【課題】サポートガラスと封止ガラスの機能が一体化された半導体装置を提供する。
【解決手段】圧力測定器は、センサチップ３０とセンサチップ３０を内包する内径をゆうする円筒状の金属部材のボディ６０と、複数のピン７０と、ボディ６０と複数のピン７０のハーメチックシールとセンサチップ３０のサポートを兼ねるように一体化されたガラス８０とで構成されており、複数の配線用にピン７０が封止ガラスを介してハーメチックシールされたボディ６０の上面に、サポートガラスを介してセンサチップ３０が設けられた半導体装置において、前記封止ガラスと前記サポートガラスとが焼結処理された共通のガラスフリット８０で一体形成されたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】ケースのうち弾性部材がポッティングされる面を平滑な面にする。
【解決手段】ケース１０のうち第１の部位１３を形成するための第１の金型７４と第２の金型７５とを用意し、第１の金型７４と第２の金型７５とで構成された空間８１に１次充填材料１７を充填することで第１の部位１３を成形する１次充填工程を行う（図３（ａ））。この後、第１の部位１３から第２の金型７５を外し、第２の部位１４を形成するための第３の金型７６を用意し、第１の金型７４、第１の部位１３、および第３の金型７６で構成された空間８２に１次充填材料１７よりも粘度が低い２次充填材料１８を充填することで第２の部位１４を成形する２次充填工程を行う（図３（ｂ））。このようにして、２次充填材料１８を充填する際に第１の部位１３に対するせん断応力を低減する。 （もっと読む）

圧力測定セルは、第１のハウジング本体（１）と、このハウジング本体の近傍に配置された隔膜（２）とを有しており、両者はセラミック製である。隔膜（２）は第１のハウジング本体（１）と結合された外側縁部を有しており、それにより基準真空室（２５）を形成する。セラミック材料から製作される第２のハウジング本体（４）は隔膜（２）と向かい合うとともに、隔膜の外側縁部と結合されており、第２のハウジング（４）は隔膜（２）とともに圧力測定室（２６）を形成する。第２のハウジング本体（４）は、測定されるべき媒体と圧力測定セルを接続するための接続管（５）を有している。第１のハウジング本体（１）、第２のハウジング本体（４）、および隔膜（２）は隔膜の外側縁部のところで互いに気密に結合されており、第１のハウジング本体（１）の中央領域には、第１のハウジング本体を通過して少なくとも隔膜の中央領域まで達する穴（７）が形成されており、この穴（７）に向かい合うように隔膜（２）の表面は第１の光学反射面（１０）として構成されている。光ファイバ（１５）が穴（７）に配置されて気密に取り付けられており、それにより隔膜の表面へと光を案内する。ファイバ（１５）の端部は少なくとも第１のハウジング本体（１）の表面に達しており、ファイバ端部（１６）と隔膜（２）の反射面との間に光学キャビティ（３０）が構成されるように隔膜（２）の第１の光学反射表面と結合する第２の光学反射面として構成されており、該キャビティは隔膜（２）の変形を判定するための測定区域を形成するとともに、ファブリ・ペロ干渉計の一部である。
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【課題】支持構造体４とダイアフラム３との溶接時における熱応力による歪みを可及的に小さくするとともに、支持構造体４とダイアフラム３間の剛性を大きくして、固定電極２及びダイアフラム３間の距離の変化を可及的に小さくして、圧力センサ１の出力を安定させる。
【解決手段】圧力により変位するダイアフラム３と固定電極２との間の静電容量の変化を検出して圧力を測定する静電容量型圧力センサ１であって、前記固定電極２と前記ダイアフラム３との対向面の距離を規定する凹部４１を有し、前記固定電極２の電極面が、前記凹部４１の底面４１１と略同一平面上に設けられ、前記ダイアフラム３が、前記凹部４１を覆うように前記凹部４１の開口周縁部４０１に設けられる一体成型された支持構造体４を具備する。 （もっと読む）

【課題】 受圧面に大径の凹部と小径の凸部が同心に形成されているダイアフラムと力伝達ロッドが組み込まれている力検知センサの製造する技術を提供する。
【解決方法】 力検知センサの製造する工程では、ダイアフラムとなる素材１３の受圧面１３ａに凹部を形成する凹部形成工程と、形成された凹部の内部に凸部を完成させる凸部完成工程を備えている。
凹部形成工程では、ガイドリング４と受け台６によって支持された素材１３の受圧面１３ａの表面側に、凹部の底面に対応する形状の平面が先端面８ｂに形成されている加圧ピン８を押し付ける。平面形状の先端面８ｂに当接する部位の受圧面１３ａに凹部が形成される。 （もっと読む）

