもできる。
【００１６】
本発明の別の有利な実施形態では、金属支持体は部分ごとに不透光性のケーシングボディによって覆われている。有利には、金属支持体とケーシングボディとがベースボディを形成している。ここで、"覆われている"とは、ケーシングボディが部分ごとに金属支持体に直接に接触し、金属支持体とケーシングボディとのあいだの所定の位置には空隙も中断部も存在しない状態を意味する。"不透光性"とは、ケーシングボディが入射してくる電磁放射の少なくとも８０％、有利には９０％までを透過させないことを意味する。ケーシングボディはデュロプラスト材料またはサーモプラスト材料、例えばエポキシドによって形成されているか、あるいは、セラミック材料によって形成されているか、あるいは、その他の材料によって形成されている。当該の材料に、付加的に、光吸収性の材料、例えばカーボンブラック粒子または他の充填物質を導入してもよい。
【００１７】
本発明の別の有利な実施形態によれば、ケーシングボディは金属支持体と制御位置とを機械的に接続している。有利には、外部の機械的作用に対して特に安定な電子モジュールが形成される。また、ケーシングボディにより、金属支持体と制御位置との相対位置が安定化される。さらに、ケーシングボディが電気的に絶縁され、金属支持体と制御位置とのあいだに配置される。
【００１８】
本発明の別の有利な実施形態によれば、金属支持体および／または制御位置はケーシングボディ内に少なくとも部分的に埋め込まれている。これは、金属支持体が、各端子部および電子素子の実装領域を除いて、ケーシングボディによって包囲されていることを意味する。つまり、有利には、ケーシングボディと電子モジュールの各端子部とはかみ合っており、少なくとも部分的に形状による接合が達成されている。有利には、各端子部の面は、垂直方向で、ケーシングボディの面と整合する。ここで、"垂直方向"とは、ベースボディの下面に対して垂直またはほぼ垂直な平面を延在する方向を云う。すなわち、各端子部はベースボディの下面に位置し、ケーシングボディを超えて突出してはいない。有利には、各端子部は、電子モジュールの外部から電気的にコンタクト可能な面を有する。少なくともこの面では、各端子部はケーシングボディによって包囲されてはいない。
【００１９】
本発明の別の有利な実施形態によれば、各端子部および制御位置は同じ材料によって形成されている。例えば、各端子部および制御位置は銅によって形成されており、各端子部および第２の領域に付加的に、金属コーティング、例えば、金コーティングまたは銀コーティングが設けられる。制御位置の第２の領域が接続材料によって充分に濡らされている場合、各端子部に付加的なインジウムコンタクトを設けた後、各端子部も接続材料によって充分に濡らされていることの確認を得ることができる。
【００２０】
本発明の別の有利な実施形態によれば、ベースボディはセラミック材料によって形成されている。ベースボディが完全にセラミック材料によって形成されている場合、下面の少なくとも一部の箇所が電気的コンタクトを形成しうる材料、例えば、金属によってコーティングされ、当該のコーティング箇所が端子部となる。また、ベースボディがチップ端子部と電子モジュールのコンタクトを形成するための導体路とを有してもよい。
【００２１】
本発明の別の有利な実施形態によれば、ベースボディの少なくとも１つの側面は位置ごとのダイシングによって形成されている。特に、側面の輪郭形状は射出成形またはプレス成形によってではなく、成形体のダイシングプロセスによって定められる。ダイシングは、例えば、ソーダイシング、切削、フライシング、破断エッジ形成およびこれに続く破断や、その他の手法によって行われる。ケーシングボディの側面は材料の除去によって形成される。この場合、有利には、側面が材料除去の痕跡を有する。ベースボディが金属支持体によって形成されており、ケーシングボディおよび金属支持体を通る位置で電子モジュールがダイシングされる（切削ないし破断される）場合、金属支持体の側面は横方向でケーシングボディの面に一致する。
【００２２】
ここで、"横方向"とは、下面に対して平行あるいはほぼ平行に延在する平面の方向である。つまり、この場合、側面は、部分ごとに、ケーシングボディと金属支持体とによって形成されている。金属支持体の所定の位置でダイシングを行って制御位置を形成することもできる。この場合、有利には、制御位置の第２の領域を通るダイシングは行われないので、第２の領域はダイシングの痕跡、例えば材料の除去の痕跡を有さない。
