【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】気密空間の気密信頼性が向上されたウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも１つ形成されたパッケージウェハとが常温接合されており、センサウェハとパッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部が、センサウェハとパッケージウェハそれぞれの外表面に形成された蒸着膜若しくは熱酸化膜によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】基準圧室としての空洞を基板の内部に設けることにより、低コスト化かつ小型化を実現可能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】この圧力センサ１は、シリコン基板２を備えている。シリコン基板２の内部には、シリコン基板２の主面に平行な方向に平たい扁平空間４が形成されており、この扁平空間４とシリコン基板２の表面２１との間には貫通孔６が形成されている。貫通孔６にアルミニウム充填体８が充填されて埋め込まれることにより、扁平空間４は、基準圧室として密閉されている。そして、扁平空間４に対してシリコン基板２の表面２１側には、シリコン基板２におけるその表面２１と扁平空間４との間の部分（ダイヤフラム５）の歪み変形により電気抵抗が変化するピエゾ抵抗Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を単一のシリコン基板上に製造することが可能で、これにより製品の小型化と大量生産による製造コストの低減が可能となる。
【解決手段】複合型圧力計の製造方法は、静電容量型隔膜真空計とピラニ真空計を含む複合型圧力計の製造方法であって、エッチングにより、シリコン基板の第一面側に第一溝部と第二溝部を形成する溝形成工程と、シリコン基板の第一面側で第一溝部と第二溝部を覆うように、シリコン基板にガラス基板を接合する接合工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対する信号処理回路の専有面積の削減と性能向上を図る。
【解決手段】従来例ではｐ型の半導体基板の主表面側にｎ型の導電型領謔ェ形成され、当該ｎ型導電型領域にピエゾ抵抗素子並びにCMOS集積回路が形成されていた。このため、ｎチャネル型MOS構造の専有面積が増えてしまうという問題や、ｎ型導電型領域にｐウェル領域を形成するとｐウェルの濃度が高くなり過ぎてｎチャネル型MOS構造の性能が低下するといった問題があった。これに対して本実施形態ではｐ型の半導体基板１の主表面側にｐ型導電型領域（ｐウェル領域）２０が形成され、当該ｐウェル領域２０にピエゾ抵抗素子並びにCMOS集積回路が形成されているため、特許文献１の従来例における上記問題を解決し、半導体基板１に対する信号処理回路Ｂの専有面積の削減と性能向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】製造および動作信頼性の改善と共に必要とされる性能特性をもたらす、シングルチップ上に製造された１つまたは複数のセンサを提供すること。
【解決手段】センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ（１３０）を、エッチング済みデバイスウェーハ（１４２）に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子（１５０）によって検知される。一実施形態では、センサは加速度を測定する。他の実施形態では、センサは圧力を測定する。 （もっと読む）

【課題】使用時の電流ばらつきを抑えながら空乏層の接触を防止する素子構造を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にＮ型ドーパントをイオン注入し、Ｎ＋層を形成する。表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。Ｎ＋層が裏面側の空乏層の広がりを抑止するため、基板の比抵抗を高くしてもピエゾ抵抗の空乏層と接触することがない。例えば、基板の比抵抗を１Ω・ｃｍ以上とすれば、ドーパント濃度は１×１０¹⁶個/cm3以下となり、ピエゾ抵抗のドーパント濃度（例えば１×１０¹⁸個/cm3）に対して少なくなり、基板の比抵抗のばらつき（１Ω・ｃｍ〜１０Ω・ｃｍ程度）が、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきに与える影響は非常に小さくなる。 （もっと読む）

【課題】製造ばらつきの少ない半導体圧力センサを得る。
【解決手段】シリコン基板１０は貫通孔１２を有する。シリコン基板１０上にポリシリコン膜２０が形成されている。ポリシリコン膜２０は、貫通孔１２の上方にダイヤフラム２４を有する。ポリシリコン膜２０上に絶縁膜２２が形成されている。ピエゾ抵抗効果を有するポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が絶縁膜２２上に形成されている。ポリシリコン配線Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４は、ポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をブリッジ状に接続する。ポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２は、ダイヤフラム２４の中央部に配置され、それぞれ並列接続された複数の抵抗を有し、構造及び向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】 占有面積の縮小、容量の増大、ブラウンノイズの低減及び可動部の質量の増大等の二律背反の要請をバランスよく満足して検出精度を向上することができるＭＥＭＳセンサー及びその製造方法並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＭＥＭＳセンサー１０は、固定部２０と、弾性変形部３０と、弾性変形部を介して固定部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部４０と、固定部に第１の方向Ａに沿って配列固定され、第１の方向と直交する第２の方向Ｂに沿って突出する複数の固定電極部５０と、可動錘部より第２の方向に沿って突出形成されて、複数の固定電極部５０にそれぞれ対向して配置され、第１の方向に沿って配列された複数の可動電極部６０とを有する。可動錘部４０は、複数の可動電極部と同一の層に形成され、複数の可動電極部を連結する連結部４２と、複数の可動電極部及び連結部とは異なる層に形成され、連結部に接続された付加錘部４６とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合した能動素子モジュール５とを備え、センサー２は、ピエゾ抵抗素子２９Ｘ，２９Ｙ，２９Ｚに電気的に接続し可動機能領域２Ａの外側に位置する端子３１を有するセンサー本体３と、センサー本体３の枠部２３に接合された保護用蓋部材４と、を有し、能動素子モジュール５は、複数の貫通電極５３と、センサー２の可動機能領域２Ａを囲むように配設された絶縁性樹脂部材５４と、所望の貫通電極５３に接続し、かつ、絶縁性樹脂部材５４上まで達しているコンタクト電極５５とを有し、コンタクト電極５５がセンサー本体３の端子３１と接触した状態で、絶縁性樹脂部材５４がセンサー２と能動素子モジュール５とを接合している。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の結晶欠陥に起因する貫通孔を抑制した積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光学式圧力センサなどの光学装置の検出精度および製造効率を高める。
【解決手段】光学式圧力センサ１は、シリコン基板２の一方の基板面に形成された光導波路３と、他方の基板面に形成された受圧室５と、この受圧室５の底部に形成されたダイアフラム６とを備える。つまり、１つのシリコン基板に光導波路３、受圧室５およびダイアフラム６が一体形成されている。これにより、受圧室５に流入した流体の圧力により、ダイアフラム６が上下方向などに変位すると、その変位が正確かつ直接的にブラッググレーティング４に伝達される。従って、流体の圧力を高精度に、かつ、応答性良く検出することができる。 （もっと読む）

