【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックな特徴的パラメータを計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックな特徴的パラメータを得る。この特徴的パラメータをデータベース内の特徴的パラメータと適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】膜厚測定を行ったとしても、被検査体に形成された薄膜の品質が劣化することを防ぎ、次に続く工程や実際の最終製品においても被検査体を使用できるようにする膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】測定室Ｍ内において被検査体Ｅの膜厚を測定するものであって、前記測定室Ｍの外側に形成された送風経路Ｓと、前記測定室Ｍに形成され、前記送風経路Ｓの一端が接続される流入口Ｍ１と、前記流入口Ｍ１に設けられたフィルタ３３と、を備えており、前記送風経路Ｓに非反応性ガスを導入する導入口３５を設けた。 （もっと読む）

【課題】試料の測定対象領域に亘って各層の膜厚または光学定数を容易に算出することが可能な光学測定装置を提供する。
【解決手段】第１測定手段は、記憶した一の第１基準位置に計測位置を移動した後、光の偏光状態を測定する。補助測定手段は、記憶した一の第１基準位置に対する移動量に基づく補助基準位置に計測位置を移動した後、光の偏光状態を測定する。第１算出手段は、記憶部１５に記憶した第１基準位置に対応する第１モデル及び第１測定手段により測定した光の偏光状態に基づきフィッティングを行い、膜厚または光学定数を算出する。同様に、補助算出手段は、記憶部１５に記憶した補助基準位置に対応する補助モデル及び補助測定手段により測定した光の偏光状態に基づきフィッティングを行い、膜厚または光学定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】ＳＷＴプロセスにおいて、パターン形状を高精度で検査可能なパターン形状検査方法、及び半導体装置の品質を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に周期的に形成された第１のパターンの側壁を被覆する側壁部よりなる第２のパターンの断面形状を検査するパターン形状検査方法であって、第２のパターンが形成された基板に入射光が回折反射される反射光の振幅比スペクトル及び位相差スペクトルよりなる測定データを得る測定ステップＳ２１と、前記側壁部の断面形状を決定する形状パラメータが異なる複数の断面形状モデルについて、計算上の振幅比スペクトル及び位相差スペクトルよりなる複数の計算データを計算し、計算データが第２のパターンの測定データと最もマッチングするように形状パラメータを決定することによって、第２のパターンの断面形状を決定する決定ステップＳ２２〜Ｓ２５とを含むことを特徴とするパターン形状検査方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの線幅を含んだパターン情報を求めるにあたり、そのパターン情報の精度を向上させることができる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】下地膜を形成するときの処理パラメータに応じて基板面内の下地膜の膜厚分布を求める手段と、光照射部の照射領域から反射された光を受光する受光部が受光した光についてその波長と光強度との関係を示す光強度分布を取得する手段と、レジストパターンのパターン情報と、下地膜の膜厚と、前記光強度分布とを対応付けたデータが記憶された記憶部と、前記光照射部の光の照射位置における下地膜の膜厚を前記膜厚分布から求め、その下地膜の膜厚と取得した光強度分布とに対応するパターン情報を前記データに基づいて求める手段と、を備えるように塗布、現像装置を構成し、膜厚分布によるパターン形状の測定誤差を抑える。 （もっと読む）

【課題】エリプソメータを用いた膜厚計測方法及び膜厚計測装置において、膜形成前後の計測位置の位置ずれを回避する。
【解決手段】レーザ光出射部１３と試料１０との間に減光フィルタ１５を挿入して試料１０の表面におけるレーザ光の投影光の中心を判定し、レーザ光が所定位置に照射されるようにする。その後、減光フィルタ１５を退避させ、試料１０の表面の偏光状態を計測する。次に、試料１０の面上に薄膜を形成した後、レーザ光出射部１３と試料１０との間に減光フィルタ１５を挿入して試料１０の表面におけるレーザ光の投影光の中心を判定し、レーザ光が所定位置に照射されるようにする。その後、減光フィルタ１５を退避させ、試料１０の表面の偏光状態を計測する。次いで、薄膜形成前後における偏光状態の変化から、薄膜の厚さを求める。 （もっと読む）

