【課題】平面矩形をなすダイヤフラムエッジの各辺上に配置した互いに対向する一対の第１及び第３の感応抵抗素子と互いに対向する一対の第２及び第４の感応抵抗素子によるブリッジ回路のオフセット電圧を調整でき、かつ、該オフセット電圧の温度特性変動を抑える半導体圧力センサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】ブリッジ回路内に、第１ないし第４の感応抵抗素子にそれぞれ直列接続した補正抵抗を設け、この補正抵抗の抵抗温度係数を第１及び第３の感応抵抗素子側と第２及び第４の感応抵抗素子側で異ならせた。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、シリコン基板とガラス台座とシリコン台座との三層の陽極接合が可能な陽極接合装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る陽極接合装置は、シリコンチューブ１とシリコンチップ３との間にガラス台座２を配置して、各接合面を陽極接合する陽極接合装置であって、シリコンチューブ１とガラス台座２とシリコンチップ３とを重ねて、シリコンチューブ１が当接するように載置する陽極電極ステージ１３と、シリコンチップ３に当接される陽極電極１４と、ガラス台座２に当接される陰極電極１５と、陽極電極ステージ１３と陰極電極１５との間に所定の電圧を印加する一次電源１１と、陽極電極１４と陰極電極１５との間に所定の電圧を印加する二次電源１２と、シリコンチューブ１とガラス台座２の接合面及びガラス台座２とシリコンチップ３の接合面を加熱する加熱手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性不良の発生をより効果的に抑制することができるとともに、ガラス台座と金属ベースとの接合強度を向上することができる圧力センサ及び製造方法を提供すること。
【解決手段】差圧用ダイアフラム４を備える半導体基板１０と、半導体基板１０の下側に設けられるガラス台座１８と、を備え、半導体基板１０の下面とガラス台座１８の上面とが接合され、ガラス台座１８には、ガラス台座１８の上下面に亘ってガラス台座１８を貫通するように圧力導入孔１８Ａが形成されており、圧力導入孔１８Ａは、ガラス台座の下面における圧力導入孔１８Ａの第１の孔径でガラス台座１８の下面から第１の位置まで形成されており、かつ、ガラス台座１８の上面における圧力導入孔１８Ａの第２の孔径は、第１の孔径よりも大きく、前記ガラス台座の下面には、金属薄膜層が成膜した。 （もっと読む）

【課題】リーク電流に起因する特性異常を防ぐことができる圧力センサ及び圧力センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】拡散抵抗配線６が形成された第２半導体層３と、第２半導体層３上に形成された絶縁膜７と、絶縁膜７の上に形成される外部導電部８と、を備える圧力センサ１００であって、絶縁膜７には、外部導電部８と拡散抵抗配線６とを電気的に接続するコンタクト９が形成されており、外部導電部８は、第２半導体層３上の拡散抵抗配線６が形成される範囲に相当する範囲内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサ制御用の集積回路を備えた圧力センサモジュールにおいて、チップサイズに小型化することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサモジュール２０Ａ（２０）は、第一基板３と第二基板４とを重ねてなる基体２、該基体内の重なり面において、その中央域の第二基板の内部に配された空間部５、前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部６、前記ダイアフラム部に配された感圧素子７、及び、前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部８、を少なくとも有する圧力センサ１０Ａ（１０）と、前記第二基板の外面からなる前記基体の一面に配された、前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサ制御用の集積回路を備えた圧力センサモジュールにおいて、チップサイズに小型化することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサモジュール２０は、第一基板３と第二基板４との間に、基板の厚み方向に貫通部を有する第三基板３０を挟み、各基板の厚み方向で重ねてなる基体２、前記第三基板３０の貫通部が、前記第一基板３及び前記第二基板４によって挟まれ、該基体２の内部に形成された空間部５、前記空間部５と重なる位置にあって、前記第一基板３の薄板化された領域からなるダイアフラム部６、前記ダイアフラム部６の前記空間部５に接する面に配された感圧素子７、及び、前記ダイアフラム部６の周囲に配され、前記感圧素子７と電気的に接続された導電部９、を少なくとも有する圧力センサ１０と、前記第二基板４の前記空間部５に接する面に配された、前記圧力センサ１０の制御用集積回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧力センサ制御用の集積回路を備えた圧力センサモジュールにおいて、チップサイズに小型化することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサモジュール２０Ａ（２０）は、第一基板３と第二基板４とを重ねてなる基体２、該基体内の重なり面において、その中央域の内部に配された空間部５、前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部６、前記ダイアフラム部に配された感圧素子７、及び、前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部８、を少なくとも有する圧力センサ１０Ａ（１０）と、前記第二基板に配された、前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内ケースや内部構成部品の損傷をより確実に防止する。
【解決手段】圧力センサ１は、縮径部４２Ａを有する外ケース４２、加締部４１Ｂを有する内ケース４１及び内部構成部品１１を備え、加締め部４１Ｂが縮径部４２Ａに接合される。圧力センサ１の製造方法は、一端部５１Ｂを有する内ケース構成体５１に内部構成部品１１を配置し、内ケース構成体５１外周に外ケース４２を配置した上で、先端外周面が湾曲面状の押さえ治具２１を一端部５１Ｂに押し入れ、内部構成部品１１に荷重を加えず一端部５１Ｂを拡径する初期拡径工程、先端外周面が湾曲面状の押さえ治具２２，２３を一端部５１Ｂに押し入れ、内部構成部品１１の内周側部分に荷重を加えつつ一端部５１Ｂを拡径する中期拡径工程、及び、一端部５１Ｂに押圧力を加え加締め部４１Ｂを形成する最終拡径工程を含む。中期拡径工程の押圧力が最終拡径工程の押圧力より小さくされる。 （もっと読む）