【課題】基板接合強度及びダイアフラムの耐圧限界を高める半導体圧力センサの製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板のキャビティ側の面に、縦横２列で隣接する４つのキャビティの中央にそれぞれ位置させて所定深さの内基準穴を形成してから鏡面加工を施すことによって、その表面高さが最大かつ均一となった接合面を形成する。そして、この接合面を介して半導体基板とベース基板を接合し、これら基板をチップ単位にダイシングして個々の半導体圧力センサを得る。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の調整が容易な半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板上に所定間隔で形成された配線層と、前記シリコン基板上及び前記両配線層上に形成されたパッシベーション膜と、前記両配線間の前記パッシベーション膜上に形成された抵抗体層と、前記抵抗体層上に形成された、各配線層と抵抗体層とを導通する電極層とを備え、前記抵抗体層上に、前記両電極層間における該抵抗体層の平面的な大きさを決める絶縁バリア層を形成した。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。
【解決手段】シリコン基板１の一端面側に形成された酸化膜（またはシリコン窒化膜）２表面に対し膜成長によってポリシリコン膜３が形成される。また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。そして、前記シリコン基板１他端面側からエッチングされて形成され前記酸化膜におけるピエゾ抵抗素子７の位置に対して、ダイアフラム１０１が形成される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低くしつつ、傷から保護されるセンサデバイスを提供すること、およびこのようなセンサデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】成形体と成形体上に被着されているピエゾ抵抗センサ層とを有しており、ピエゾ抵抗センサ層は少なくとも１つの金属並びに炭素または炭化水素を含んでおり、ピエゾ抵抗センサ層上で薄膜パッシベーション層およびコンタクト層が省かれる、センサデバイス。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

工業プロセストランスミッタ装置（２０、２０’、２０”）は、第１の金属材料のハウジングシャーシ（５０、５０’、５０”）と、第２の金属材料のハウジング外板（５２、５２’、５２”）とを備える。ハウジングシャーシは、略円筒形の本体部（５４）と、ハウジングシャーシの本体部の第１の端部（５６）またはその付近に位置する第１の周方向に延びる支持部材（６０）と、ハウジングシャーシの本体部の、第１の端部と反対側の第２の端部（５８）またはその付近に位置する第２の周方向に延びる支持部材（６２）とを備える。第１の周方向に延びる支持部材は、本体部から半径方向外側に延び、第２の周方向に延びる支持部材は、本体部から半径方向外側に延びる。ハウジング外板は、ハウジングシャーシに嵌合し、第１および第２の周方向に延びる支持部材の両方に物理的に接触する。ハウジング外板は、第１および第２の周方向に延びる支持部材間でハウジングシャーシから離間している。
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【課題】気密室の内圧のばらつきを抑制しながらも、小型化が可能な気密構造体の製造方法および気密構造体を提供することにある。
【解決手段】気密構造体の製造方法は、シリコン基板により形成され且つ厚み方向の一面側に凹部１ａが形成された第１の基板１と、ガラス基板からなり且つ一表面２ｃに固着ベース３が形成された第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に形成され且つ内部が気密に保たれた気密室Ｃとを備える気密構造体の製造方法であり、第２の基板２に排気孔２ａを形成し固着ベース３に貫通孔３ａを形成した後に、第２の基板２が第１の基板１の前記一面側を覆う形で第２の基板２と第１の基板１における凹部１ａの外周部とを減圧下の真空中で陽極接合により接合し、その後、第２の基板２の排気孔２ａおよび貫通孔３ａを封止するための封止用部材４を真空中で固着ベース３に固着する。 （もっと読む）