【課題】本発明は、圧力センサ素子の耐久性を向上させることを目的とする。
【解決手段】圧力センサ素子３０は、センサ面３３１および側面３３３を有する板状のシリコン基板３３０と、シリコン基板３３０のセンサ面３３１に接合された第２平面３２２、および側面３３３と略同一平面上に配置された側面３２３を有する板状のガラス基板３２０とを備え、ガラス基板３２０は、更に、第２平面３２２から側面３３３に向かうに従ってセンサ面３３１から離間しながら第２平面３２２と側面３２３とを繋ぐ面取り面３２６を有する。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。架設された構造は、封鎖物５００によって封入される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＮ構造の半導体装置において、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができ、プロセスラインの汚染を防止することができて、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造９上部のシリコン層３２の段差１８をアライメントマーク２０として用いることによって、アライメントマーク２０の形状崩れが防止されて、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができるようになる。また、段差１８が小さいためにフォトリソグラフィー工程で凹部へのレジストの残留やプロセス途中で発生するゴミの残留が防止され、プロセスラインの汚染が防止できる。その結果、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの小型化に伴う性能のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。そして、エッチング液を前記エッチング液導入孔１５に通じて、犠牲層１６をエッチングすることにより積層構造を真空室上で機能するダイヤフラム体１１として形成するとともに、シリコン基板１における第１絶縁膜２の第１開口２ａ下の表面をエッチングすることにより真空室となるべき空間１３と、当該空間１３中に配置され、ダイヤフラム体１１の中央付近に向かって突出するダイヤフラムストッパー１２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】封止する際に流体に含まれる気泡を低減する部品組立方法、ならびに減圧槽の大型化および減圧に要する時間の延長を招くことなく、減圧槽の内部で流体の注入および部材の封止を行う流体注入封止装置を提供する。
【解決手段】クランプレバー（５４）は、上下方向への移動と支点ローラ（５５）を支点としたハウジング（１２）側への旋回とが組み合わされた軌跡を描く。クランプレバー（５４）は、支点ローラ（５５）を支点に旋回した後、ガイドローラ（５６）の支持溝（６３）に沿って下降する。これにより、クランプレバー（５４）の回転半径は小さくなる。支点ローラ（５５）はクランプレバー（５４）の下端側に設けられているので、クランプレバー（５４）は回転するときハウジング（１２）側への突出量が低減される。その結果、クランプレバー（５４）の旋回に必要な空間が減少し、減圧槽（３１）の内部に確保すべき空間の容積が減少する。 （もっと読む）

【課題】第１部材（３）と第２部材（２）とを長尺なフレキシブルプリント基板（１３）により電気的に接続するものにあって、フレキシブルプリント基板（１３）のたるみに起因する不具合を未然に防止する。
【解決手段】ハウジング（２）とコネクタケース部（３）との間を電気的に接続するためのＦＰＣ（１３）の中間部分に、鉄からなるチップ状の吸着部材（１５）を固着する。吸着部材（１５）の重量を、共振防止の観点から予め設定する。ＦＰＣ（１３）の一端側を、圧力検出素子（７）にボンディングワイヤ（１６）により接続し、他端側を、ターミナル（１０）にはんだ付けにより接続する。ＦＰＣ（１３）は、接続作業上、長尺になるため、ハウジング（２）とコネクタケース部（３）との間で中間部にたるみ部分が生ずるが、その中間部分を、収容凹部（９ａ）内に収容する。収容作業は、磁性治具により、吸着部材（１５）を、コネクタケース部（３）の外部から磁気的に吸引することにより行う。 （もっと読む）

【課題】モールドＩＣの外側に２次成形によりケースを形成するセンサ装置において、被測定物がセンサ装置内部を通過して漏れることを防止する。
【解決手段】センサチップ１１および信号処理回路用ＩＣ１２が実装されたリードフレーム１３を成形型内にセットし、熱硬化性樹脂を注入して第１樹脂層１４を形成する。続いて、第１樹脂層１４の熱硬化性樹脂が半硬化状態のときに、成形型内に熱可塑性樹脂を注入して、第１樹脂層１４の外側を覆う第２樹脂層１５を形成する。これにより、半硬化状態の熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂が一部混ざり、両樹脂層の界面が通常よりも強固に密着する。モールド成形後、熱可塑性樹脂にてケースを２次成形により形成する。２次成形工程では、第２樹脂層１５の熱可塑性樹脂とケース形成用の熱可塑性樹脂とが溶け合って、第２樹脂層１５とケースとの界面が無くなる。 （もっと読む）

