【課題】音響センサや圧力センサとして使用する場合に従来より感度が向上し、スピーカとして使用する場合には従来より出力音圧が向上する静電型トランスデューサを提供する。
【解決手段】固定板４は厚み方向に貫通する穴部１０を有し、可動板５は、固定板４に対して固定板４の厚み方向に対向する振動部１１と、振動部１１から突出し穴部１０に一部が挿入される突起部１２とを有する。可動電極８は振動部１１から突起部１２に亘って設けられ、固定電極７は固定板４における振動部１１との対向面に沿う部分と穴部１０の内側面に沿う部分とを一体に有する。可動電極８において振動部１１に設けられた部分と固定電極７において固定板４における振動部１１との対向面に沿う部分との間のギャップ長ｇは、可動電極８において突起部１２に設けられた部分と固定電極７において穴部１０の内側面に沿う部分との間のギャップ長ｄよりも大きく設定されている。 （もっと読む）

本開示は、アダプタ継ぎ手を測定装置システム上の継ぎ手に溶接する方法を提供する。本開示は、軸部を含む第１の継ぎ手と、第１の継ぎ手を受け入れるサイズの開口部を画成する第２の継ぎ手とを備え、第２の継ぎ手は当接面をさらに画成し、その当接面を第１の継ぎ手の外方端に当接させて第２の継ぎ手は第１の継ぎ手の周囲に配置され、少なくとも１つの溶接部が第１の継ぎ手を第２の継ぎ手に固定する測定装置システムをさらに提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムを効率よく形成でき、感度よく圧力を測定できる圧力センサ用感圧素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】振動腕３４，３５の両端に基部３６，３７を有する圧電振動片３１と、両端の基部３６，３７の夫々が接合された台座部４４，４５を有すると共に、周縁部４２が固定されるようにした薄板状のダイヤフラム４０とを備えた圧力センサ用の感圧素子であって、ダイヤフラム４０は、全体外形が略長方形又は略正方形に形成されており、台座部４４，４５は、ダイヤフラム４０の中央部４０ｂを挟んだ両側に配置され、中央部４０ｂに向かうに従って、その向かう方向と直交する幅方向の寸法を小さくするように形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い圧力測定を行うことができる磁気式圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式圧力センサは、主面を有するガラス基板１１と、ガラス基板１１の主面上に絶縁層１４を介して形成されたＧＭＲ素子１６と、絶縁層１４上に形成されており、ＧＭＲ素子１６と電気的に接続された配線パターン１５と、ガラス基板１１との間でキャビティ２０を形成するように絶縁層１４上に接合されており、ＧＭＲ素子１６と対向するようにハード磁性層１９を有するダイヤフラム１８ａを持つシリコン基板１８と、平面視において前記接合の領域を含む領域の絶縁層１４とガラス基板１１との間に形成され、ＧＭＲ素子１６の出力をキャビティ２０外に引き出す引き出し電極１２と、配線パターン１５と引き出し電極１２とを電気的に接続する導電部材１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】超音波を与えて、物理量を測定するセンサチップをボンディングワイヤを介し信号取り出しピンに接続する物理量測定モジュールに関し、超音波により発生する信号取り出しピンの振動を抑制する構造を有することによって、小型な物理量測定モジュールおよびそれを有する物理量測定器を提供すること。
【解決手段】物理量を測定するセンサチップと、信号取り出しピンと、前記センサチップの周囲に設けられ前記信号取り出しピンを貫通させる穴を有するスペーサと、前記センサチップと前記信号取り出しピンを接続するボンディングワイヤを具備する物理量測定モジュールにおいて、前記スペーサの穴は、前記信号取り出しピンの位置決めを行う、ことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】物理量の検出感度をより高めることのできる半導体センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサユニットは、当該センサを取り巻く雰囲気の圧力の変化に応じてひずむステム７０と半導体圧力センサ１とを有している。半導体圧力センサ１は、ステム（正確にはステムの薄肉部）７０のひずみに応じてひずむゲージ部３１と、ゲージ部３１の両端に形成されるとともに、当該センサ１外との電気的な接続に供される第１及び第２ボンディングパッド３４ａ及び３４ｂとを有しており、当該センサ１を取り巻く雰囲気の圧力の変化を、第１及び第２ボンディングパッド３４ａ及び３４ｂ間の電気抵抗値の変化として検出する。このゲージ部３１は、支持基板、埋め込み絶縁膜、及び半導体層が順次積層されているＳＯＩ基板を用いて形成されている。 （もっと読む）