方法は、試験対象物をモデル化するための異なるモデルパラメータに対応した複数のモデル信号の各々と、試験対象物の位置に対して得られた走査干渉法信号とを比較することを有する。各モデル信号に対して、比較することは、走査干渉法信号とモデル信号の間の相関関数を算出し、走査干渉法信号とモデル信号の間の表面高さオフセットを特定すること、および、特定した表面高さオフセットに基づいて、共通の表面高さに対する、走査干渉法信号とモデル信号の間の類似点を表わす高さオフセット補正済メリット値を算出することを有する。本方法は、異なるモデル信号に対する各々のメリット値に基づいて、試験対象物の位置での試験対象物パラメータを判定することをさらに有する。
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【課題】振動・衝撃発生位置を特定可能にした光ファイバによる振動・衝撃位置検知装置を提供する。
【解決手段】２つの光学系３Ａ、３Ｂで共用する第２光ファイバＦ２上でのみ、振動・衝撃によって発生した光波の偏波変動を検知する。つまり、第２光ファイバＦ２のみが振動・衝撃を検知する検知線となっている。第２光ファイバＦ２に加わった外力は、これを互いに逆方向に伝搬する第１光波と第２光波の両方に偏波変動を同時に発生させ、第１光波、第２光波に生じる偏波変動Ａ波、偏波変動Ｂ波は、第１受光器２Ａ、第２受光器２Ｂに個別に入射し、電気信号に変換される。これにより、偏波変動Ａ波と偏波変動Ｂ波を分離して検出できる。また、両受光器２Ａ，２Ｂの出力に基づき両偏波変動波の到達時間差Δｔを計測することで、振動・衝撃発生位置の特定が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板位置検出装置において、装置の大型化を抑制しつつ高速かつ高精度な位置検出を実現する。
【解決手段】膜厚測定装置の基板位置検出装置では、撮像部５１の撮像素子５１１による基板９上の撮像領域が、位置検出部５の撮像部回転機構５２により回転される。これにより、基板９を保持するステージを回転する機構を設けることなく、基板９のエッジ９２を周方向の複数の撮像位置において容易に撮像して基板９の位置を検出することができる。その結果、基板を水平方向に移動する機構の上に基板を回転させる機構を設ける従来の装置に比べて、膜厚測定装置の基板の位置検出に係る構造の大型化を抑制することができるとともに高速かつ高精度な基板９の位置検出を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】陰影領域について高精度に法線情報を生成することができる法線情報生成装置等を提供する。
【解決方法】被写体の表面における法線情報を生成する法線情報生成装置１００であって、被写体からの光の輝度に関する情報である輝度情報及び被写体からの光の偏光に関する情報である偏光情報を含む被写体画像に関する情報を取得する画像情報取得部１１０と、画像情報取得部１１０で取得された輝度情報及び偏光情報に基づいて、光の当たり方によって被写体の表面に生じる陰領域、及び、被写体によって光が遮断されたことによって他の物体上に生じる影領域を、被写体画像から抽出する陰影領域抽出部１２０と、陰影領域抽出部１２０で抽出された陰領域について、画像情報取得部１１０で取得された偏光情報を用いて、対応する被写体の表面での法線を特定する法線情報を生成する法線情報生成部１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】歪みゲージの配線を不要とし、且つ従来の光学的手法により、従来技術より遙かに高精度に歪みを測定でき、また特定の方向の歪みにのみ感度を有するようにしたことで歪みの方向が特定できることを可能にする光学的歪測定素子および光学的歪測定装置などを提供すること。
【解決手段】入射光の波長以下の大きさの金属微小体を複数用いて前記金属微小体の大きさよりも小さい間隔で並べた金属微小構造体が配列された光学式歪測定素子。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、薄膜試料の温度を広い範囲に連続的に変化させながら、前記薄膜試料の偏光パラメータ（Ψ、Δ）を測定することにより、特定の圧力および温度において、前記薄膜試料の膜厚L、屈折率n、消衰係数k等の物性を求め、ナノ空孔の量と大きさや比表面積、熱膨張率、分解脱離に伴う熱光学特性などの評価を目的とした、圧力温度可変偏光解析測定方法を提供することである。
【解決手段】偏光解析装置において、光学的に透明な窓を設けた試料評価室内に試料を配置し、該窓には、該試料評価室内の気体圧力と温度を変化させても、試料台に載置された試料に照射する入射光に対して垂直な光学面、および、試料から反射する反射光に対して温度を変化させても垂直な光学面が設けられていることにより、種々の圧力をもつ所定の雰囲気中において、種々な温度における試料の屈折率、消衰係数又は膜厚を求めることを可能とした偏光解析装置である。 （もっと読む）

【課題】分光エリプソメータにおいて基板の傾斜角を測定するとともに小型化する。
【解決手段】分光エリプソメータ１の照明部３は測定用光源部３１および補助光源部３４を有し、補助光源部３４からの補助光は測定用光源部３１からの光と共にポーラライザ３２を介して基板９上へと導かれる。基板９にて反射された補助光はアナライザ４１を介して遮光パターン撮像部４４にて受光され、遮光パターンの像が取得される。演算部５では、遮光パターンの像に基づいて基板９の傾斜角が求められ、傾斜角を利用しつつ偏光解析が行われる。分光エリプソメータ１では、基板９の傾斜角を測定するための光学系の一部と、偏光状態を取得するための光学系の一部とが共有されるため、小型化可能とされる。 （もっと読む）

