本発明は異常、例えば汚染粒子または欠陥に関してサンプル（例えばリソグラフィのパターニングデバイスまたはマスク）を検査するための検査装置および方法に関し、前記装置はサンプルを支持するための支持構造と、サンプルに放射ビームを放射するように構成されて配置された放射システムと、サンプルから反射される放射をディテクタで検出するように構成されて配置された検出システムとを含み、放射システムおよび検出システムに第１および第２のポラライザがそれぞれ設けられる。
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【課題】 広帯域偏光解析器／偏光計システム及びミュラー行列の偏光測定の方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、多色光ビーム（１２）を発する照明光源（５）と、固定された直線偏光板（１３）と回転ホルダ（１４）上に装着された実質的に色収差を補正した位相差板（２１）とを含む偏光状態発生器（ＰＳＧ）（６）と、サンプルホルダ（３）と、固定された直線偏光板（２０）と回転ホルダ（１９）上に装着された実質的に色収差を補正した位相差板（２２）とを含む偏光状態解析器（ＰＳＡ）（１０）と、ＰＳＡ（１０）を透過した光ビームの各波長での強度を測定する１次検出システム（１１）と、ビームをＰＳＧ（６）内及びＰＳＡ（１０）内に視準し、かつサンプル表面（８）及び検出器（１１）内にビームの集束させる光学器械とを含む、サンプル（８）を解析するための広帯域偏光解析器／偏光計システムに関する。本発明によれば、ＰＳＡ（１０）内の直線偏光板（２０）及び実質的に色収差を補正した位相差板（２２）は、ＰＳＧ（６）の直線偏光板（１３）及び実質的に色収差を補正した位相差板（２１）と同一であるが、逆順に装着されており、回転ホルダ（１４、１９）は、ステッパモードで作動して位相差板（２１、２２）に対して１組の４つの選択された方位角度を可能にし、この４つの選択された方位角度は、ＰＳＧ（６）及びＰＳＡ（１０）とそれぞれ関連する変調行列及び解析行列の条件数を０．２よりも大きく維持するように最適化されている。 （もっと読む）

【課題】試料表面各点の偏光解析パラメータを高精度且つ高速に求めることができる偏光変調型イメージング・エリプソメータを提供すること。
【解決手段】所定周波数で強度が時間的に変化する光を放射する光源部と、コリメータ、偏光子、及び光源部からの光を変調し、ｐ偏光およびｓ偏光の位相差を正弦関数的に変化させて試料に照射する光弾性位相変調子を有する入射光学部と、試料を反射または透過した光の偏光状態を検出する検光子、及び検光子からの光を電気信号に変換する二次元検出器を有する射出光学部と、光源部及び光弾性位相変調子を同じ周波数で動作するように制御する制御・解析部とを備え、光源部が、光弾性位相変調子の動作クロックに対して所定の時間遅れを有する測定光を逐次発生し、制御・解析部が、各点における偏光解析パラメータを、二次元検出器の出力信号と標準試料を用いて予め求めた校正値とを用いて計算する。 （もっと読む）