本発明は、部材表面に形成されていて空洞（１２）を覆っている少なくとも１つのダイヤフラム（１１）と、部材背側を起点として延びていて空洞（１２）に通じる少なくとも１つの接近開口（１４）とを備えた部材（１０）を製造する方法であって、少なくとも１つの第１のダイヤフラム層（２）と空洞（１２）とを、部材表面を起点として、モノリシックの半導体基板（１）において生ぜしめ、接近開口（１４）を、部材背側を起点として、時間的に制限されたエッチングプロセスにおいて生ぜしめる形式の方法に関する。このような形式の方法において本発明の方法では、接近開口（１４）を、基板材料が第１のダイヤフラム層（２）に達する領域に配置し、接近開口（１４）を生ぜしめるためのエッチングプロセスが、少なくとも１つの異方性のエッチングステップと少なくとも１つの等方性のエッチングステップとを有しており、異方性のエッチングステップにおいて、基板背側を起点として延びるエッチング通路（１５）を生ぜしめ、該エッチング通路（１５）は第１のダイヤフラム層（２）の下側において空洞（１２）の周囲において終わっており、エッチング通路（１５）の少なくとも端部領域（１６）を、等方性のエッチングステップにおいて、エッチング通路（１５）が空洞に接続されるまで拡大させる。
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【課題】圧力変換器の製造方法を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の溝を第１基板の第１面に形成エッチングする。溝は、耐エッチング性とされる。次いで、キャビティを第１基板の第２の、反対側の面に形成し、それによって、フレームによって支持され、１つまたは複数の中空ボスがメンブランに剛性を与えるダイアフラムを画定する。この方法から、剛性の大きなボス得られる。この方法によるボスは、より低コストの工程技術を使用して形成可能とされる。このボスは、剛性の等しい中実構造より軽量である。ｇ感度のより低い圧力変換器が提供される。任意の幅および剛性のボスを生産することが可能とされる。ボスの形態を所望により変える能力が与えられる。 （もっと読む）

【課題】タイヤ内圧センサモジュール１の製品不良を十分に抑えつつ、外装モールド１５の内部の気泡を少なくして、タイヤ内圧センサモジュール１の品質向上を図ること。
【解決手段】タイヤ内圧センサモジュール１の半製品１ｈを製造した後に、溶融樹脂Ｐを成型ケース１７内に供給すると共に、エア導入パイプ１３を位置決め部材として利用しつつ、半製品１ｈを直立した状態で成型ケース１７内にセットすることにより、モールド成型を開始する。そして、成型ケース１７内の溶融樹脂を硬化させることにより、圧力センサ７、電池９、及び送信アンテナ１１を含めて回路基板３全体を覆う外装モールド１５をモールド成型によって回路基板３に形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高い隔膜式の気体圧力計を提供する。
【解決手段】ＳＯＩウエハ２０の活性層２１と埋め込み酸化膜層２２を残して、ＳＯＩウエハ２０の埋め込み酸化膜層２２下の支持層２３に形成されて密閉された基準室１１と、基準室１１の上に残されたＳＯＩウエハ２０の活性層２１と埋め込み酸化膜層２３で構成される隔膜１２と、を備える。特に、基準室１１の内壁に、ＳＯＩウエハ２０の支持層２３をエッチングする際のエッチングストッパとなるエッチングストッパ２５を備える。また、隔膜１２の一部に、ＳＯＩウエハ２０の支持層２３をエッチングして基準室１１を形成するためのエッチングガスを導入する導入口２６と、導入口２６を塞ぐ封止２７と、を備える。導入口２６は、ＳＯＩウエハ２０の支持層２３側の表面に形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、耐熱性に優れ、応答速度の速い圧力センサを提供する。
