【課題】Ｘ線透過法を用いて走行状態の塗工シートの塗工膜の単位面積当り重量および／または厚みを精度良く簡単に測定する。
【解決手段】Ｘ線源１１とＸ線検出器１２を用いて塗工シート１０の走行状態において塗工シートの塗工膜を測定する際、塗工シートの透過Ｘ線量を測定したデータと、未塗工シートの透過Ｘ線量を測定したデータとを演算部３０で処理して塗工シート１０の塗工膜の単位面積当り重量および／または厚みをほぼ連続的に算出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線透過法を用いて走行状態の二層膜シートの各層の単位面積当たり重量および／または厚みを精度良く簡単に測定する。
【解決手段】二層膜シート１０の走行状態において二層膜シートの各層１０ａ，１０ｂを測定する際、高エネルギーのＸ線源１１と低エネルギーのＸ線源１２を用いて二層膜シートのほぼ同一部分の透過Ｘ線量を測定し、各測定出力を演算部３０でデータ処理して各層の単位面積当たり重量および／または厚みをほぼ連続的に算出する。 （もっと読む）

【課題】 送電を停止させることなく、かつ当該電力ケーブルあるいは接続部の絶縁破壊を生じさせることなく、安全かつ確実に内部の欠陥位置の特定を可能にすること。
【解決手段】 電力ケーブルおよび接続部の部分放電測定により得られた図１の放電波形において、部分放電が発生していない電圧波形の位相に合わせて、電力ケーブルおよび接続部に放射線を照射する。そして内部の放射線写真を撮影し、この撮影された画像より電力ケーブルおよび接続部内部の欠陥を検出する。具体的には、電圧位相の一周期をＴ（５０ＨｚならＴ＝０．０２ｓｅｃ）としたとき、０（ｓｅｃ）〜０．１７８Ｔ（ｓｅｃ）、０．３２２Ｔ〜０．６７８Ｔ（ｓｅｃ）、または、０．８２２Ｔ〜１Ｔ（ｓｅｃ）のいずれかの間に放射線を照射する。また、特に劣化の著しいケーブルに対して、上記の電圧位相のうち、第２象限と第４象限に限定して放射線を照射する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハ（１００）上に堆積または形成された膜（１０４）の光学特性を測定するためのシステム（２０１）および方法を提供する。膜の試験領域（２０６）内にあって、互いに重なり合わない複数の位置（２１６）において、上記膜の化学線照射量よりも低い放射線照射量で光学特性を測定する。この結果、上記測定によって上記膜内に化学変化が引き起こされることはない。従来技術による方法に対して上記測定を較正して、その結果を調整係数または較正係数によって調節してもよい。
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本発明は、半導体ウエハなどの基板の表面に形成された薄膜の厚みなどを測定する測定装置に関するものである。本発明の測定装置は、物質にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段（４０）と、マイクロ波照射手段（４０）にマイクロ波を供給するマイクロ波源（４５）と、物質から反射した、又は物質を透過したマイクロ波の振幅又は位相を検出する検出手段（４７）と、検出手段（４７）により検出されたマイクロ波の振幅又は位相に基づいて物質の構造を解析する解析手段（４８）とを備える。
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