【課題】センサ保持ケースの加締め工程の所要時間を短縮して生産性を向上させることができ、また、圧電センサに付与する予圧のばらつきを抑止することが可能な製造方法及びガスケット型圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧電センサ７が組み込まれたセンサ保持ケース３の内周壁３ｂの上部４と外周壁３ｃの上部５とに対して、専用の押し型１４を使って、圧電センサ７に予圧を付与した状態で同時に加締め工程を実施して、各上部４，５とを所定の傾斜状態に成形するプリ加締め工程後に、変更した平型の押し型１６により加締め工程を実施して、傾斜状態の各上部４，５とを最終形状に成形する本加締め工程とを行うことで、予圧のばらつきが無いガスケット型圧力センサの生産性を高めることが可能になる。 （もっと読む）

本発明は、基板背面からアクセスされる、マイクロメカニカル技術によるメンブラン構造体の特に容易かつ低コストの方法を提案する。この方法はｐ型ドーピングされたＳｉ基板（１）から出発し、以下のプロセスステップを有する：すなわち、基板表面の、連続している少なくとも１つの格子状領域（２）をｎ型ドーピングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）を多孔性にエッチングするステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の下の基板領域（５）内に空洞（７）を形成するステップ、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）上に、第１の単結晶シリコンエピタキシャル層（８）を成長させるステップ、とを有している。本願発明は次のような特徴を有している。すなわち、ｎ型ドーピングされた格子構造（２）の少なくとも１つの開口部（６）を、開口部が成長する第１のエピタキシャル層（８）によって封鎖されず、空洞（７）へのアクセス開口部（９）を形成するように定め；空洞壁部上に酸化物層（１０）を形成し；空洞（７）への背面アクセス部（１３）を設け、ここで空洞壁部上の酸化物層（１０）を、エッチングストップ層として用い；酸化物層（１０）を空洞（７）の領域内で除去し、空洞（７）上に形成されているメンブラン構造体（１４）への背面アクセス部（１３）を生じさせる、ことを特徴とする。
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【課題】下層にＡｌまたはＡｌ合金電極膜を有する積層金属膜の最表面に金膜を形成することにより前記下層の電極膜の腐食を防止するようにした半導体圧力センサ領域を含む半導体装置に対して、金膜にピンホールを有する半導体装置を有効に選別または除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】パッド部を除く半導体基板１００ａの表面に耐食性絶縁膜４を形成し、続いてパッド部の表面に設けられているＡｌ電極膜３上に密着度向上用および相互拡散防止用の金属膜５を介して金膜６を形成して積層金属膜とする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記積層金属膜を形成する工程後に、半導体基板１００ａをＡｌのエッチング液に浸漬する工程を設ける半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】圧電センサが挿入される方向に対して垂直となる面の面積の狭小化が可能な圧電素子を実現する。
【解決手段】薄膜素子積層センサ１の圧電素子５は、表面２８ａに貫通孔８ａが形成された金属製の基板５１と、貫通孔８ａの少なくとも壁面１８を除く、基板５１の全面に成膜されているＡｌＮ素子膜５２と、導電性を有しており、ＡｌＮ素子膜５２に被覆されている金属箔電極５３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被取付部材からダイアフラムへの外乱応力の伝達を抑制し得る圧力センサ素子およびその製造方法並びに圧力センサを提供する。
【解決手段】センサ素子４０は、基板４１の反取付面４０ｂに形成される開口部４２の開口側面４２ａから当該開口部４２内に片持ち梁状に突出して支持される梁部４３を備えている。この梁部４３内には、密閉状態である圧力基準室４４が形成されるとともに、この圧力基準室４４の圧力と圧力媒体の被測定圧力との圧力差に応じて変位するダイアフラム４５と、このダイアフラム４５上に設けられ当該ダイアフラム４５の変位に応じた信号を出力する圧力検出部４６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ組立体が受けるモールド樹脂で発生する応力を少なくし半導体センサ
ー装置の特性を安定化させ、キャップクラックや樹脂クラックが入り難く、また、孔付キ
ャップチップの孔詰まりが起こり難い、小型軽量な半導体センサー装置およびその製造方
法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ組立体の上キャップチップ上面を露出させて樹脂面と同一にする
か凹ませることで、ＭＥＭＳ組立体が受けるモールド樹脂で発生する応力を少なくし半導
体センサー装置の特性を安定化させ、キャップクラックや樹脂クラックが入り難く、また
、孔付キャップチップの孔詰まりが起こり難い、小型軽量な半導体センサー装置を提供す
ることができた。 （もっと読む）

本発明は、導電性ナノ薄膜およびこれを利用した微細電気機械システムセンサーに関するものであり、より詳しくは、高分子電解質膜と炭素ナノチューブ層が積層して形成される導電性ナノ薄膜およびこれを利用した微細電気機械システムセンサーに関するものである。

