【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出せる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側の他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成し、一端が他面に露呈し他端が一面に露呈するように、第一ウェハ基板を貫通する第二導電部１４からなる貫通電極を複数形成する。センサ回路２５とこれに接続された第一導電部２６とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向し、第二導電部の一端と第一導電部とが接続されるように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化した後、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつ、ダイシングする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出すことができる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側に位置する他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成する。センサ回路２５と、該センサ回路に電気的に接続された第一導電部と、該第一導電部に一端が電気的に接続され他端が板厚方向に延設された第二導電部とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向するように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化し、第二導電部の他端を露呈させて貫通電極を形成する。第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつダイシングする。 （もっと読む）

【課題】耐食性を向上することができる圧力センサ、ダイアフラム及び圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】測定対象流体からの圧力を受けるダイアフラム５を備え、当該ダイアフラムの受圧部の変形により測定対象流体の圧力を検出する圧力センサ１において、ダイアフラムは、Ｃｒ１９〜２３％，Ｍｏ７〜１０％，Ｆｅ１〜８％，Ｃｕ０．５〜２％，Ｎｂ０．５〜２％以下，Ｃ０．０６％以下，残りＮｉよりなる合金から形成されている。 （もっと読む）

【課題】ハウジング内に配置されるセンサチップの配線部を測定媒体に曝すことなくハウジングの配線部に容易かつ確実に接続し得るセンサ装置の製造方法およびセンサ装置を提供する。
【解決手段】中空部１１ａが形成される略円筒状のハウジング１１に対して、この中空部１１ａ内に環状凸部１５を形成するとともにこの環状凸部１５の第１環状面１５ｂに絶縁膜１６を介して各ハウジング側配線部１７を形成する。そして、センサチップ２０に対して、各配線２７の一部である露出配線部２７ａを一側面２０ｂのうち外縁を除く部位にて露出するように形成する。そして、センサチップ２０を、一側面２０ｂの外縁にて第２環状面１５ｃに接合してハウジング１１の中空部１１ａ内に配置する。そして、各露出配線部２７ａおよび各ハウジング側配線部１７を電気的に接続する電極３０を両配線部２７ａ，１７上にそれぞれ蒸着（堆積）させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの板厚の更なる薄型化により、高い感度を得られる圧力センサーの提供。
【解決手段】圧力センサー１は、振動片部１３と振動片部１３の両端に接続される一対の基部１４とを有する双音叉素子１５と、双音叉素子１５を囲む第１の枠部１６と、第１の枠部１６と各基部１４とを接続する腕部１７とを有する感圧素子層１０と、感圧素子層１０の一方の主面１１側を覆う平板状のダイヤフラム層２０と、感圧素子層１０の他方の主面１２側を覆うベース層３０と、ダイヤフラム層２０と感圧素子層１０との間に積層される支持部層４０と、を備え、支持部層４０が、感圧素子層１０の一対の基部１４に対向する位置で各基部１４を支持する一対の支持部４１と、一対の支持部４１を囲む第２の枠部４２と、第２の枠部４２と各支持部４１とを接続する梁部４３とを有し、支持部層４０の各支持部４１が、ダイヤフラム層２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの板厚の更なる薄型化により、高い感度を得られる圧力センサーの提供。
【解決手段】圧力センサー１は、振動片部１３と振動片部１３の両端に接続される一対の基部１４とを有する双音叉素子１５と、双音叉素子１５を囲む枠部１６と、枠部１６と各基部１４とを接続する腕部１７とを有する感圧素子層１０と、感圧素子層１０の一方の主面１１側を覆う平板状のダイヤフラム層２０と、双音叉素子１５との間に空間を有して感圧素子層１０の他方の主面１２側を覆うベース層３０と、を備え、感圧素子層１０が、各基部１４にダイヤフラム層２０側に突出した突出部１８を有し、各突出部１８が、平板状のダイヤフラム層２０に固定されていることにより、双音叉素子１５の振動片部１３とダイヤフラム層２０との間に空間が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１００とキャップ部３００との積層方向において配線部１２０、１２２が形成された階層とは異なる階層であるキャップ部３００の他面３０２にクロス配線３２２を配置している。また、第１貫通電極３０６によってクロス配線３２２と配線部１２０とを接続し、第２貫通電極３０７によってクロス配線３２２と配線部１２２とを接続している。このため、キャップ部３００の他面３０２にはクロス配線３２２を迂回させる構造がないので、クロス配線３２２のレイアウトを簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】従来使用できなかった円筒振動子を、圧力センサに使用することが出来る圧力センサの製造方法及び圧力センサを提供することを特徴とする。
【解決手段】圧力センサの製造方法が、内部の被測定物の圧力に応じた固有振動数を有する円筒振動子と、円筒振動子の外周面に設けられた加振用圧電素子と、対向するように円筒振動子の外周面に設けられた２つの振動検出用圧電素子と、を具備する圧力センサの製造方法であって、加振用圧電素子と振動検出用圧電素子との周波数毎の挿入損失を測定する挿入損失測定工程と、挿入損失測定工程の測定の結果、隣り合う２つの固有振動モードの挿入損失の差が所定のしきい値以下である場合に、振動検出用圧電素子の少なくとも１つの振動検出位置を円筒振動子の円周方向にずらす振動検出位置移動工程とを、具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサのオフセット電圧の調整コストを低減する。
【解決手段】ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の一部の結晶性をレーザで改質して当該ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を増加させることによりホイートストンブリッジ回路の各辺の抵抗値を所定の抵抗値に揃える。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングなどの外乱からの影響を受けてもダイヤフラム部が破損する恐れがなく、かつ圧力を高感度で検出する。
【解決手段】半導体基板２の表面に対しエッチングを行うことにより形成されたダイヤフラム部３を有する半導体圧力センサ１において、ダイヤフラム部３の端部５付近を当該ダイヤフラム部３の中心部４よりも薄くなるようトレンチ形状に成形する。 （もっと読む）