【課題】 その場計測における計測利便性とほぼ同等、かつその場計測よりも高い計測精度のインライン計測による偏光解析を実現する。
【解決手段】
試料を処理するプロセスチャンバにつながるプレチャンバ２０６の内部に、前記プレチャンバ２０６に移動した試料２０１へ光を入射する光源部２０２と、前記試料２０１からの反射光を受光する受光部２０３とを有し、前記受光部２０３からの反射光の情報を処理する処理部２０４を有し、前記試料２０１の物性値を計測する、インライン計測型の偏光解析装置により解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 セル厚、弾性定数及び極角アンカリング強度の高精度な同時測定を可能とする液晶の物性測定方法および測定システムを提供する。
【解決手段】 ハイブリッド配向液晶セル１のΔ_AnEをラビング方向に略垂直な面内の２以上の入射角で測定し、シミュレーション計算値とのフィッティングにより平行配向膜１３A側（下側）、垂直配向膜１２A側(上側)のプレチルト角θ₀、θ_d、セル厚ｄ、及び弾性定数比κを決定し、その結果に基き平行配向膜側及び垂直配向膜側の極角アンカリング強度Ｂ₀、Ｂ_dを算出する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板表面上の薄膜の厚さを、分子汚染に伴う問題を回避するとともにシステムの複雑性を伴うことなく高精度で測定する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）基板などの多層構造基板の上の薄膜について単一波長偏光解析（ＳＷＥ）を行うこのシステムは、上記多層構造基板の表面層の厚さ以下の吸収距離を有する測定用ビームを用いる。例えば、ＳＯＩ基板の場合は、上記表面シリコン層の厚さ以下の吸収距離をもたらす波長をもつように測定用ビームを選ぶ。このシステムには、スループットを損なうことなく測定の精度を高めるように同時並行クリーニング動作を行うクリーニング用レーザを備えることができる。測定用ビーム源は、測定用ビームの吸収距離が前記表面層の厚さ以下になりクリーニング用ビームの吸収距離がその表面層の厚さ以上になるように、測定用ビームを一つの波長で、クリーニング用ビームをそれよりも大きいもう一つの波長でそれぞれ生ずるように構成する。
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システム（１００）が開示され、当該システムは、（ｉ）検査電磁光線を検査表面（１２４）に、かつ基準電磁光線を基準表面（１２２）に振り向け、次にこれらの電磁光線を合成して干渉パターンを形成するように構成される干渉計であって、電磁光線が共通光源（１０２）から放出される構成の干渉計と、（ｉｉ）マルチエレメント検出器（１３４）と、（ｉｉｉ）干渉パターンを検出器（１３４）に結像させて検出器（１３４）の異なる要素が、検査表面（１２４）を照射する検査電磁光線の異なる照射角に対応するように構成される一つ以上の光学系（１３Ｓ）と、を含む。検出器要素が行なう測定によって、検査表面（１２４）に関する変更解析／反射率データが供給される。開示するシステム（１００）は更に、異なるモード（例えば、形状測定モード）で動作するように再構成することができ、これらの異なるモードでは、検出器（１３４）の異なる要素は検査表面（１２４）の異なる位置に対応する。
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【課題】レジストパターン、エッチング後のパターンに関わらず、被検査基板上のパターン形状の良否を短時間で判別することができる表面検査装置および表面検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被検基板に形成されたレジスト層に露光する工程を含む所定のパターン形成工程を経て形成された周期性を有するパターンを直線偏光光により照明する照明手段と、 前記直線偏光の振動面と前記パターンの繰り返し方向とが斜めになるよう前記被検基板の方向を設定する設定手段と、前記パターンからの正反射光のうち、前記直線偏光の振動面に垂直な振動面を有する偏光成分を抽出する抽出手段と、前記抽出された光に基づいて前記基板表面の像を形成する像形成手段とを有し、前記像形成手段で形成された前記基板表面の像の光強度に基づいて前記パターンの形成工程におけるパターン形成条件を特定することを特徴とする表面検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、スペクトルの透過および／または反射の測定によって光学層または層組織の物理的特性を決定するための方法に関する。
【解決手段】 スペクトルの透過および／または反射の測定に従って、波長に依存する屈折率ｎ₀および／または消衰係数ｋ₀に関する基準値が既知の値から選択されるかまたは実験的に求められ、層を特徴付ける変分は、屈折率および吸光係数に関する波長依存変分定数Ｋ_nおよびＫ_kにより記述される。 （もっと読む）