【００２３】
本発明の別の有利な実施形態によれば、制御位置の第１の領域は金属によって形成されている。また、これに関連して、ベースボディが金属支持体を有してもよい。
【００２４】
本発明の別の有利な実施形態によれば、制御位置の第１の領域はセラミック材料によって形成される。有利には、ベースボディも完全にセラミック材料によって形成される。
【００２５】
本発明の別の有利な実施形態によれば、制御位置の第２の領域は金属コーティングを有する。有利には、各端子部と制御位置の第２の領域との双方に金属コーティングが設けられる。有利には、各端子部の金属コーティングと制御位置の第２の領域の金属コーティングとは同じ材料で形成される。金属コーティングを設けると、有利には、接続材料の濡れ性を調整する（例えば高める）ことができる。ここでの金属コーティングは例えば金または銀によって形成される層である。
【００２６】
さらに、本発明は、前述した電子モジュールを含む光電デバイスに関する。つまり、本発明は、前述したそれぞれの実施形態による電子モジュールを含む光電デバイスに関する。
【００２７】
少なくとも１つの実施形態によれば、光電デバイスは、電子モジュールと、この電子モジュールの電気的コンタクトを形成するためのコンタクト支持体とを有し、コンタクト支持体の表面に少なくとも１つの実装領域が形成されている。コンタクト支持体は例えば配線板であり、実装領域は電子モジュールの実装される領域である。つまり、実装領域は、コンタクト支持体の表面のうち電子モジュールが載置される面である。このために、実装領域は少なくとも部分ごとに電子モジュールに機械的に接触する。有利には、実装領域は電子モジュールの電気的コンタクトを形成するための接続材料に接触する。接続材料は、電子モジュールの少なくとも１つの位置、ひいては、電子モジュールの実装領域の少なくとも一部を濡らす。
【００２８】
別の有利な実施形態によれば、制御位置の第２の領域が、接続材料によって実装領域へ結合されている。"結合されている"とは、接続材料を硬化した後、接続材料と第２の領域とが、例えば外部からの機械的負荷に対して耐性を有して安定にかつ固定に接合されることを意味する。有利には、接続材料は第２の領域に物理的および／または化学的に結合するので、これらのあいだには空隙も中断部も生じない。特に、接続材料は第２の領域に対して、破断耐性を有するように結合される。
【００２９】
本発明の別の有利な実施形態によれば、接続箇所はコンタクト支持体の上面から任意に見通し可能である。"任意に見通し可能である"とは、当該の制御位置がコンタクト支持体のうち電子モジュールに近い側から視覚的に監視可能であることを意味する。例えば、外部の観察者は、当該の制御位置につき、接続材料が第２の領域に結合しているかどうか監視することができる。第２の領域が接続材料と結合していれば、電子モジュールの各端子部が接続材料と結合していることになる。
【００３０】
本発明の別の有利な実施形態によれば、接続材料ははんだである。また、接続材料がはんだろうであり、制御位置の第２の領域が銀または金のコーティングを有するようにしてもよい。有利には、金コーティングの場合、銅によって形成される金属支持体上で、析出プロセス、例えば無電流めっきによって、制御位置の第２の領域に複数の層から成る積層体が形成される。有利には、当該の積層体は、最下層が金属支持体であり、接続材料へ向かってニッケル・パラジウム・金が層をなすものである。なお、各層が他の材料によって形成されていたり、異なる順序で層をなしていたりしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の電子モジュールの第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の電子モジュールの第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の電子モジュールを製造するための基体の第１の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明の電子モジュールの第３の実施例を示す図である。
【図５】本発明の電子モジュールを製造するための基体の第２の実施例を示す平面図である。
【図６】本発明の光電デバイスの側面図である。
【００３２】
以下に、本発明の電子モジュールおよび光電デバイスを図示の実施例に則して詳細に説明する。
【００３３】