【課題】 複数の素子接合体を一挙に製造するにあたり、大判素子接合体を個々の素子接合体に分ける切断を一度で行うことができる圧力センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧力センサ１００の製造方法は、素子領域２３５を複数格子状に有するＳｉウエハ２３０と、押圧部材領域２２６を複数格子状に有し、貫通孔２２５ｈを複数有する大判押圧部材２２５とを用意し、Ｓｉウエハ２３０に大判押圧部材２２５を接合して、素子接合体領域２４１を複数格子状に有し、上記貫通孔２２５ｈ内にＳｉウエハ２３０の角部集合領域２３０ａｈが露出する大判素子接合体２４０を形成する工程と、大判素子接合体２４０を切断して個分けする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一の半導体基板に半導体圧力センサを形成することで半導体圧力センサの低背化を達成することを課題とする。
【解決手段】半導体の基板１０１に形成されたエッチング用開口部２０５を介して半導体の基板１０１が選択的にエッチング除去されて中空に形成されたチャンバー部１０５と、チャンバー部１０５の上部に形成されて圧力を受けて検知するダイヤフラム部１０７と、エッチング用開口部２０５を閉塞してチャンバー部を封止する封止部１０６とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の圧力センサの製造方法と比較して、真空引きする工程を無くすことで製造工程を簡略化することができる圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】凹部１１を備えたケース１０と、凹部１１に搭載されるセンサ部２１と、凹部１１を閉塞し、測定媒体を受圧するダイヤフラム１６と、センサ部２１と外部とを電気的に接続し、ケース１０に備えられているターミナル１２と、を有する圧力センサにおいて次の工程を含む圧力センサの製造方法とする。すなわち、凹部１１にセンサ部２１を配置し、センサ部２１とターミナル１２とを電気的に接続する工程と、凹部１１に光硬化性樹脂５１を充填する工程と、光硬化性樹脂５１に対して選択的に光を照射することにより、光硬化性樹脂５１を部分的に硬化させて凹部１１を閉塞するダイヤフラム１６を形成する工程と、を含む圧力センサの製造方法とする。 （もっと読む）

圧力感知用モジュール（１５）のアセンブル方法は、圧力センサユニット（３０）を位置決め用ツール（１００）に固着し、位置決め用ツール（１００）を回路基板（２８）に割出しすることを含む。圧力センサユニット（３０）の回路基板（２８）に取り付け後シールプレート（４０）が割出される。位置決め特徴部（４８）は回路基板（２８）状のソケット要素に割出しする。圧力センサユニット（３０）の回路基板（２８）に取り付け後シールプレート（４０）が割出しされる。一体化されたシールモジュール（１０）に取り付けられるようにｉなるプレート（４０）を含み、プレート（４０）は第１及び２の対向面、少なくとも１つの配置用穴（４６）、そこを通り延びる１以上の圧力通路（５２）を含む。１つのシール部材（５４）は、圧力ポート（５３）間の流体シール、及び、第１面（４２）と圧力源（１６、１７、１８、１９、２０、２１）及び第２面（４４）の効果を発揮する。シール部材（５４）及び位置決め用ブッシング（５０）は１つの連続した液体射出で成形され、装着用プレート（４０）による囲繞箇所（５８）を含むフレームワークとして形成される。圧力通路（５２）は流体を圧力センサ（３０）に供給する。これは装着用プレート（４０）で重ねて成形できる。
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【課題】外部からの要因に影響されにくく、安定した動作が可能なゲージ圧型圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１Ａは、第一基板１１に第二基板１２を重ねてなる基体１３と、該基体内の重なり面において、前記第一基板の中央域αに第一凹部１４ａを配することにより、前記第二基板と略平行して広がる第一空隙部１４、該第一空隙部上に位置し、前記第二基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部１６、該ダイアフラム部に配された感圧素子１７、及び、前記第二基板の外面からなる前記基体の一面において、該ダイアフラム部を除いた外周域βに配され、該感圧素子と電気的に接続された導電部１８を備える。前記基体内の重なり面において、前記第一基板の外周域βの少なくとも一部に、一方が前記第一空隙部と連通し、他方が該第一基板の側面に開口部をなす第二凹部１５ａを配することで、前記第二基板と略平行をなす第二空隙部１５を設けた。 （もっと読む）