【課題】例えば、半導体製造プロセスやＦＰＤ製造プロセス等におけるインライン計測に好適なエリプソメトリ方式の薄膜計測装置を提供すること。
【解決手段】投光側光学系には、光源（２１）と、コリメータレンズ（２２）と、偏光子（２３）と、回転式移相子（２４）と、スリット板（２０）と、集光レンズ（２５）とが含まれる。受光側光学系には、コリメータレンズ（２６）と、検光子（２７）と、傾斜膜（２８）と、一次元ＣＣＤ（２９）とが含まれる。コリメータレンズ（２６）と一次元ＣＣＤ（２９）の受光面とは平行であり、かつそれらの距離はほぼレンズ（２６）の焦点距離（ｆ）とされる。それにより、距離バタツキ及び角度バタツキに対する耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 統計的推論関数を用いた基板パターンの検査方法を提供する。
【解決手段】 複数の基準用基板上に形成された各基準パターンに対応する光信号データと各基準パターンに関するパターン特性データをそれぞれ保存して光信号群及びパターン特性群を生成し、光信号群とパターン特性群との統計的推論関数を生成する。検査対象パターンが形成された検査用基板上に検査光を照射して、検査対象パターンから反射される検査用光信号データを生成する。検査用光信号データと統計的推論関数を用いて検査対象パターンに関するパターン特性値を推論し、推論されたパターン特性値が許容誤差の範囲に含まれるか否か検査する。誤差範囲から外れるパターンに関する光信号データ及び実測パターン特性データは光信号群及びパターン特性群として保存され、統計的推論関数を更新する。
【効果】 低費用で迅速にパターンを検査する。 （もっと読む）

半導体ウエハ上に形成された構造のプロファイルの決定に使用する１つ又は複数のシミュレート回折信号を生成可能であり、そのプロファイルが複数の次元において変化する。中間計算値が、第１次元及び第２次元における構造の仮想プロファイルのバリエーションに対して生成され、ここで各中間計算値は構造の仮想プロファイルの一部に対応する。そして、生成された中間計算値は保存され、構造の１又は複数の仮想プロファイルについての１又は複数のシミュレート回折信号の生成に使用される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、オーバレイマークと、オーバレイ誤差を決定する方法とに関する。本発明の一態様は、連続的に変化するオフセットマークに関する。連続的に変化するオフセットマークは、位置の関数として変化するオフセットを有する周期構造を重ね合わせた１つのマークである。例えば、周期構造は、ピッチなどの格子特性に関する値が異なる格子に対応してよい。本発明の別の態様は、連続的に変化するオフセットマークからオーバレイ誤差を決定する方法に関する。その方法は、一般に、連続的に変化するオフセットマークの対称中心を決定する工程と、それをマークの幾何学的中心と比較する工程と、を備える。オーバレイがゼロである場合には、対称中心は、マークの幾何学的中心と一致する傾向がある。オーバレイがゼロでない場合（例えば、２つの層間にずれがある場合）には、対称中心は、マークの幾何学的中心からずれる。その位置ずれを、連続的に変化するマークの予め設定されたゲインと組み合わせて用いることで、オーバレイ誤差を算出する。 （もっと読む）

半導体ウェハ上に形成された構造を、一つの入射角及び一つの方位角でその構造に入射光線を向けることによって検査する。入射光線は、方位角の走査を得るために方位角の範囲全体にわたって走査される。方位角の走査中、回折光線の交差偏光成分が測定される。
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本発明は、
-像焦点面における物体の基本的な表面の光学フーリエ変換像を形成する手段と、
-検出手段によって提供された情報から少なくとも１つの物体の寸法的および／または構造的な特徴に関連するデータを生成する処理手段と、
を含むことを特徴とする、物体の寸法的または構造的な特徴を測定するための装置に関する。
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【課題】透明膜の段差の測定方法に関し、非接触、非破壊で且つ簡単な操作で高速、高精度に位相シフターの段差を測定すること。
【解決手段】第１の透明膜１の一部に形成された複数の第１の溝Ｓａ₁ ，…，Ｓａ_n の段差量ｔ₁ ，…．ｔ_n と該第１の溝Ｓａ₁ ，…，Ｓａ_n からの反射光の偏光状態を示すパラメータの値との相関関係ｆ₁ を求めてデータベース化した後に、第２の透明膜４２の一部に形成された第２の溝４５の反射光の偏光状態を示すパラメータの第１の値を計測して、該第１の値と前記データベースの前記相関関係に基づいて該第２の溝４５の第１の段差量を求める工程を含む。 （もっと読む）