図中、同じ要素および同様の機能を有する要素には同じ参照番号を付してある。ただし、各要素は縮尺通りには描かれておらず、むしろわかりやすくするために部分的に拡大して描かれていることもある点に注意されたい。
【００３４】
図１のａには電子モジュールＥＢＴを図２のＡ−Ａ線で切断した断面図が示されている。ベースボディ１００は上面１Ａとその反対側の下面１Ｂとを有する。
【００３５】
また、ベースボディ１００は金属支持体１０１を有する。金属支持体１０１は例えば銅によって形成されている。なお、金属支持体１０１は部分ごとに不透光性のケーシングボディ６によって覆われている。金属支持体１０１はケーシングボディ６とともにベースボディ１００を形成している。図１のａの実施例では、ケーシングボディ６はベースボディ１００の上面１Ａのうち、チップ実装領域を除き、面領域１ＡＦを完全に覆っている。ベースボディ１００の下面１Ｂではケーシングボディ６の面が横方向で金属支持体１０１の端子部Ａ１，Ａ２の面と整合している。つまり、ベースボディ１００の下面１Ｂ（面領域１ＢＦ）は平坦であって隆起部も凹部または中断部も存在せず、ベースボディ１００の形状のみによって定められている。
【００３６】
端子部Ａ１，Ａ２は電子モジュールＥＢＴの電気的コンタクトのために用いられる。端子部Ａ１，Ａ２にはベースボディ１００の下面１Ｂから任意にアクセスできるようになっており、ここでは、電気的コンタクト材料、例えば、金コーティングまたは銀コーティングによってコーティングされている。
【００３７】
金属支持体１０１によって部分的に構成されている面領域１ＡＦの上に、電子素子２が配置されている。電子素子２は、ボンディングワイヤ２１によって金属支持体１０１に電気的に接続されている。電子素子２は光感応性半導体チップであるかあるいは発光半導体チップである。例えば、当該の半導体チップは、ＬＥＤチップまたはレーザーダイオードチップなどのルミネセンスダイオードチップである。
【００３８】
さらに、ベースボディ１００はダイシングによって形成される側面３を有している。ダイシングは例えばソーダイシング、切削、フライシング、破断エッジ形成およびこれに続く破断や、その他の形式の材料除去などによって行うことができる。ベースボディ１００の側面３が材料除去により形成される場合、当該の側面３は有利には材料除去の痕跡を有する。この場合、ケーシングボディ６および金属支持体１０１の双方を通るダイシングが行われ、側面３はケーシングボディ６と金属支持体１０１とによって形成される。
【００３９】
全ての側面３が第１の領域４Ａおよび第２の領域４Ｂを含む制御位置４を有しており、ここで、第２の領域４Ｂは第１の領域４Ａ内の凹部５として形成されている。
【００４０】
第２の領域４Ｂを接続材料によって濡らすために、第２の領域４Ｂに金属コーティングが設けられる。例えば、当該の金属コーティングは、銀または金によって形成されたコーティングである。第２の領域４Ｂの金属コーティングは端子部Ａ１，Ａ２のコーティングと同じ材料から形成される。特に、第２の領域４Ｂを通るダイシングは行われないので、制御位置４の第２の領域４Ｂはダイシングの痕跡を有さない。
【００４１】
図１のｂには、本発明の電子モジュールＥＢＴの別の実施例の断面図が示されている。ここでは、金属支持体１０１が相互に分離された２つの部分支持体１５０，１６０によって形成されている。部分支持体１５０は制御位置４を有する。部分支持体１５０，１６０間にはケーシングボディ６が存在している。ケーシングボディ６は電気的絶縁性を有しており、２つの部分支持体１５０，１６０を相互に機械的に接続している。有利には、この実施例では、制御位置４を有する部分支持体１５０が他の電子素子、例えば外部の電子素子へのコンタクトのために用いられる。特に有利な実施例として、２つの部分支持体１５０，１６０をそれぞれ異なる電位に置き、２つの部分支持体１５０，１６０間に所定の電圧がかかるようにしてもよい。
【００４２】
図２のａ−ｃには、上面図・側面図・下面図として、図１のａの実施例の装置が示されている。図２からわかるように、いずれの場合にも、制御位置４は第１の領域４Ａおよび第２の領域４Ｂによって形成されている。第２の領域４Ｂは第１の領域４Ａ内の凹部５として形成されており、ここで、凹部５は、２つの側面によって形成される稜辺３１を切り欠くことによって"部分円筒状"の凹部として形成されている。"部分円筒状"とは、ここでは、凹部５が連続的に湾曲した内壁面と当該の内壁面に対して垂直に延在する内上面とによって形成されていることを意味する。
