【課題】生産性を向上させることが可能な複合基板の製造方法、及び複合基板の製造装置の提供。
【解決手段】複合基板１の製造方法は、シリコン基板１０の第１主面１１に少なくとも１つの第１凹部１２を形成する工程と、シリコン基板１０の第１主面１１にガラス基板２０を接合する工程と、シリコン基板１０の第１主面１１とは反対側の第２主面１３に、少なくとも一部が第１凹部１２と連通する複数の第２凹部１４を形成する工程と、ガラス基板２０を加熱して粘性流動状態にすると共に、シリコン基板１０の第２主面１３側から吸引し、ガラス基板２０を第１凹部１２及び第２凹部１４に充填する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度変化率の増大を抑制することができる圧力検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力検出素子の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１ａ側に凹部４を有する第１の基板１に、第１の基板１の凹部４を覆うように主表面１ａ側に積層された第２の基板２が接合される。積層方向から見て第２の基板２の凹部４と重なる部分に、第２の基板２の歪みを検出するための歪検出素子５が形成される。歪検出素子５に接するように電気配線７が形成される。電気配線７が形成された後に、歪検出素子５の電気配線７と接する箇所が還元されるように水素雰囲気で熱処理される。熱処理の終了時における水素分圧は０．４気圧以下である。 （もっと読む）

【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供する。
【解決手段】絶対圧力センサ１は、ダイアフラム１１の周縁に複数のピエゾ抵抗１２・１２子を形成し、該ピエゾ抵抗１２・１２の形成面とは反対側の面にキャビティ１３を形成したセンサ基板１０に、キャビティ１３を閉じるようにキャップ基板２０を接合してなる。キャビティ１３の厚みＴ２は、キャップ基板２０の厚みＴ３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる、センサ装置を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、実装基板１２と、半導体圧力センサ１１と実装基板１２との間に挟まれたレジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄとを備え、半導体圧力センサ素子１１と実装基板１２がワイヤボンディングされる、圧力センサ装置であって、レジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、半導体圧力センサ素子１１の取り付け面１１ａ１とダイボンド樹脂１５によって接着される被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１を有し、被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１の総面積が、取り付け面１１ａ１の総面積よりも小さいことを特徴とする、センサ装置。 （もっと読む）

【課題】安定に作製ができ、特性も安定で良好である振動式圧力センサおよびその製造方法を実現すること。
【解決手段】 半導体基板に形成された梁状の振動子を真空室内に配置し、前記振動子に加わる歪みの大きさを前記振動子の共振周波数の変化として検出する振動式圧力センサにおいて、前記振動子を覆うように前記半導体基板の一方の面上に配置されて空隙部を形成するシェル部と、このシェル部を覆うように前記半導体基板の一方の面上に減圧化学気相成長法により形成されて、前記空隙部が真空となった前記真空室を形成する封止め部を備え、前記半導体基板は、前記一方の面が略平面状に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの破壊耐圧を向上させることのできる半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【解決手段】厚さ方向の一面に開口する凹部２が形成された第１半導体基板３と、第１半導体基板３の一面と相対して配置される第２半導体基板４と、第１半導体基板３と第２半導体基板４との間に介装され、凹部２と第２半導体基板４との間を連通する貫通穴５が形成された第１酸化シリコン膜６と、を備え、貫通穴５及び凹部２の開口と相対する側から見て、貫通穴５の縁部の少なくとも一部が、凹部２の開口縁部の内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造および動作信頼性の改善と共に必要とされる性能特性をもたらす、シングルチップ上に製造された１つまたは複数のセンサを提供すること。
【解決手段】センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ（１３０）を、エッチング済みデバイスウェーハ（１４２）に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子（１５０）によって検知される。一実施形態では、センサは加速度を測定する。他の実施形態では、センサは圧力を測定する。 （もっと読む）

【課題】基板接合強度及びダイアフラムの耐圧限界を高める半導体圧力センサの製造方法を得る。
【解決手段】先ず、半導体基板に、圧力感応抵抗素子を形成した面とは反対側の面に位置させて、キャビティを形成する。次に、半導体基板のキャビティ側の面に、基板接合時にベース基板との間に隙間を生じさせる溝をダイシングストリートに沿って形成した後、鏡面加工を施す。この鏡面加工により、半導体基板の厚さがキャビティ側端部及び溝側端部よりも該端部の間に位置する中間部で大きくなる、湾曲形状の接合面を形成する。そして、この湾曲形状の接合面を介して半導体基板とベース基板を接合した後、これら基板をチップ単位にダイシングし、個々の半導体圧力センサを得る。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムの耐圧限界が高い半導体圧力センサを得る。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０の第２のシリコン基板１２にキャビティー２０が形成され、第１のシリコン基板１４によってダイアフラム２１が形成され、前記キャビティー２０を形成する第２のシリコン基板１２にベース基板３１が接合される半導体圧力センサであって、前記キャビティー２０を形成する前記第２のシリコン基板１２とベース基板３１との接合界面に、テーパ面１３ｂを形成して隙間を設けた。 （もっと読む）

