【課題】支持体に撓みが発生するのを抑制しながら、装置本体が大型化するのを抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このマイクロホン（センサ装置）３０は、振動可能に設けられたダイアフラム部４ａと、ダイアフラム部４ａと所定の距離を隔てて対向するように設けられた電極板部８ａと、電極板部８ａを支持するとともに、引張内部応力δＳｔ_６を有する支持膜６と、支持膜６に積層され、圧縮内部応力δＳｔ_７を有する支持膜７とを含む支持体５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】メンブレンが薄くなり過ぎて割れてしまうことを防止できる物理量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】熱式流量センサを形成するために用いるＳＯＩ基板の埋め込み層をＳｉＯ₂の一層のみによって構成せずに、シリコン基板１０の表面１０ｂに配置したシリコン窒化膜１１も備えた構成とする。これにより、シリコン基板１０をエッチングする際に、シリコン窒化膜１１がエッチングストッパとして機能し、シリコン酸化膜１２が除去されないようにすることができる。このため、シリコン酸化膜１２がエッチングされることによるメンブレンの薄厚化を防止することができ、メンブレンが薄くなり過ぎて割れてしまうことを防止することが可能となる。 （もっと読む）

基板とメンブレン構造体とを有する次のようなマイクロメカニカル素子の製造方法およびマイクロメカニカル素子を提供する。すなわち、とりわけマイクロフォン、マイクロスピーカまたは圧力センサ（絶対圧センサまたは相対圧センサ）であり、メンブレン構造体を形成するために基板にモノリシック集積される回路と両立する製造ステップのみを行い、該メンブレン構造体を形成するために、基板上に設けられた犠牲構造体を除去するマイクロメカニカル素子の製造方法およびマイクロメカニカル素子を提供する。
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【課題】本発明は、ダイアフラムと、ダイアフラムに形成された抵抗体を有する圧力検出素子とを備えた半導体圧力センサーの製造方法に関し、ダイアフラムに印加された圧力を精度よく検出することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたダイアフラム１２と、ダイアフラム１２に形成された抵抗体１８を有し、抵抗体１８の抵抗値の変化に基づいて、ダイアフラム１２に印加された圧力を検出する圧力検出素子１３とを備えた半導体圧力センサー１０の製造方法であって、半導体基板１１の裏面１１Ｂ側から半導体基板１１をエッチングして、ダイアフラム１２を形成後に、半導体基板１１の表面１１Ａ側に圧力検出素子１３を形成した。 （もっと読む）

【課題】ブルドン管と管支持体との溶接においてブルドン管接続の穴空き不良を抑制することができるブルドン管圧力計の提供。
【解決手段】ブルドン管圧力計は、圧力導入路２１を備えブルドン管１０を支持する管支持体２０と、管継手３０とを有する。この管支持体２０はその外側面２２から圧力導入路２１に達するネジ孔２３を有する。管継手３０は、ブルドン管１０の管端１２内に内嵌する管接合部３１，この管接合部３１の背面３１ｂから突出してネジ孔２３に螺着するネジ管部３２及び管接合部３１の先端面とネジ管３２の先端面とを貫通する貫通孔ｈ_１を有する。管端１２の内周面１２ａと管接合部３１の外周面３１ａとを溶接して成る。 （もっと読む）

【課題】受圧面であるダイヤフラムを可動電極により構成して、構造の簡単化と検出精度の向上を図る。
【解決手段】容量式圧力センサは、ダイヤフラムを構成する可動電極３と、キャビティ４と、固定電極８と、第１、第２の引き出し電極７，９とを有している。可動電極３は、シリコン基板１に埋設された不純物層からなり、ダイヤフラム部分がシリコン基板１の開口部２から露出している。固定電極８は、キャビティ箇所に接合されてキャビティ４を封止する不純物層からなる。第１の引き出し電極７は、シリコン基板１の裏面に形成され、可動電極３と電気的に接続されている。第２の引き出し電極９は、固定電極８の裏面側に形成され、この固定電極８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、簡単な構造の圧力センサ及びその簡単な製造方法を提供することにある。
【解決手段】圧力センサは、電界効果トランジスタ３０を含む集積回路が形成されてなる半導体チップ１０と、電界効果トランジスタ３０のチャネル３６上方に配置された受圧部６０と、出力端子８０と、を含む。集積回路は、電界効果トランジスタの動作速度に従って変化する特性を測定する測定回路と、測定回路で測定された測定信号を基準値と比較して差を算出する演算回路と、演算回路で算出された算出信号を増幅する増幅回路と、増幅回路で増幅された増幅信号を出力する出力回路と、をさらに含む。出力端子８０は、出力回路に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを絶縁する方法を提供する。
【解決手段】ある実施形態では、露出されたシリコン領域を備えたピエゾ抵抗圧力センサ１００は、選択酸化（ＬＯＣＯＳ）プロセスを経る。絶縁構造体１１０は、ＬＯＣＯＳプロセスで生成される。絶縁構造体１１０は、ピエゾ抵抗圧力センサを備えた湾曲したまたは曲がったインターフェースを有する。湾曲したインターフェースは、高い温度および圧力に晒された応力を緩和する。更に、絶縁ライン１４８は、更に応力を緩和する湾曲角度１５０を備えるようにパターニングされうる。 （もっと読む）