【００４３】
図３には、金属の基体１０００の平面図が示されている。ベースボディ１００を製造するために、ケーシングボディ材料が基体１０００の領域Ｇ２に塗布される。有利には、材料の硬化後、ケーシングボディが、垂直方向で、後のベースボディ１００の端子部Ａ１，Ａ２の面にも、基体１０００に形成されているリング状の円筒環Ｍの面にも整合するように、多量のケーシングボディ材料が領域Ｇ２に塗布される。基体１０００では、端子部Ａ１，Ａ２および円筒環Ｍが領域Ｇ２の表面に対する隆起部を形成している。円筒環Ｍの外径Ｒ１は１８０μｍから２２０μｍ、有利には２００μｍであり、内径Ｒ２は８０μｍから１２０μｍ、有利には１００μｍである。
【００４４】
有利には、注入成形の後、円筒環Ｍによって円形に包囲されている領域Ｇ１は、ケーシングボディ材料を有さず、露出される。次のステップで、ケーシングボディ材料が硬化されて、ケーシングボディ６が形成されると、基体１０００は切断線Ｓに沿ってダイシングされ、個々のベースボディ１００が形成される。切断線Ｓに沿ったダイシングの後、領域Ｇ２の所定の位置に個々の金属支持体１０１の制御位置４の第２の領域４Ｂが生じる。換言すれば、円筒環Ｍがダイシングプロセスによって分割され、ダイシング後には全ての金属支持体１０１が"部分円筒状"の凹部５を有することになる。
【００４５】
図４には、下面図として、電子モジュールＥＢＴの別の実施例が示されている。ここでは、ベースボディ１００がセラミック材料によって形成されており、この場合、ベースボディ１００が端子部Ａ１，Ａ２を有する。端子部Ａ１，Ａ２は、金属材料、例えば、銀または金によって形成された金属コーティングによって形成することもできる。ベースボディ１００には、下面１Ｂから上面１Ａへ通じる導体路およびスルーコンタクトが設けられており、これにより、電子素子２が端子部Ａ１，Ａ２へ電気的にコンタクトされる。
【００４６】
前述した実施例と同様に、この実施例においても、電子モジュールＥＢＴは側面３を有し、各側面３は第１の領域４Ａおよび第２の領域４Ｂを含む制御位置４を有し、第２の領域４Ｂは第１の領域４Ａ内の凹部５として形成されている。
【００４７】
なお、この場合、凹部５として形成されている第２の領域４Ｂは金属材料によってコーティングされている。当該のコーティング材料は端子部Ａ１，Ａ２のコーティング材料と同じである。
【００４８】
図５には、平面図で、セラミック製の基体１００１が示されている。当該の基体１００１は切欠２０００を有しており、この切欠２０００は、材料などを有さず、空気が充填されている。なお、切欠２０００の内壁２００１には金属コーティングが設けられている。この金属コーティングは例えば金または銀によって形成することができる。基体１００１は切断線Ｓに沿って個々のベースボディ１００へとダイシングされる。ダイシングの後、内壁２００１は外部から見通し可能かつアクセス可能となる。つまり、切欠２００１を分割する位置でのダイシングによって、それぞれの制御位置４の第２の領域４Ｂが凹部５の形状で形成されるのである。
【００４９】
図６には、側面図として、光電デバイス１３０の実施例が示されている。コンタクト支持体１１０の上面１２０に実装領域１４０が存在しており、そこに電子モジュールＥＢＴが被着されている。コンタクト支持体１１０は例えば電子モジュールＥＢＴを実装するための配線板である。実装領域１４０は、コンタクト支持体１３０の上面１２０のうち、少なくとも部分的に電子モジュールＥＢＴに機械的に接触する領域である。電子モジュールＥＢＴは、接続材料Ａ、例えばはんだまたは接着剤によって、端子部Ａ１，Ａ２を介して、コンタクト支持体１１０に電気的かつ機械的に接続されている。有利には、制御位置４の第２の領域４Ｂは接続材料Ａによって実装領域１４０に結合している。ここでは、接続材料Ａと第２の領域４Ｂとの界面にも、接続材料Ａと実装領域１４０との界面にも、空隙や中断部（例えば空気の混入箇所）が存在しない。制御位置４はコンタクト支持体１１０の上面１２０から任意に見通し可能である。
【００５０】
コンタクト支持体１１０に被着されている電子モジュールＥＢＴの端子部Ａ１，Ａ２はベースボディ１００によって覆われているので、この実施例では、側方から任意に見通し可能な制御位置４により、端子部Ａ１，Ａ２が接続材料Ａと結合しているかどうか、ひいては、電子モジュールＥＢＴがコンタクト支持体１１０に充分に電気的に接続されているかどうかを確認することができる。制御位置４に接続材料Ａが結合していれば、端子部Ａ１，Ａ２の接続も確実に形成されていることになる。