【解決手段】空洞（マイクロキャビティ）２及び、マイクロキャビティ２と外部空間とを連通させる連通孔３が内部に形成され、一方の面（感圧部内面）がマイクロキャビティ２に面し他方の面側から被測定空間の圧力を受けて歪むことが可能な膜状の感圧部５を有するセラミックス基材１と、マイクロキャビティ２に面するセラミックス基材１の内壁面のうち、感圧部内面７と、感圧部内面７に対向する面とに、それぞれ配設された膜状の電極（膜状電極）４とを備え、２枚の膜状電極４間の静電容量を検知することにより、１００℃以上の被測定空間の圧力を測定することが可能な圧力センサ１０１。 （もっと読む）

【課題】表面とその周囲との間に角部のないダイヤフラムを具備した構造体の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面側に絶縁膜３を形成する絶縁膜形成工程と、所望のダイヤフラム７の形状に応じた開口形状の開孔部４を絶縁膜３に形成するパターニング工程と、少なくとも半導体基板１の前記一表面と半導体基板１の前記一表面側に対向配置した陰極とを電解液に接触させた状態で、半導体基板１の他表面側に前記ダイヤフラム７の形状に応じた形状の陽極５と前記陰極との間に通電することで、半導体基板１の前記一表面側における開孔部４から露出する部位に半導体基板１を多孔質化した多孔質部６を形成する陽極酸化工程と、多孔質部６を除去することで半導体基板１の一部からなるダイヤフラム７を形成する多孔質部除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を削減することで小型化および低コスト化を図った圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサＡは、弾性を有する材料により３次元立体配線基板の製造技術を用いて形成されたセンサ本体１を備える。センサ本体１は、下面の中央部に凹部２ａが形成されたボディ２と、ボディ２の上面に突設された圧力導入管３とを一体に備えている。圧力導入管３の中心の圧力導入用孔４は凹部２ａの天井部付近まで形成され、その底部には薄膜部５が形成されている。薄膜部５の表面（下面）には、金属めっき層からなる櫛歯状の第１電極パターン７ａと第２電極パターン７ｂとが形成されており、両電極パターン７ａ，７ｂは互いに隙間を空けた状態で対向配置されている。流体の圧力変化に応じて薄膜部５が変形すると、両電極パターン７ａ，７ｂ間の隙間が変化するので、両電極パターン７ａ，７ｂ間の静電容量の変化から圧力変化を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】シェルを高耐圧化することが可能な振動センサを実現する。
【解決手段】振動子が用いられた振動センサにおいて、溝が形成されるシリコン基板と、このシリコン基板の溝の中空上に形成される振動子と、前記シリコン基板上に形成され２つのエッチング液導入孔を有し前記シリコン基板との間に第１の空間を有するシェルと、このシェル上及び前記２つのエッチング液導入孔の下にそれぞれ位置する前記シリコン基板の領域に形成されるシリコン膜とを備え、前記２つのエッチング液導入孔がそれぞれ前記振動子の短手方向の両側であって任意の位置、若しくは、前記振動子の短手方向の同一側であって任意の位置に形成され、前記２つのエッチング液導入孔の近傍の前記シリコン基板と前記シェルとの間に前記２つのエッチング液導入孔と前記第１の空間とをつなぐ隙間をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】より微小な圧力変化をも検知することができる光学式圧力センサを提供する。
【解決手段】筒状部材５内は、区画部材７により第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２とに区画される。第１空間Ｓ１内には、光ファイバ３のＦＢＧ部３１が位置し、第２空間Ｓ２内には、ＦＢＧ部３１が位置しないように固定されている。第１空間Ｓ１は、密閉空間とされ、第２空間Ｓ２は、通気可能な開口孔８が設けられて、外部の流体（空気、水等）が導入されて外圧（外気圧、水圧等）と等しくなる。区画部材７は、光ファイバ３とともに筒状部材５の長手方向に揺動可能に構成され、外圧と密閉空間内の所定圧力との差が生じた際、区画部材７がいずれかの方向へ移動し、それに応じて光ファイバ３のＦＢＧ部３１が伸縮する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ装置に関し、ダイアフラムに印加された圧力を精度良く検出することを課題とする。