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【課題】半導体素子を複数に形成した半導体基板を半導体素子ごとに分割して個々の半導体装置を形成する際の分割の品質を低下させることなく、加工タクトを向上させる。
【解決手段】半導体基板１を、機能要素が構築された複数の半導体素子２が桝目状に形成され、前記複数の半導体素子２を個々に分離している縦方向および横方向の分離線４上に、各半導体素子２の外周部に対応する部分を除いて連続した溝３が形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】複数のバンプ接合部の周辺のみを封止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム部材７０は、複数の絶縁用フィルム部材７１とこれら各絶縁用フィルム部材７１の周縁の一部がそれぞれミシン目７３を介して分断容易に連結される把持用フィルム部材７２とを有する。各絶縁用フィルム部材７１にそれぞれ貫通させた各バンプ６０と、各電極５２とが当接するようにセンサチップ２０と配線基板５０とを近接させる。そして、各バンプ６０と各電極５２とを電気的に接続する。そして、把持用フィルム部材７２を把持して各絶縁用フィルム部材７１から離間させることにより当該把持用フィルム部材７２と各絶縁用フィルム部材７１とをミシン目７３により形成される分断線に沿って分断する。そして、分断後の各絶縁用フィルム部材７１により各バンプ６０および各電極２３，５２との接合部であるバンプ接合部の周囲を封止する。 （もっと読む）

工業プロセス伝送器システム（１０）の充填管（７０）のための圧着システムは、カラー（７２）と、充填管（７０）と、圧着顎（７４）とを備える。カラー（７２）は、充填管（７０）を受容するための通路（９４、９６）と、通路（９４、９６）を囲む座（８０）とを備える。充填管（７０）は、カラー（７２）の通路（９４、９６）および座（８０）を通って延在する。圧着顎（７４）は、充填管（７０）を囲むように座（８０）内に位置付けられ、かつ充填管（７０）を圧着するように座（８０）内に挿入される。
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【課題】少なくとも１つの懸架膜を備えた素子を製造する方法である。
【解決手段】少なくとも１つの懸架膜を備えた素子を製造する方法であって、該方法は少なくとも、第１犠牲層および該第１犠牲層に堆積された第２層を貫通し、該第１犠牲層の少なくとも一部および第２層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、該トレンチの全体または一部に、少なくとも１種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも１種類の材料を充填し、該第１犠牲層の一部を、第２層に設けられた少なくとも１つの開口部を介してエッチング剤でエッチングする工程を含み、該第２層の一部は、懸架膜の少なくとも一部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路との一体化が容易で生産性に優れ、キャビティを高い寸法精度で形成できる圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１ａの第１半導体層３をエッチングすることにより開口部８を形成し、開口部８の側壁にサイドウォール８ａを形成する工程と、第１半導体層３上に第２半導体層４を選択エピタキシャル成長させる工程と、開口部８を介して埋め込み絶縁膜３とサイドウォール８とをエッチングして、内壁が第１半導体層３の開口部の内壁よりも外側に位置する空洞部５を形成する工程と、アニールを行うことにより、少なくとも開口部８の縁部に形成されている第２半導体層４にマイグレーションを生じさせて、第２半導体層４により空洞部５を封止し、空洞部５の天井部をダイアフラム６とする工程と、ダイアフラム６の撓みを検出する検出素子を形成する工程とを備える圧力センサの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）の機械的強度を向上させ、歩留まり及び信頼性を向上させる。
【解決手段】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）において、従来では中空部であった部分に充填用材料を充填する。充填用材料としては、弾性を有する絶縁性材料を用いる。弾性を有する絶縁性材料は、例えばエラストマーが挙げられる。中空部が充填されることで、機械的強度が向上する。更には、作製工程中における構造体上部の反りを防止し、歩留まりが向上する。このようにして作製された微小電気機械式装置は、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ回路との一体化が容易で生産性に優れ、キャビティを高い寸法精度で形成できる圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にパッド酸化膜１２と窒化膜１３とを順に形成し、空洞部形成領域Ａ以外の窒化膜１３をエッチングしてパッド酸化膜１２を露出させる工程と、熱酸化膜１４を形成する工程と、空洞部形成領域Ａの窒化膜１３とパッド酸化膜１２を除去し、空洞部形成領域Ａ上に犠牲層４を選択エピタキシャル成長させる工程と、熱酸化膜１４を除去し、犠牲層４上に第２半導体層３を形成し、第２半導体層３をエッチングすることにより、犠牲層４が露出された内面を有する開口部８を形成する工程と、開口部８を介して犠牲層４をエッチングして空洞部５を形成する工程と、第２半導体層３上に絶縁膜２を形成して空洞部５を封止してダイアフラム６とする工程と、検出素子を設ける工程とを備える圧力センサの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等の半導体回路との一体化が容易であり、また、圧力検知の感度に優れる半導体圧力センサ及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１と、該第１基板２１上に積層される埋め込み絶縁膜３と、該埋め込み絶縁膜３上に積層される第２基板２２とを備え、該第２基板２２上に圧電膜４及び電極５が積層して形成されており、第２基板２２上において圧電膜４及び電極５が配置される領域に対応する第１基板２１の少なくとも一部が除去されてなり、電極５は、第２基板２２上に形成される下部電極５１と、該下部電極５１上に積層された圧電膜４上に形成される上部電極５２とからなり、該上部電極５２が、少なくとも２以上で設けられている。 （もっと読む）