【課題】慣性センサ構造体とダイヤフラムセンサ構造体、特にマイクロホンとが、１つの共通のシリコン基板に組み込まれていて、１回の共通のパッケージ封止により保護されているようなマイクロマシニング型のコンビ構成素子を提供することである。
【解決手段】マイクロマシニング型のコンビ構成素子において表面ＶＳと裏面ＲＳとを備えた基板１と、その表面ＶＳに形成された少なくとも１つの曲げビーム４６ａ〜４６ｄを備えている慣性型の第１のセンサ装置４６ａ〜４６ｄと、基板１の表面ＶＳに形成された、少なくとも１つのダイヤフラム２５と、少なくとも１つの背極４７ａ，４７ｂとを備えたダイヤフラム型の第２のセンサ装置２５，４７ａ，４７ｂとが設けられており、第１のセンサ装置４６ａ〜４６ｄと第２のセンサ装置２５，４７ａ，４７ｂとが基板１の表面ＶＳに被着される共通のキャップ装置によりキャップ封止されている。 （もっと読む）

【課題】 気体中や雰囲気中の水分をさせずに正確な電荷の測定を行う。
【解決手段】 円盤状の水晶板２と、この水晶板２の両主面の少なくとも一方の主面に設けられる電極３と、を備え、前記水晶板２の前記電極３が設けられていない表面（一方の主面における電極３が設けられずに残された表面と側面と他方の主面）が鏡面となっており、その鏡面となる水晶板２の表面の表面粗さが４μｍ以下となって、正確な圧力の測定を行うことができるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板の厚みを薄くしても工程歩留りの低下がなく量産性に優れる高感度で小型の無線通信可能な力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電単結晶基板５０１上に形成され櫛歯電極５０２及び反射器５０３を有するＳＡＷ素子５０４と、主面間を貫く孔５０８を有しこの孔５０８の上にＳＡＷ素子５０４の表面弾性波伝搬部が位置するように孔５０８の周辺部で圧電単結晶基板５０１を支持する非圧電単結晶基板５０５と、非圧電単結晶基板５０５上に形成されたアンテナ５０６と、櫛歯電極５０２にアンテナ５０６を接続する整合回路５０７とを備える力学量センサ５００である。 （もっと読む）

【課題】 気体中や雰囲気中の水分をさせずに正確な電荷の測定を行う。
【解決手段】 円盤状の水晶板２と、この水晶板２の両主面の少なくとも一方の主面に設けられる電極３，３と、電極３が設けられていない水晶板２の表面（一方の主面における電極３が設けられずに残された表面と側面と他方の主面）を覆うコーティング材４（エチレン酢酸ビニル重合体又はテフロン（登録商標）系材料）とを備えて構成され、コーティング材４が、スパッタ処理、噴霧、ディッピングのいずれかで電極３が設けられていない水晶板２の表面に覆われている。 （もっと読む）

【課題】振動子を製造する際に用いる２つの保護膜間の位置合わせずれ（位置ズレ）によりＨ形の振動子の左右の振動梁の長さが異なってしまうという課題を解決する。
【解決手段】シリコン単結晶で導電形式がｎ形の基板上に形成された薄肉のダイアフラムの上に犠牲層としてＰ拡散層を形成し、先のＰ拡散層内にＨ形の振動梁とこれを固定する固定端を有する振動子をＰ^＋＋拡散層で形成し、先のＰ拡散層を電解アルカリエッチングでエッチングして先の振動子を形成する振動式トランスデューサの振動子の製造方法であって、長辺が先の振動梁の方向に沿って先の振動梁の外方に配置された矩形状の開口部を有する保護膜により前記開口部にエッチング液を注入し、先のＰ拡散層をエッチングして先の振動梁を形成する構成にしたものである。 （もっと読む）