【課題】センシング部を有するセンサ素子を基板上に搭載し、これらをモールド樹脂で封止するとともに、センサ素子の上面にてセンシング部をモールド樹脂より露出させてなるセンサ装置において、センシング部の上面である露出面だけでなく、センシング部の側面および下面もモールド樹脂と接触しないモールド樹脂フリー状態として、モールド樹脂からの応力のセンシング部への影響を極力排除する。
【解決手段】センシング部２０ａの全周を、センサ素子２０における基板１０との接着部および枠体１により囲み、枠体１の上面１ａとセンサ素子２０の上面２１とに、金型１００を当接させてセンシング部２０ａの露出面２１ａを、金型１００で封止するとともに、センシング部２０ａと基板１０および枠体１との隙間を金型１００で密閉した状態で、モールドを行う。 （もっと読む）

【課題】圧力だけでなく温度をも検出できる静電容量型圧力センサを得る。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサ１００は、第１の電極部４が形成されている基板１と、基板１の表面に絶縁体層２を介して形成されている第２の電極部７と、金属間接合によって形成されたボンディング層８を介して第２の電極部７に一部が接続され、圧力に応じて変形するダイアフラム部１０と、絶縁体層２の表面に形成されている少なくとも白金を含む材料からなる温度センサ部２２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に押型からセンサチップに加わるモーメントを低減できる半導体センサの製造方法を提供する。
【解決手段】２個分のセンサチップがそれらの一端同士でつながり、それらの他端が両端に位置する状態の仮の半導体チップ１００の両端部を樹脂流入用の型２１０、２２０の内部に位置させ、仮の半導体チップ１００の中央部を押型２３０、２４０で上下方向から挟んだ状態として、仮の半導体チップ１００の両端部に対してモールド成形する。その後、仮の半導体チップ１００を２個のセンサチップに分割する。これによると、仮の半導体チップ１００が両持ち状態でマウント部３ｂに支持されているので、センサチップが片持ち状態でマウント部３ｂに支持される場合と比較して、センサチップにかかるモーメントを低減できる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面の一部がモールド樹脂から露出した、チップ露出面を有する半導体装置およびその製造方法であって、モールド樹脂がチップ露出面にはみ出ないモールド成形が可能で、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１の表面の一部がモールド樹脂３２から露出した、チップ露出面１１ａを有する半導体装置であって、モールド樹脂３２が、高分子５１ａでできた殻の中に炭化水素５１ｂを内包するマイクロバルーン５１と熱硬化性樹脂５２の複合樹脂からなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。検知素子４４は、基準素子３６及び基準素子３６に形成された複数の開口３８のうちの一つを介して外部環境４８に露出される。検知素子４４は、環境４８からの圧力刺激５４に応答して、基準素子３６に対して可動である。製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 （もっと読む）

【課題】高温の用途における静電容量式圧力プローブまたはセンサを提供する。
【解決手段】静電容量式圧力センサ１００はプローブ筐体の内部検出チャンバ３０内に配設され、かつ、その中央部分上に形成される第１の電極５２を有する、サファイヤダイアフラム４２を含む。ダイアフラム４２の中央部分および第１の電極５２は、内部検出チャンバ３０内で、かつ圧力センサ１００によって、遭遇する圧力変動に反応して撓むように適合および構成される。その上に形成される第２の電極５４を有するサファイヤ基板４６は、サファイヤ積層を形成し、その間に基準チャンバ８０を画定するように、その周辺を中心として、サファイヤダイアフラム４２に融合される。サファイヤダイアフラム４２のサファイヤ基板４６への融合前に、全ての接触表面は、結合積層を形成し、融合に必要な温度を低下させるように、化学処理され、プラズマ励起を用いて準備される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ及びセンサを製造する方法が開示され、このセンサは一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされたデバイス・ウェーハ（１００）に接着して懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって決定されて絶対圧を測定する。センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形品のシール面を良好に成形する。
【解決手段】外周面がシール面となる断面円形状の円柱部１０１を有するモールド部材（樹脂成形品）をその軸を中心として回転させながら流動性のある樹脂１０２をシール面に流下しながら塗布し、その塗布した樹脂を熱または紫外線照射することで硬化させることにより、シール面を連続性のある欠陥のないシール面に整形する。 （もっと読む）

【課題】安定に作製ができ、特性も安定で良好である振動式圧力センサおよびその製造方法を実現すること。
【解決手段】 半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサにおいて、前記振動子を覆うように前記半導体基板の一方の面上に配置されて空隙部を形成するシェル部と、このシェル部を覆うように前記半導体基板の一方の面上に減圧化学気相成長法により形成されて、前記空隙部が真空となった前記真空室を形成する封止め部を備え、前記半導体基板は、前記一方の面が略平面状に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】利用可能な様式で再現性よく製造され得る、単純な構造体を有するキャパシタンスダイアフラムゲージを提供する。
【解決手段】圧力を測定するためのキャパシタンスダイアフラムゲージ１００は、シム１２２または他の隆起外周部分を介して本体構造体１１０に設置された、低いヒステリシス特徴を有するフラッシュダイアフラム１２０を備える。 （もっと読む）