【課題】品質の良い圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサは、圧力センサチップ１と、周壁の一部を構成する底壁１１ａの一部に形成されたリブ１１ｃおよび底壁１１ａに貫設された貫通孔１１ｄを内側から覆う形で圧力センサチップ１が配設されるボディブロック１１と、一端側がボディブロック１１の底壁１１ａに連続する形に形成され且つ内部がボディブロック１１の底壁１１ａの貫通孔１１ｄに連通する筒状体１２とを備える。筒状体１２は、他端側から付加される圧力を圧力センサチップ１のダイヤフラム部１ａに伝達するとともに圧力センサチップ１を保護するための圧力媒体Ａが充填される液体充填部１２ａと、液体充填部１２ａの前記他端側に設けられ且つ且つ液体充填部１２ａに圧力媒体Ａを注入する際に圧力媒体Ａを一時的に貯留するための液体貯留部１２ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とガラス基板との陽極接合時に良好な接合が得られることを課題とする。
【解決手段】第１の半導体基板１とガラス基板３とが陽極接合により接合され、かつガラス基板３と第２の半導体基板２とが接合されて積層される積層構造を有し、外部から与えられた物理量を静電容量の変化として検出する半導体センサにおいて、第１の半導体基板１と電気的に接続されて第２の半導体基板２に形成された電極領域８ａと、第１の半導体基板１を一方の電極とする静電容量の他方の電極を構成して第２の半導体基板２に形成された電極領域８ｂ、８ｃとを陽極接合時に電気的に接続して同電位とし、陽極接合後に切断されて電極領域８ａと電極領域８ｂ、８ｃとを電気的に分離する同電位配線１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚みが薄く、しかも、その厚みのばらつきが少ないダイヤフラムを備えた半導体圧力センサと、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の第１主表面上には、ポリシリコン膜５５からなるダイヤフラム５が形成され、そのダイヤフラム５の上面には、４つのゲージ抵抗７が形成されている。シリコン基板１には、ダイヤフラム５の裏面を露出する貫通穴３０が形成されている。ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、ダイヤフラム５をシリコン基板１に据え付けるためのアンカー部２０が、貫通穴３０の第１主表面側の開口端を周方向から取り囲むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で安価に製造することが可能な半導体圧力センサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】静電容量の変化により圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、静電容量の一方の電極となる第１の半導体基板１と、薄肉化されて感圧部のダイヤフラム７を構成し、静電容量の他方の電極となる第２の半導体基板２と、第１の半導体基板１と第２の半導体基板２との間に積層されて、第１の半導体基板１と第２の半導体基板２との間に静電容量の容量ギャップとなる空間を形成するガラス基板３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度補償を高精度で行なうことができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された第１のダイヤフラム２５および第１のゲージ抵抗７を有するアクティブゲージ抵抗形成部１０１と、基板１上に形成された第２のダイヤフラム２６および第２のゲージ抵抗７を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２とを備えている。
アクティブゲージ抵抗形成部１０１の第１のダイヤフラム２５および温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２の第２のダイヤフラム２６が共通のポリシリコン膜５より形成されている。ポリシリコン膜５は基板１に接続するために基板１側に延びるアンカー部２１を有している。第１および第２のダイヤフラム２５、２６が互いに同一または対称の構造を有し、かつ第１および第２のゲージ抵抗７が互いに同一または対称の構造を有している。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムが破損しにくく、しかもセンサ感度のばらつきも小さな半導体センサを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板２２とＳｉ薄膜２４をＳｉＯ_２膜２３を介して貼り合わせたＳＯＩ基板の下面に凹部２６を形成する。Ｓｉ薄膜２４の一部が感圧領域であるダイアフラム２５となっている。凹部２６の上面外周部においては、ＳｉＯ_２膜２３がダイアフラム２５の下面外周部を覆っており、凹部２６の上面の外周部を除く領域ではダイアフラム２５の下面が露出している。ダイアフラム２５の下面外周部を覆っているＳｉＯ_２膜２３（補強部２３ａ）は、下面にテーパーを有しており、ダイアフラム２５の外周側からダイアフラム２５の中心部へ向かうに従って、次第に膜厚が薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーに用いた際に、出力のノイズを少なくすることのできる圧力センサー用圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電基体１１の対向する主面１１ａ、１１ｂに電極１３ａ、１３ｂを具備してなり、一方の主面１１ａが外側に凸の球面であり、他方の主面１１ｂが平面であるとともに、主面１１ａ、１３ｂの間に加わる荷重により生じる電荷を測定することを特徴とする圧力センサー用圧電素子を用いる。 （もっと読む）

