【課題】 簡易かつ簡便な方法で相対圧形圧力センサを絶対圧形圧力センサに変更する（造り変える）ことができる絶対圧形圧力センサの製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 内部に基準圧力室Ｓ１を有し、かつ、一端が前記基準圧力室Ｓ１と連通しているとともに、他端が大気に開放された導圧孔２１ｃを有する相対圧形圧力センサ２０を、前記導圧孔２１ｃの他端が上方に開口するように真空チャンバ内に配置する段階と、前記導圧孔２１ｃの他端の上に半田２５を載置する段階と、前記真空チャンバ内を真空引きする段階と、前記半田２５が溶けるまで前記半田を加熱する段階とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】接着剤の熱変化に伴なう体積変化に拘わらず常に安定した圧力の検出を行なう。
【構成】第１筐体１に、
圧力センサＳの上方突部Ｓａを収納する第１収納凹部１ｃと圧力センサＳの外周に臨む第２収納凹部１ｇとを設け、第２収納凹部１ｇと第１筐体１の外側筒部１ｂとの間に、第２収納凹部１ｇの下端１ｇａから段部１ｅ側に向かう応力吸収溝１ｐが形成される。
圧力センサＳの上方突部Ｓａを、第１収納凹部１ｃ内に間隙ａ，ｂをもって配置するとともに圧力センサＳのターミナルＳｃが第１筐体側のターミナル２の一端２ａと電気接続され、第２収納凹部１ｇ内に配置される圧力センサＳの外周及びターミナル２，Ｓｃに向けて接着剤Ｇが充填される。 （もっと読む）

【課題】 絶対圧センサにおいて、ブリッジ回路におけるオフセット電圧の温度特性の影響を低減する。
【解決手段】 シリコンウェハ上の複数の圧力センサにおけるブリッジ回路のオフセット電圧（ゲージオフセット初期値；Ｖ_ｏｆｆＩＮＩＴ）を室温および高温にて測定し、その差分値（ゲージオフセット差分値）を求める。そして、ゲージオフセット初期値に対するゲージオフセット差分値の相関を求め、この分布を近似する相関直線を得る。続いて、この相関直線の傾きおよびＹ軸切片がそれぞれ０となるＡおよびＢの値を上記相関に基づき求める。この後、ブリッジ回路のゲージオフセット初期値Ｖ_ｏｆｆＩＮＩＴおよび上記定数Ａ、Ｂに基づきブリッジ回路の出力電圧の狙い値を計算する。そして、計算された狙い値となるようにパラレル抵抗Ｒ７２、Ｒ８２をトリミングする。この後、ブリッジ回路のオフセット電圧が０となるようにシリーズ抵抗Ｒ７、Ｒ８をトリミングする。 （もっと読む）

【課題】エッチング精度とエッチング制御性の向上を図ることができるとともに、ウエハ状態によって異なるエッチング条件の最適化を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板の一方の主面側からエッチングを行って形成される半導体素子を有する半導体装置において、前記エッチングの終点を検知する手段となる可動部位が前記半導体基板上に設けられていることを特徴とする。又、発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体基板の一方の主面側からエッチングを行う工程を有し、前記エッチングの終点を前記半導体基板上に設けられた可動部位が変位した時点とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 精度良く圧力測定できる圧力センサ及びこの圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化アルミニウムの単結晶体でできており、貫通孔を有したプレート体１０からなるスペーサ１１と、酸化アルミニウムの単結晶体でできており、所定位置に可動電極が形成されてスペーサの片側面に直接接合されたセンサダイアフラムであって、当該センサダイアフラムの起歪領域の外径が貫通孔の孔径とほぼ等しいセンサダイアフラム２０と、酸化アルミニウムの単結晶体からなりかつ一部に固定電極が形成され、センサダイアフラムに直接接合されて当該センサダイアフラムとともに圧力測定用の容量室を形成するセンサ台座３０とを有する容量式圧力センサにおいて、スペーサの貫通孔のダイアフラム接合側開口部周縁全周にわたって当該貫通孔形成時のバリやデブリ形成領域を含む開口をなす凹み部を備えている。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう方向と平行な部分の、ダイヤフラム３の内側でのダイヤフラム３のエッジからの距離ＬX≦２０μｍとなるように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って、かつ、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう向きと平行に配置されている。 （もっと読む）