２２００バールよりも大きな圧力領域のためにも信頼性良く使用される高圧センサの簡単でかつ廉価な製造を可能にする、高圧センサのための構築コンセプトを提案する。このような高圧センサ（３）は、圧力検出のためのセンサエレメント（１）と、該センサエレメント（１）を測定システムに結合するための接続部材（２）とを備えている。センサエレメント（１）のベースボディ（１０）には、ダイヤフラム（１１）が形成され、接続部材（２）のベースボディ（２０）には圧力通路（２１）が形成される。センサエレメント（１）は、ダイヤフラム（１１）が圧力通路（２１）を介して測定圧によって負荷可能になるように接続部材（２）に組み付けられる。本発明によれば、まずセンサエレメント（１）のベースボディ（１０）を接続部材（２）のベースボディ（２０）に組み付け、この場合、両ベースボディ（１０，２０）の組付け面の間に全面にわたる結合部（３１）を形成し、その後にはじめて、接続部材（２）に圧力通路（２１）を形成し、センサエレメント（１）のダイヤフラム（１１）を露出させる。
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【課題】 圧力の作用により振動する振動部の厚さを、様々な厚さに高精度に制御することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧力センサ１において、シリコン基板４上に、ＢＯＸ層５を介して、活性層６を積層した構造のＳＯＩ基板２を形成する。ＳＯＩ基板２には、その厚さ方向一方側から他方側へ向かう方向にシリコン基板４およびＢＯＸ層５を一括して貫通する貫通孔８を形成する。これにより、活性層６における貫通孔８との対向部分に、ダイヤフラム９を形成する。ダイヤフラム９の上層部には、ダイヤフラム９とともに振動可能な可動電極１０を形成する。一方、封止基板３に、周辺部１５の裏面よりも上面側へ一段低く形成された凹部１６を形成する。凹部１６の底面には、固定電極１７を形成する。そして、固定電極１７と可動電極１０とが対向する姿勢で、封止基板３とＳＯＩ基板２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させることなく溶着等の不具合が発生することを防止する。
【解決手段】同電位配線８によって貫通孔配線６と貫通孔配線７とを電気的に接続することにより可動電極４と固定電極５を同電位にして陽極接合を行った後、半導体ウェハ１から圧力センサを切り出す際に同電位配線８を切断することにより可動電極４と固定電極５を切り離す。これにより、陽極接合を行う際に印加電圧によって可動電極４と固定電極５との間に静電吸引力が発生することにより、溶着等の不具合が発生することを防止できる。また同電位配線８は半導体ウェハ１から圧力センサを切り出す際に切断されるので、特別な装置や工程を利用せずに製造コストを増加させることなく同電位配線８を切断することができる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ溶液を用いたエッチングを行なうことなくダイヤフラム構造を形成でき、微細化を実現できる半導体センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。ゲート−メタル層間膜５の上面からシリコン基板１に到達して、ＬＯＣＯＳ酸化膜３と比べてエッチング選択比の大きい材料からなる枠状部材９が形成されている。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５及びその上の絶縁膜１７，２３に枠状部材９よりも小さい平面寸法で開口部２５が形成されている。枠状部材９の内側に位置するＬＯＣＯＳ酸化膜３が除去されて空洞９が形成されている。空洞９は開口部２５と連通している。枠状部材９の内側に位置するゲート−メタル層間膜５の下面に検出部１１が設けられている。検出部１１の一部分は開口部２５に露出している。 （もっと読む）

【課題】気密空間の気密性を損なうことなく電気信号を取り出す。
【解決手段】圧力センサ１の電極取り出し構造は、シリコン基板２のシリコン基板３との接合面から気密空間４内において露出している表面に向かって延在する高濃度不純物拡散領域６，８と、シリコン基板３のシリコン基板２との接合面から気密空間４内において露出している表面に向かって延在する高濃度不純物拡散領域５，７と、シリコン基板２の外表面側から高濃度不純物拡散領域７に到達する深さまで形成された貫通孔９ａと、シリコン基板２の外表面側から高濃度不純物拡散領域８に到達する深さまで形成された貫通孔９ｂと、貫通孔９ａ，９ｂの側面及び底部に形成された金属薄膜１０ａ，１０ｂとを有する。 （もっと読む）