【００５１】
本発明は前述した実施例のみに限定されない。本発明の特徴は、いずれも、特許請求の範囲あるいは発明の詳細な説明に明示されていなくても、単独でまたは任意に組み合わせて、本発明の対象となりうる。
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図２ａ−２ｂ】
【図２ｃ】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子（２）を有する上面（１Ａ）と、該上面とは反対側の、複数の端子部（Ａ１，Ａ２）を有する下面（１Ｂ）と、少なくとも１つの側面（３）とを有するベースボディ（１００）を備えた
電子モジュール（ＥＢＴ）であって、
前記少なくとも１つの側面は第１の領域（４Ａ）および第２の領域（４Ｂ）を含む少なくとも１つの制御位置（４）を有しており、
前記第２の領域は前記第１の領域内の凹部（５）として構成されており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは異なる材料を含む
ことを特徴とする電子モジュール。
【請求項２】
前記第２の領域は前記第１の領域よりも接続材料（Ａ）によって強く濡らすことができる、請求項１記載の電子モジュール。
【請求項３】
前記ベースボディは金属支持体（１０１）を有する、請求項１または２記載の電子モジュール。
【請求項４】
前記金属支持体は部分ごとに不透光性のケーシングボディ（６）によって覆われている、請求項３記載の電子モジュール。
【請求項５】
前記ケーシングボディは前記金属支持体と前記制御位置とを機械的に接続している、請求項４記載の電子モジュール。
【請求項６】
前記金属支持体および／または前記制御位置は前記ケーシングボディ内に少なくとも部分的に埋め込まれている、請求項４または５記載の電子モジュール。
【請求項７】
前記複数の端子部および前記制御位置は同じ材料によって形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項８】
前記ベースボディの少なくとも１つの側面は位置ごとのダイシングによって形成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項９】
前記第１の領域は金属によって形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項１０】
前記第１の領域はセラミック材料によって形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項１１】
前記第２の領域は金属コーティングを有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項記載の電子モジュール（ＥＢＴ）と、
該電子モジュールの電気的接続に用いられるコンタクト支持体（１１０）と
を有しており、
前記コンタクト支持体の上面（１２０）に少なくとも１つの実装領域（１４０）が形成されており、
該実装領域と制御位置（４）の第２の領域（４Ｂ）とが接続材料（Ａ）によって接続されており、
前記制御位置は前記コンタクト支持体の上面から任意に見通し可能である
ことを特徴とする光電デバイス（１３０）。
【請求項１３】
前記接続材料（Ａ）ははんだである、請求項１２記載の光電デバイス。
【請求項１】
電子素子（２）を有する上面（１Ａ）と、該上面とは反対側の、複数の端子部（Ａ１，Ａ２）を有する下面（１Ｂ）と、少なくとも１つの側面（３）とを有するベースボディ（１００）を備えた
電子モジュール（ＥＢＴ）であって、
前記少なくとも１つの側面は第１の領域（４Ａ）および第２の領域（４Ｂ）を含む少なくとも１つの制御位置（４）を有しており、
前記第２の領域は前記第１の領域内の凹部（５）として構成されており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは異なる材料を含む
ことを特徴とする電子モジュール。
【請求項２】
前記第２の領域は前記第１の領域よりも接続材料（Ａ）によって強く濡らすことができる、請求項１記載の電子モジュール。
【請求項３】
前記ベースボディは金属支持体（１０１）を有する、請求項１または２記載の電子モジュール。
【請求項４】