水晶ウェハ基板上への実装のため複数のＳＡＷ感知共振器を機械的にシミュレートできる水晶センサの方法および装置が開示される。その後、水晶ウェハ基板は適宜エッチングされ、これにより水晶ウェハ基板から水晶ダイアフラムを製造することができる。次に、基板上への実装のため既に行われている機械的シミュレートに基づく水晶ウェハ基板上に、複数のＳＡＷ感知共振器（例えば、圧力、基準、および／または温度ＳＡＷ共振器）を配置することができ、これにより、水晶ウェハ基板から水晶センサパッケージを製造することができる。
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マイクロ加工真空センサは、半導体集積回路プロセスを使用して形成できる。このセンサは、マイクロ加工部品と共にエンクロジャの中に形成してもよい。その後、このセンサを使用してエンクロジャ内の圧力を計測してもよい。 （もっと読む）

サファイア体を有する光センサが開示される。サファイア体の中空は、ファブリペローキャビティの表面として使用される表面を画成する。干渉計を使用して、ファブリペローキャビティの長さの変化、およびしたがって例えばセンサが配置された環境の温度または圧力の変化が検出される。 （もっと読む）

変換器装置を、変換器装置を形成するその方法も含めて開示する。金属ダイヤフラムがセラミック材料に分子的に接合可能とされ、金属ダイヤフラムのセラミック表面を形成する。ブリッジ回路が金属ダイヤフラムのセラミック表面に接続される。金属ダイヤフラムの圧力検出のためのインプット圧力ポートを設けることが可能とされ、これにおいてインプット圧力ポートは、金属ダイヤフラムに接続され、それによって金属ダイヤフラムと、ブリッジ回路と、インプット圧力ポートとを備える変換器装置を形成する。金属ダイヤフラムは、インプット圧力に溶接されるのが好ましい。金属ダイヤフラムと、そのセラミック表面は、変換器と同様、少なくとも４０℃から１５０℃の温度範囲で作動することが好ましい。変換器装置は、腐食性媒質および高温用途で使用可能な圧力変換器として機能する。
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本発明によれば、特に薄膜基板を処理するために適した、磁化可能な基板例えば特殊鋼基板のための支持装置に関する。このために、本発明による支持装置は、少なくとも１つの磁気作用を有するベースエレメント（１）を備えており、該ベースエレメント（１）が、基板（２）のための少なくとも１つの受容部（７）を有している。
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センサーチップは、ピエゾ抵抗ブリッジ、温度抵抗ブリッジ、及び定電流モードでピエゾ抵抗ブリッジを動作させるときにスパン補正を提供するのに使用可能な多機能抵抗ネットワークを有する。定電流モードでは、多機能抵抗ネットワークはまた、センサーチップのエピタキシャル層にバイアス電位を供給するのに使用することができる。定電圧モードでは、多機能抵抗ネットワークは、特定の動作温度範囲において温度チャンネルの出力をカスタマイズするために温度抵抗ブリッジを含む温度チャンネルに対して３つの異なるゲインを提供するのに使用することができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】接合強度がさらに向上し、充分な歩留まりが得られるようになる力学的物理量変換器の製造方法およびその変換器の提供。
【解決手段】陽極接合においては、シリコン酸化膜11に含まれる酸素イオンの数と接合強度とが密接な関係にあるので、上ガラス30の表面に非晶質のシリコン酸化膜11を成膜するにあたり、モノシランガスに対して適度な量の亜酸化窒素ガスを加えてシリコン酸化膜11の成膜を行えば、陽極接合時に移動する酸素イオンの数が増え、シリコン酸化膜11が形成された上ガラス30とシリコン基板２との接合強度が向上し、これにより変換器の歩留まりが改善される。 （もっと読む）

【課題】 金属ダイヤフラムの表面にシリコンチップをガラス層を介して接合してなる圧力センサにおいて、ガラス層に生じる気泡によってセンサ出力が影響を受けないようにする。
【解決手段】 金属製のセンシングボディ２におけるダイヤフラム２ａの表面にシリコンチップ４をガラス層５を介して接合し、この接合後に、ガラス層５の気泡を検査する検査工程を設け、その検査結果が良好とされたセンシングボディ２についてハウジングへの組付けを行う。 （もっと読む）