【課題】高温環境下においても高い精度を有する小形の圧力センサを実現すること。
【解決手段】 ダイアフラム（半導体結晶層１０３、１０４）とサファイア基板１０１との間の空洞Ｒは、半導体結晶層１０３の横方向成長作用によって形成されたものである。この２層構造のダイアフラムには、窒化物半導体に特有の強い圧電性によって高濃度の２次元電子ガスからなるチャネル（負の分極電荷の面状の集合体）がヘテロ接合界面上に形成される。そして、ダイアフラムに対する外圧が変化すれば、このヘテロ接合にかかる応力も変化するため、このチャネルの電気伝導度（シート抵抗）も敏感に変化する。その結果、２つのオーミック電極（ソース電極１０７Ｓとドレイン電極１０７Ｄ）間の抵抗が、外圧に応じて大きく変化するため、その抵抗値の変動量を読み取ることによって、ダイアフラムの外圧を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】機械的応力が制御された弱い引張応力を持ち、かつ、導通化された薄膜構造体を形成するための方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ等の基板３２の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜３５を形成した後、下層膜３５にＰ等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜３５を導通化させる。ついで、下層膜３５の上に、成膜されただけで導通化されていないポリシリコン薄膜からなる上層膜３６を成膜する。上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 （もっと読む）

本発明はマイクロエレクトロニクス技術を用いて微細機械加工された圧力センサに関する。
本発明により提供されるセンサは、片側においてシリコン基板（４０）により気密封止され、反対側において空洞外側の圧力の影響下で変形可能な隔膜（５８）により気密封止された空洞（Ｖ）を含み、センサは、隔膜に固定され該隔膜の変形に応じて変化する抵抗を持つ、少なくとも一つの抵抗式ひずみゲージ（５４、５６）を有する。望ましくは窒化ケイ素で作られる隔膜は、抵抗式ひずみゲージに固定される。ゲージは密閉された空洞（Ｖ）の内側で隔膜の下方に位置する。空洞を作るために基板を窪ませる必要はない。隔膜は、例えばポリアミドで作られる犠牲層の上に絶縁層を堆積することによって形成される。それはシリコン基板内の集積された測定回路をカバーし得る。
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【課題】キャビティーと貫通孔を同一基板に効率よく形成することが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】機能素子１２が形成された半導体基板１１と、該半導体基板１１と接合される接合基材２０とを備え、接合基材２０は、半導体基板１１の機能素子１２に臨んで一定の空間１３が形成されるように設けられたキャビティー２２と、接合基材２０の両面２１、２３に開口した貫通孔２４とを有する半導体デバイス１０の製造方法において、接合基材２０の一方の面２１からキャビティー２２の形成と同時に貫通孔２４の位置にキャビティー２２の深さまで有底孔２５を形成する工程と、接合基材２０の他方の面２３から前記有底孔２５に連通する連通孔２６を形成して前記貫通孔２４を貫通する工程とを有する方法により、接合基材２０を加工する。これにより、加工精度の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】測定したいタイヤ情報以外の影響を低減しつつ、タイヤの空気圧などのタイヤ情報を正確に検出すること。
【解決手段】圧力センサを備えた圧力用共振器１と、圧力センサを備えていない基準用共振器２とを備え、車両のタイヤに装着される測定値送信機と、車両本体に設けられ、測定値送信機に対して圧力用共振器１及び基準用共振器２を共振させるための信号を送信する一方、圧力用共振器１及び基準用共振器２の共振周波数に関わる信号を測定値送信機から受信し、当該両者の信号から抽出される圧力用共振器１及び基準用共振器２の共振周波数に応じて測定値を算出するコントローラと、を具備し、圧力用共振器１及び基準用共振器２が有する圧電単結晶共振子Ｑ１及びＱ２の特性を近似させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高性能のLSIの性能を維持しながら、応力制御したMEMS構造体を形成し、両者を1チップ上に集積化することにあり、さらにMEMS構造体を電気的・化学的に保護し、かつ、MEMS可動部全体を低応力化することにある。
【解決手段】MEMS構造体に、低温成膜可能な金属シリコン化合物膜を用い、成膜時の温度T1を、成膜以降の製造プロセスで必須となる、高性能LSIの特性を劣化させない熱処理温度T2と、偽結晶化温度T3に照らし合わせて、任意に選択することにより、MEMS構造体の完成時点での残留応力を制御する。 （もっと読む）

【目的】 燃焼圧の検出性能が高く、かつ、安価にできる燃焼圧センサ、及び、このような燃焼圧センサを備えるセンサ付き内燃機関を提供すること。
【構成】 燃焼圧センサ１００は、有底孔２２１を有する内燃機関２１０において、有底孔２２１内に自身の先端側を挿入して、燃焼圧の変化を計測するものである。燃焼圧センサ１００は、有底孔２２１の底面２２１ｂに固定され、有底孔２２１の軸線ＢＸ方向についての底面２２１ｂの変位に従動する中軸１３０と、有底孔２２１の開口縁２２１ｃ近傍に固定される固定部１１５と、燃焼圧の変化に伴って生じる中軸１３０の固定部１１５に対する、軸線ＢＸ方向についての相対変位を検知可能に構成されたセンサ部１５０とを備える。 （もっと読む）