前記金属支持体は部分ごとに不透光性のケーシングボディ（６）によって覆われている、請求項３記載の電子モジュール。
【請求項５】
前記ケーシングボディは前記金属支持体と前記制御位置とを機械的に接続している、請求項４記載の電子モジュール。
【請求項６】
前記金属支持体および／または前記制御位置は前記ケーシングボディ内に少なくとも部分的に埋め込まれている、請求項４または５記載の電子モジュール。
【請求項７】
前記複数の端子部および前記制御位置は同じ材料によって形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項８】
前記ベースボディの少なくとも１つの側面は位置ごとのダイシングによって形成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項９】
前記第１の領域は金属によって形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項１０】
前記第１の領域はセラミック材料によって形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項１１】
前記第２の領域は金属コーティングを有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子モジュール。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項記載の電子モジュール（ＥＢＴ）と、
該電子モジュールの電気的接続に用いられるコンタクト支持体（１１０）と
を有しており、
前記コンタクト支持体の上面（１２０）に少なくとも１つの実装領域（１４０）が形成されており、
該実装領域と制御位置（４）の第２の領域（４Ｂ）とが接続材料（Ａ）によって接続されており、
前記制御位置は前記コンタクト支持体の上面から任意に見通し可能である
ことを特徴とする光電デバイス（１３０）。
【請求項１３】
前記接続材料（Ａ）ははんだである、請求項１２記載の光電デバイス。
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２０１２−５３２４６９（Ｐ２０１２−５３２４６９Ａ）
【公表日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１８８６８（Ｐ２０１２−５１８８６８）
【出願日】平成２２年６月２２日（２０１０．６．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／０５８８３１
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／００３７３２
【国際公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【出願人】（５９９１３３７１６）オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (586)
【氏名又は名称原語表記】Ｏｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ｌｅｉｂｎｉｚｓｔｒａｓｓｅ ４， Ｄ−９３０５５ Ｒｅｇｅｎｓｂｕｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２２日（２０１０．６．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／０５８８３１
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／００３７３２
【国際公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【出願人】（５９９１３３７１６）オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (586)
【氏名又は名称原語表記】Ｏｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ｌｅｉｂｎｉｚｓｔｒａｓｓｅ ４， Ｄ−９３０５５ Ｒｅｇｅｎｓｂｕｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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