【目的】従来の単純な樹脂成形金型を用いて低コストでピン跡を塞ぐことができるインサート樹脂成形部品とその製造方法とそれに用いられる樹脂成形金型および圧力センサを提供する。
【解決手段】金属端子２を樹脂成形金型に設置したピン１３で支える場合に、ピン１３の構造を上側の金型１１にも接触するようにすることで、固化した樹脂１にピン跡の貫通孔６を形成する。金属端子２の表側をコーティング材７で被覆するとき、同時にこの貫通孔６を通して、金属端子２の裏面もコーティング材７で被覆する。この方法により、一回のコーティング材７の塗布でインサード樹脂成形部品を裏返しにすることなく、金属端子２の表裏を被覆できて、設備費用や製造コストを下げることができる。 （もっと読む）

【課題】製造時間の短縮化が図れる湿度硬化型部材を含んだ製品の製造方法を提供する。
【解決手段】被着体部材１０、２０として、配置領域３１を構成する少なくとも一部分に水分が吸収された吸湿剤４０を備えたものを用意する工程と、湿度硬化型部材３０を配置領域３１に配置する工程と、配置工程の後に、加熱処理を行い、吸湿剤４０より水蒸気を発生させることによって湿度硬化型部材３０に該水蒸気を供給し、湿度硬化型部材３０を硬化させる工程と、を含む湿度硬化型部材を含んだ製品の製造方法とする。このような製造方法では、湿度硬化型部材３０には、大気中の水蒸気のみではなく、吸湿剤４０からも水蒸気が供給されることになり、従来の製造方法より多量の水蒸気が供給されることになる。このため、湿度硬化型部材３０を硬化させる時間を短縮化することができ、製品の製造時間の短縮化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】水晶等の透明な圧電材料、ガラス材料、その他の透光性を有する基板等の材料に凹所を加工するための方法と、その加工方法を利用したセンサ、振動子等の圧電デバイス、その他の電子デバイスを構成する様々な部品を製造するための方法、及び圧力センサを提供する。
【解決手段】水晶基板３１の表面に耐蝕膜３２を形成しかつパターニングし、露出した水晶基板３１の表面及び残存する耐蝕膜３２の上にドライフィルム３４を成膜し、これを水晶基板３１の裏面から露光しかつ現像して耐蝕膜３２の上にドライフィルム３４のマスク３４ａをパターニングし、水晶基板３１を表面側からブラスト加工して凹所３５を加工し、更にウエットエッチングして所望の凹所３６を形成する。ウエットエッチング加工前の水晶基板３１の厚さをｔ₀としたとき、ウエットエッチングの加工量ｔを０．１μｍ≦ｔ＜ｔ₀に設定する。 （もっと読む）

【課題】外部からの機械的ストレスの影響に左右されず、安定した動作が可能な構造を有する小型の圧力センサ、および低コスト化を図るとともに、簡便な工程で安定して製造可能な圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサ１Ａは、半導体基板からなる基体１３の一面において、その中央域αの内部に該一面と略平行して広がる第一空隙部１４、該第一空隙部１４上に位置する薄板化された領域からなるダイアフラム部１５、該ダイアフラム部１５に配された感圧素子１６、及び、前記基体１３の一面において、該ダイアフラム部１５を除いた外周域βに配され、該感圧素子１６と電気的に接続された導電部１７、を少なくとも備えた圧力センサであって、前記ダイアフラム部１５が配された前記一面とは反対側の前記基体１３の他面が、少なくとも一組以上の凹部１８と凸部１９を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定したセンサ特性が得られる小型の差圧型圧力センサを、簡便な工程で効率よく、かつ安定して作製できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサの製造方法は、第一基板１１の中央域αに第一凹部１４ａを形成する工程、前記第一凹部１４ａの内底部に第二凹部１５ａを形成する工程、前記第一基板１１の第一凹部１４ａが形成された面に第二基板１２を貼り合わせ、該第二基板１２と略平行して広がる第一空隙部１４を形成する工程、前記第二基板１２を薄板化してダイアフラム部１６を形成する工程、前記ダイアフラム部１６に少なくとも感圧素子１７及び導電部を形成する工程、前記第一基板１１の外面をなす前記基体１３の他面側から該第一基板１１を薄板化し、前記第二凹部１５ａに繋がる開口部を形成して、前記第一空隙部１４と前記基体１３の外部とを連通する第二空隙部１５を作製する工程、を少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）