【課題】 パターン付き半導体ウェハにおいて、比較画像データと検査対象画像データを比較して違いがあれば欠陥があると判定し、検査対象物のパターンの形成状態またはパターン上の異物付着やキズなどの不良を検出する外観検査方法において、薄膜の膜厚分布が大きく変動すると半導体ウェハ上の各チップの濃淡画像は変わってしまうため、パターン異常や異物付着やキズが無くても、不良と誤検知する問題があった。
【解決手段】 ウェハ内の特定の場所の薄膜の膜厚とチップ内の各標本区間の階調値との関係を予めテーブルとして持っておき、検査するウェハ内の特定の場所の薄膜の膜厚をチップ検査を行う前に測定し、その測定された膜厚とテーブル内の階調値とを比較することにより、検査に最適なしきい値を決定し、そのしきい値に基づいて、各チップの外観検査を実施する。 （もっと読む）

【課題】対象物上の膜内の応力を容易かつ迅速に求める。
【解決手段】応力測定装置１では、対物レンズ４５７を介して基板９に照射した光の反射光を遮光パターン撮像部４３により受光することにより、光学系４５の開口絞り部４５３に配置された遮光パターン４５３ａの像が取得される。制御部５では、遮光パターン撮像部４３からの出力に基づいて、複数の傾斜ベクトル測定領域における基板９の傾斜ベクトル、および、基板９の表面形状が求められ、表面形状に基づいて求められた曲率半径、膜厚および基板９の厚さに基づいて膜内の応力が求められる。応力測定装置１では、対物レンズ４５７からの光が基板９上においてほぼ平行光となっているため、基板９上の各傾斜ベクトル測定領域においてフォーカス調整なしに測定を行うことができ、基板９の表面形状を容易かつ迅速に求めることができる。その結果、基板９上の膜内の応力を容易かつ迅速に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】直交表を用いた形状測定において理論波形情報と測定波形情報との適合度が飽和する場合であっても、対象物の微細な表面形状を精度よく求める。
【解決手段】基板の表面形状モデルを表す複数のパラメータに関する直交表が準備された後、比較演算部５３では、基板上の測定領域における光学特性と波長との関係を示す測定波形情報と直交表の各行に対応する理論波形情報との適合度を求めて水準値の一の組合せを選択する処理が行われる。パラメータ値決定部５４では選択された組合せを基準として直交表を更新しつつ比較演算部５３における当該処理を更新後の直交表に対して繰り返させ、最大となる適合度が飽和する場合に、長さに関する一のパラメータを選択し、当該長さを分割した新たな表面形状モデルを生成して、新たな直交表が演算対象として生成される。これにより、基板の微細な表面形状を精度よく求めることが実現される。 （もっと読む）

【課題】微細構造を有する構造物について非破壊でかつ短時間にその微細構造を推定でき、更にその微細構造の分布を知ることが可能な微細構造物の構造推定方法及び構造推定装置を提供する。また、微細構造を有する構造物を成形するための成形金型を効率的に製造可能な成形金型の製造方法を提供する。
【解決手段】この微細構造物の構造推定方法は、微細構造を有する被測定物の複屈折を測定系により測定し、その測定結果を用いて位相差を演算し、その演算された位相差データに基づいて微細構造を推定する。 （もっと読む）

本出願は画像を記録するための新しい方法を開示する。本出願は、多くの科学分野及び技術分野における顕微鏡検査及び表面分析に関する。特に、本出願は、マイクロエレクトロニクス、すなわち、パターン化されていないウェハ、パターン化されたウェハ、及びフォトマスクで使用される表面の画像化及び検査に関する。本出願は、電気振幅を記録するという意味で、ホログラフィに関する。用途には、顕微鏡検査、欠陥検査、光波散乱計測、及び光学計測が含まれる。
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【課題】短時間で高精度の測定が可能な光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置を提供する。
【解決手段】被測定物１０にレーザ光２を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも１個の光源１と、被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段１３と、光源より発光されたレーザ光を被測定物に導き、また被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段へ導く光学系と、検出手段が検出した受光量情報から被測定物の光学特性を演算する制御手段１４とから構成したもので、同時に複数のデータが取得できるため、計測時間の大幅な削減が図れると共に、データを取得する際に発生する電気的ノイズの低減が図れるため、高精度の計測が可能になる。 （もっと読む）