【解決手段】ダイアフラム１１と、ダイアフラム１１の略中央に設けられた第１の抵抗体１３，１４と、ダイアフラム１１の外周縁に設けられた第２の抵抗体１５，１６と、を備え、第１及び第２の抵抗体１３，１４，１５，１６の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラム１１に印加された圧力を検出する半導体圧力センサ１０であって、ダイアフラム１１のうち、第１の抵抗体形成領域Ａ以外の領域に対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ１を第１の抵抗体形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の厚さＭ２よりも薄くした。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、耐熱性に優れ、応答速度の速い圧力センサを提供する。
【解決手段】空洞（マイクロキャビティ）２及び、マイクロキャビティ２と外部空間とを連通させる連通孔３が内部に形成され、一方の面がマイクロキャビティ２に面し他方の面側から被測定空間の圧力を受けて歪むことが可能な膜状の感圧部５を有するセラミックス基材１と、感圧部５に配設され、感圧部５の歪みの検知が可能な感圧電極４とを備え、１００℃以上の被測定空間の圧力を測定することが可能な圧力センサ１０１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１及び第２の抵抗体の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラムに印加された圧力を検出する半導体圧力センサ及びその製造方法、及び半導体圧力センサ装置に関し、ダイアフラムに印加された圧力を精度良く検出することを課題とする。
【解決手段】半導体基板３１に設けられた凹部１０５、ダイアフラム１０１、及びダイアフラム１０１を支持する支持体１２と、ダイアフラム１０１の略中央に設けられた第１の抵抗体１３，１４と、ダイアフラム１０１の周縁部に設けられた第２の抵抗体１５，１６と、を備えた半導体圧力センサ１００であって、凹部１０５の底面１０５Ａと凹部１０５の側面１０５Ｂとの境界に対応する部分のダイアフラム１０１及び支持体１２に熱酸化膜１０２を設けた。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を表面側からエッチングすることができる、静電容量型センサの製造方法および静電容量型センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面上に、保護層４がパターン形成された後、保護層４が形成されていない保護層非形成領域と対向し、その保護層非形成領域の一部が露出するように、第１金属層５が形成される。その後、第１金属層５上に、第１絶縁層８、金属犠牲層、第２絶縁層１５、第２金属層１２がこの順に形成される。そして、金属犠牲層に金属エッチング液が供給されることにより、金属犠牲層が除去される。また、金属犠牲層が除去された部分から、金属犠牲層の除去によって露出した保護層非形成領域を介して、シリコン基板２にシリコンエッチング液が供給される。これにより、シリコン基板２の一部が除去されて、裏面側ほど寸法が小さくなる断面台形状の貫通孔３が形成される。 （もっと読む）

【課題】焼成を行わず、かつ、半導体チップに形成される素子への高温による影響を抑制しつつ、半導体チップを金属ステムに接合できるようにする。
【解決手段】集積化チップ４０をガラス板にて構成されたガラス台座５０に陽極接合したのち、一体化されたガラス台座５０と共に集積化チップ４０を金属ステム１０に搭載し、金属ステム１０とガラス台座５０とを陽極接合することで、これらが接合されるようにする。これにより、４００℃以下での低温度で接合が可能になり、集積化チップ４０に形成されたアンプ機能を実現する回路部への影響を抑制することが可能となる。 （もっと読む）