【課題】水素圧力センサにおいて、その構成部材に水素が浸透することによる検出誤差を低減することを目的とする。
【解決手段】検出基材１０は、筒形状部１６、および筒形状部１６の一端の開口を塞ぐダイアフラム１８を備えて構成される。検出基材１０は、筒形状部１６を周回側壁としダイアフラム１８を底壁とする容器形状をなし、その容器形状の内側壁面が受圧孔２２を形成する。水素圧力センサは、水素配管に設けられた開口に検出基材１０の開口が合致するよう、水素配管に固定される。ダイアフラム１８には、周辺縁面からダイアフラム１８の中心に向かって延伸する複数の壁面方向孔２４が開けられる。ダイアフラム１８のセンサ外側壁面には、接着用ガラス層１２を介して半導体歪みゲージ１４が固定される。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高性能の圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ３０は、開口部１ａを有する第１半導体層１と、第１半導体層１上に形成され、ダイアフラム４となる凹部１２を有する第２半導体層３と、を有するセンサチップ１０と、開口部１ａに連通する圧力導入孔１７を有し、センサチップ１０に接合される台座１１と、を備える。第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。第１半導体層１の開口部１ａは、第２半導体層３側の開口径が、台座１１側の開口径よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】可動部の破損を防止し、耐久性に優れたＭＥＭＳセンサを得る。
【解決手段】機械的に動作可能な可動部とこの可動部の変位を電気的に検出するセンサ素子を形成したセンサチップ基板を、可動部との間に空隙を設けてベース基板に接合してなるＭＥＭＳセンサにおいて、基板接合面に、可動部の外周の一部に沿って凹部を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出せる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側の他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成し、一端が他面に露呈し他端が一面に露呈するように、第一ウェハ基板を貫通する第二導電部１４からなる貫通電極を複数形成する。センサ回路２５とこれに接続された第一導電部２６とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向し、第二導電部の一端と第一導電部とが接続されるように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化した後、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつ、ダイシングする。 （もっと読む）

【課題】半導体センサの小型化を達成すると共に、センサ素子からの信号を容易に外部へ取り出すことができる半導体センサを、簡易な工程で安定して製造する。
【解決手段】集積回路１２が複数配された一面を有する第一ウェハ基板１０を用い、該一面と反対側に位置する他面に、集積回路間と同様の間隔を設けて凹部１３ａを複数形成する。センサ回路２５と、該センサ回路に電気的に接続された第一導電部と、該第一導電部に一端が電気的に接続され他端が板厚方向に延設された第二導電部とからなる構造体が複数、集積回路間と同様の間隔を設けて、予め配置された第二ウェハ基板２０を用い、センサ回路と凹部とが個別に対向するように、第一ウェハ基板と第二ウェハ基板とを重ね合わせる。他面側から第二ウェハ基板を薄肉化し、第二導電部の他端を露呈させて貫通電極を形成する。第一ウェハ基板と第二ウェハ基板を、重ね合わせた状態を保ちつつダイシングする。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの低背化を実現する。
【解決手段】半導体圧力センサ１が、エッチングによって形成された凹部２１を表面に有する第１半導体基板２と、この第１半導体基板２の表面に貼り合わせられ、当該第１半導体基板２の凹部２１に対応する部分がダイヤフラム部３１として機能する薄膜化された第２半導体基板３とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】放電が発生することを抑制可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】参照電極８ａ及び固定電極８ｂは、二酸化珪素(SiO₂)や窒化珪素(SiN)等の絶縁材料９内に埋設されている。このような構成によれば、Ｓｉ基板１とガラス基板４とを接合する際に固定電極８ｂとダイヤフラム部７間に電位差が発生することにより、放電が生じることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電流リークが発生することを抑制可能な圧力センサを提供する。
【解決手段】金属膜１１とＳｉ基板３とを電気的に分離するように形成された気密空間１３内の絶縁膜１２は気密空間１３の側壁まで延伸している。従来の圧力センサでは、この絶縁膜１２は気密空間１３の側壁まで延伸していることはなく、ダイヤフラム部７表面上には絶縁膜１２は形成されていなかった。このため従来の圧力センサによれば、Ｓｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離が不十分であるために電流リークが発生することがあった。これに対し本実施形態では、上述の通り、気密空間１３の両側壁部まで絶縁膜１２を延伸させることによりＳｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離を長くしているので、電流リークが発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサにより、血管内の圧力測定を可能とし、補助人工心臓による補助効果並びに心機能の診断を容易にする。
【解決手段】血管内圧力測定用半導体圧力センサ２０、４０において、半導体基板２２に形成された、血管１０内に露出されるダイヤフラム２４と、該ダイヤフラム２４の血管壁側に形成された真空室２８と、前記ダイヤフラム２４上に形成された複数の感圧抵抗素子Ｒ１、Ｒ２と、血管１０内の圧力によるダイヤフラム２４の変形によって生じる感圧抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の変化を検出するための手段（測定回路３０）とを備え、血管１０内の絶対圧力を検出可能とする。 （もっと読む）